采用调制掺杂量子阱结构的阵列式半导体激光器

    公开(公告)号:CN1871751A

    公开(公告)日:2006-11-29

    申请号:CN200480027320.0

    申请日:2004-07-26

    Abstract: 一种光学电子集成电路包括基片、在基片上形成的多层结构和在多层结构内形成的闸流晶体管器件和相应的谐振腔的阵列。通过以下方法来形成适合于处理不同波长的光的谐振腔:选择性地除去多层结构的一些部分,以便提供具有对应于不同波长而形成的不同垂直尺寸的谐振腔。所述多层结构的被选择性地除去以便提供多个波长的所述部分最好包括通过重复未掺杂的间隔层和未掺杂的蚀刻停止层对而形成的周期性子结构。所述多层结构可以由III-V族材料形成。在这种情况下,周期性子结构的未掺杂的间隔层和未掺杂的蚀刻停止层最好分别包括未掺杂的GaAs和未掺杂的AlAs。未掺杂的AlAs在通过包括氟的基于氯的气体混合物进行蚀刻的过程中起蚀刻停止器的作用。多波长闸流晶体管器件阵列可以用来实现提供各种各样光学电子的功能的器件,诸如基于闸流晶体管发射不同波长的光的激光器阵列;和/或基于闸流晶体管的检测不同波长的光(例如用于波分复用用途)的检波器阵列。

    激光波长变换装置
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102468606A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201110340762.2

    申请日:2011-11-02

    Inventor: 田中秀和

    Abstract: 提供一种激光波长变换装置,能够以高的光取出效率输出期望波长的光。其具备:半导体激光元件,放射激光作为基波光;基波光反射元件,由相对于上述半导体激光元件构成外部共振器的体积布拉格光栅(VBG)构成;以及波长变换元件,配置在上述半导体激光元件与上述基波光反射元件之间,对基波光的一部分基波光的波长进行变换而形成波长变换光;该激光波长变换装置的特征在于,具备选择性反射部件,该选择性反射部件在从上述波长变换元件向上述基波光反射元件出射的光之中,使基波光透射,使波长变换光反射;并且该激光波长变换装置在上述半导体激光元件与上述波长变换元件之间,配置有使基波光透射、使波长变换光反射而取出的二向色镜。

    反射式液晶显示元件用基底

    公开(公告)号:CN1249497C

    公开(公告)日:2006-04-05

    申请号:CN01118751.4

    申请日:2001-06-07

    CPC classification number: G02F1/133553 G02F2201/346

    Abstract: 提供一种反射式液晶显示元件用基底,具有多层电介质膜(反射镜),其层数可比根据传统技术的少由此可在更短的时间内形成,并可在可见光范围内获得一期望平面的稳定的光学特性,此外还可防止用于反射引起的着色。该反射镜形成于一透光基底之上,其由一预定数目的交替层迭于所述透光基底上的高折射率第一透光膜和低折射率第二透光膜组成。

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