公开(公告)号：EP0156708A1

公开(公告)日：1985-10-02

申请号：EP85400423.1

申请日：1985-03-05

Applicant: THOMSON-CSF

Inventor： Derewonko, Henri ,  Bessonneau, Guy ,  Camiade, Marc ,  Bert, Alain

IPC: H03B5/18

CPC classification number: H03B5/1852 ,  H03B2200/0028 ,  H03B2200/004 ,  H03B2201/0208 ,  H03B2201/031

Abstract: L'invention concerne un oscillateur hyperfréquences travaillant en bande X.
Le circuit de l'oscillateur comprend un transistor à effet de champ (1) monté en grille commune. Le circuit d'accord, relié à la source, comprend une capacité variable (2) de type varicap commandée par une tension Vp, et une self (3) en parallèle. La tension de commande Vp est découplée de la masse par une capacité (5). Selon l'invention, le transistor (1), le varicap (2) et la capacité (5) sont intégrés dans un même boîtier sous forme d'un micromodule : la capacité (5) sert d'embase au transistor (1) et au varicap (2) soudés côte à côte. La longueur (L) de la connexion entre le varicap (2) et la source du transistor (1) étant minimale permet d'élargir la bande de fréquences linéaire en fonction de la tension de commande Vp.
Application aux matériels hyperfréquences.

公开(公告)号：EP0530073B1

公开(公告)日：1994-09-14

申请号：EP92402263.5

申请日：1992-08-11

Applicant: THOMSON-CSF SEMICONDUCTEURS SPECIFIQUES

Inventor： Camiade, Marc ,  Serru, Véronique ,  Geffroy, Dominique

IPC: G01S13/82 ,  G01S7/02 ,  G06K7/10

CPC classification number: G07B15/063 ,  G01S7/024 ,  G01S13/825 ,  G07B15/00

公开(公告)号：EP0099779B1

公开(公告)日：1987-04-15

申请号：EP83401288.2

申请日：1983-06-21

Applicant: THOMSON-CSF

Inventor： Bert, Alain ,  Camiade, Marc

IPC: H03B5/18

CPC classification number: H03B5/1852 ,  H03B5/1876 ,  H03B2200/0028 ,  H03B2200/0076 ,  H03B2200/0086 ,  H03B2200/0088

公开(公告)号：EP0099779A1

公开(公告)日：1984-02-01

申请号：EP83401288.2

申请日：1983-06-21

Applicant: THOMSON-CSF

Inventor： Bert, Alain ,  Camiade, Marc

IPC: H03B5/18

CPC classification number: H03B5/1852 ,  H03B5/1876 ,  H03B2200/0028 ,  H03B2200/0076 ,  H03B2200/0086 ,  H03B2200/0088

Abstract: @ L'invention concerne un oscillateur hyperfréquence (11-14 GHz) comportant une pluralité de transistors, stabilisés sur au moins l'une de leurs électrodes par une ligne microbande couplée à un résonateur diélectrique.
L'oscillateur selon l'invention regroupe les transistors (6) à la périphérie d'un substrat isolant (7) qui supporte en son centre un unique résonateur diélectrique (15) commun à tous les transistors (6). Les lignes microbandes (9, 11) comportent deux portions extrêmes non couplées parallèles aux lignes de champ du résonateur (15), et une portion centrale (10, 12) couplée, perpendiculaire aux lignes de champ. Transistors et microlignes sont coplanaires. Sortie par coaxial (14) au centre du substrat (7) ou par microbande (20) coplanaire au substrat (7).
Application aux amplificateurs hyperfréquences à faible bruit.

公开(公告)号：EP0486364B1

公开(公告)日：1994-10-19

申请号：EP91402988.9

申请日：1991-11-07

Applicant: THOMSON-CSF SEMICONDUCTEURS SPECIFIQUES

Inventor： Camiade, Marc ,  Serru, Véronique ,  Geffroy, Dominique

IPC: G01S13/74 ,  G01S13/80 ,  G06K7/10 ,  G06K19/06

CPC classification number: G06K7/0008 ,  G01S13/74 ,  G01S13/767 ,  G06K19/0723

公开(公告)号：EP0486367A1

公开(公告)日：1992-05-20

申请号：EP91402991.3

申请日：1991-11-07

Applicant: THOMSON-CSF SEMICONDUCTEURS SPECIFIQUES

Inventor： Camiade, Marc ,  Quentin, Pierre ,  Savary, Pierre ,  Brandeau, Jean-Philippe

IPC: G01S13/82 ,  G06K19/06

CPC classification number: G01S13/825 ,  G06K19/0723

Abstract: L'invention concerne le modem compris dans le badge ou station mobile, dans un système d'échange de données par microondes avec une station fixe ou balise.
Selon l'invention, le modem (4) comporte au moins un transistor (11) qui fonctionne en détecteur, à la réception, ou en amplificateur à réflexion, à l'émission, selon les tensions de polarisations (V gs0 , Vg s1 ) de grille qui lui sont appliquées, et les courants drain (I ds ) qui en résultent. La commutation émission/réception se fait au moyen de transistors (27,28,40) qui commutent les charges, donc les courants, sur le transistor amplificateur (11). Modulation en amplitude ou en phase.
Application aux télécommunications à courtes distances.

Abstract translation: 本发明涉及包含在徽章或移动台中的调制解调器，在用于与固定站或信标进行数据交换的微波系统中。 根据本发明，调制解调器（4）包括至少一个用作接收时的检测器的晶体管（11），或者根据栅极偏置电压（Vgs0，Vgs1）作为传输时的反射放大器， 以及由此产生的漏极电流（Ids）。 发送/接收切换通过在放大器晶体管（11）上切换负载并因此切换电流的晶体管（27,28,40）进行。 振幅或相位调制。 ... 应用于短距离电信。 ... ...

公开(公告)号：EP0486364A1

公开(公告)日：1992-05-20

申请号：EP91402988.9

申请日：1991-11-07

Applicant: THOMSON-CSF SEMICONDUCTEURS SPECIFIQUES

Inventor： Camiade, Marc ,  Serru, Véronique ,  Geffroy, Dominique

IPC: G01S13/74 ,  G01S13/80 ,  G06K7/10 ,  G06K19/06

CPC classification number: G06K7/0008 ,  G01S13/74 ,  G01S13/767 ,  G06K19/0723

Abstract: L'invention concerne les échanges de données par ondes hyperfréquences entre une station fixe (2) ou lecteur, et une station mobile (1) ou badge.
Afin d'augmenter la sensibilité du système, et sa portée le modem (3) du badge (1) comprend un oscillateur. Le même transistor (11) fonctionne, sous une première polarisation en détecteur de l'onde émise par le lecteur, et démodule cette onde, puis, sous une deuxième polarisation, fonctionne en oscillateur et module la réponse émise par le badge (1).
Applications aux échanges de données à distance.

Abstract translation: 本发明涉及在固定站（2）或读取器与移动台（1）之间使用微波频率波的数据交换或徽章。 为了提高系统的灵敏度和范围，徽章（1）的调制解调器（3）包括振荡器。 相同的晶体管（11）在第一偏置条件下作为由读取器发送的波的检测器起作用并且解调该波，然后在第二偏置条件下起到振荡器的作用，并且调制由标记发送的响应（ 1）。 应用于远程数据交换。