用于制造硅中间承载体的方法

    公开(公告)号:CN102086020B

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201010581224.8

    申请日:2010-12-06

    Abstract: 本发明涉及用于制造硅中间承载体的方法。本发明涉及一种用于制造硅中间承载体(1)的方法,用于在衬底上、尤其是电路板上安装微电子机械装置和/或具有集成电路的电子装置,该方法包括以下方法步骤:a)借助激光方法将至少一个凹部(2)引入硅衬底(3)中,其中凹部(2)从硅衬底(3)的第一侧(I)延伸到第二侧(II),b)至少在硅衬底(3)的表面的部分区域上构造第一绝缘层(4),所述部分区域从硅衬底(3)的第一侧(I)通过凹部(2)延伸到第二侧(II),以及c)将导电材料(5)施加到第一绝缘层(4)上用于构造至少一个从硅衬底(3)的第一侧(I)通过凹部(2)至第二侧(II)的穿通接触部。

    用于从衬底去除显微试件的方法

    公开(公告)号:CN1715863B

    公开(公告)日:2012-02-29

    申请号:CN200510082203.0

    申请日:2005-07-01

    Applicant: FEI公司

    Inventor: H·G·塔普佩

    Abstract: 本发明提供了一种用于从衬底(2)去除显微试件(1)的方法,包括:执行切割工艺,其中衬底(2)用束(4)照射,以便从衬底(2)切出试件(1),以及执行附着工艺,使得试件(1)附着到探针(3)上,其特征在于,在切割工艺的时段的至少部分中,同时用至少两个束(4、5)执行切割工艺。通过用至少两个束执行切割,无需改变衬底(2)相对于产生束的装置的方位,就可提取试件(1)。与仅用单个束执行切割的方法相比,同时用两个束工作和伴随着可能使方位保持不变节省了时间。

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