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公开(公告)号:CN102063931B
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201010566734.8
申请日:2007-03-29
Applicant: 莫塞德技术公司
Inventor: 金镇祺
CPC classification number: G11C7/1042 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211 , G11C7/1021 , G11C16/10 , G11C16/32 , G11C2216/22 , G11C2216/24
Abstract: 一种闪烁存储器系统结构,具有串联的闪烁存储器设备用于获取数据的高速编程。通过数据页面的交错编程到系统中的存储器设备来实现数据的高速编程,使得不同页面的数据存储在不同的存储器设备。存储器控制器发出编程命令用于每一存储器设备。当每一存储器设备接收到编程命令,其开始编程操作或者将命令传输到下一个存储器设备。因此,闪烁系统中的存储器设备一个接一个地顺序编程页面数据,使得编程每一页面数据到闪烁存储器系统的延迟最小化。存储器控制器可以执行耗损平衡算法用于最大化每一存储设备的耐久性或者对于任意尺寸数据来优化编程性能和耐久性。
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公开(公告)号:CN102231136B
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201110194055.7
申请日:2011-07-12
Applicant: 晨星软件研发(深圳)有限公司 , 晨星半导体股份有限公司
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/10 , G06F2212/1036 , G06F2212/7202
Abstract: 本发明公开了一种闪存存储设备及其数据存储方法和装置,所述闪存存储设备包括至少两个存储单元,所述方法包括:查找并得到第一标识,所述第一标识对应于第一数据所在的存储单元,所述第一数据为最新保存的数据;根据所述第一标识找到保存第一数据的存储单元;将第二数据存储至另一存储单元;将所述第一标识对应于第二数据所在的所述另一存储单元。本发明中,将第一标识与存储数据的存储单元建立对应关系,在第一标识对应的存储单元之外的存储单元进行第二数据的存储,再将存储第二数据的存储单元与第一标识建立对应关系,有效地利用多个存储单元进行数据的存储,延长了闪存存储设备的使用寿命。
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公开(公告)号:CN103678150A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310718063.6
申请日:2013-12-23
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor: 周建华
CPC classification number: G06F11/079 , G06F3/0611 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F11/0727 , G06F11/0757 , G06F11/3419 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/214 , G06F2212/7204 , G06F2212/7206 , G06F2212/7211
Abstract: 本发明实施例提供一种固态硬盘使用方法及装置,该方法包括:当需要对固态硬盘中的数据块进行操作时,根据固态硬盘的负载均衡表确定待操作的数据块的潜伏期;判断数据块的潜伏期是否大于预警值,预警值小于典型潜伏期,典型潜伏期为预设的对固态硬盘中的数据块操作失败时的潜伏期;若数据块的潜伏期大于预警值,则禁止对数据块执行操作。该方法中,通过对各Block当前的潜伏期与预警值进行比较,动态的监控实际操作的Block的潜伏期,在当前的潜伏期小于或等于预警值时对该Block进行操作,从而从物理特性上做到真正的负载均衡,在一定程度上减少了坏块的产生,尽可能使用了保留块,从而延长了SSD的寿命。
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公开(公告)号:CN103635968A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201280032634.4
申请日:2012-05-24
Applicant: 美光科技公司
Inventor: A·肯特·波特菲尔德
CPC classification number: G11C16/3495 , G06F3/0616 , G06F3/064 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F2212/1024 , G06F2212/1036 , G06F2212/7201 , G06F2212/7205 , G06F2212/7211 , Y02D10/13
Abstract: 存储器控制器可包含开关和耦合到所述开关的包含通道控制电路的非易失性存储器控制电路。所述通道控制电路可耦合到包含块的逻辑单元。易失性存储器和包含本地存储器的存储器管理电路可耦合到所述开关。所述存储器管理电路可经配置以存储所述易失性存储器中的块表中的所述块中每一者的健康和状态信息,存储基于所述本地存储器中的准则而识别用于特定操作的候选块的候选块表,更新所述块表中的特定块的所述健康和状态信息,根据所述准则比较所述特定块的所述经更新健康和状态信息与所述候选块,以及响应于所述比较指示所述特定块较好地满足了所述准则而更新所述候选块表以识别所述特定块。
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公开(公告)号:CN101484882B
公开(公告)日:2013-10-02
申请号:CN200680050847.4
申请日:2006-12-03
Applicant: 晟碟以色列有限公司
Inventor: M·阿盖密
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0616 , G06F3/0643 , G06F3/0679 , G06F2212/1016 , G06F2212/1036 , G06F2212/7201 , G06F2212/7207 , G11C16/102
Abstract: SIM卡包括:(a)用于存储用户数据的第一NVM;以及(b)第二NVM,与第一NVM分离,用于存储与用户数据相关的管理数据。优选地,第一NVM能够块擦除并且第二NVM能够字擦除。优选地,第一NVM是闪存并且第二NVM是EEPROM。优选地,管理数据包括用于将第一NVM的虚拟地址映射到物理设备地址的映射表。优选地,用户数据和管理数据被组织在文件系统中。最优选地,管理数据包括至少一个文件分配表。最优选地,管理数据包括至少一个文件目录,其中至少一个文件目录包括从由文件名、文件大小、文件属性、和文件扇区的物理地址组成的组中选择的至少一项。
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公开(公告)号:CN103279402A
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201310174879.7
申请日:2013-05-13
Applicant: 记忆科技(深圳)有限公司
CPC classification number: G11C29/52 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G11C11/5628 , G11C16/3418 , G11C2029/0409
Abstract: 本发明适用于存储技术领域,提供了一种基于多层单元固态硬盘的数据恢复方法,所述方法包括:建立couple page关系表;建立历史数据窗口,并在运行时刻动态维护所述历史数据窗口;所述固态硬盘的逻辑块在写入数据时,若编程出错,则检查所述逻辑块的数据是否有损坏,若是则根据所述couple page关系表及运行时刻动态历史数据窗口恢复所述被损坏的数据。本发明还相应的提供一种实现上述方法的固态硬盘。借此,本发明的多层单元固态硬盘出现编程错误而导致对应Couple Low Page数据丢失时,能够恢复其对应的数据,降低了用户数据丢失的风险,提高了固态硬盘的可靠性。
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公开(公告)号:CN103197899A
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201310111604.9
申请日:2013-04-01
Applicant: 微软公司
Inventor: KY·斯里尼瓦桑
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F12/0871 , G06F2212/1024 , G06F2212/1036 , G06F2212/466
Abstract: 本发明公开了增强基于闪存的存储的寿命和性能。一种存储管理系统使得应用写请求与对基于闪存的存储设备的写请求解耦。通过在写入数据的应用请求和存储设备之间放置软件智能层,该系统能够做出关于何时何地写入数据的更有效的决策,这减少了存储设备的损耗并提高了存储设备的性能。应用具有一组性能特性并且按适于该应用的频率写入数据,但这对于硬件而言不一定是高效的。通过分析应用正如何使用数据,该系统能够策略性地在存储设备中放置数据或甚至对于某些操作避免使用存储设备以最小化损耗。一种用于这样做的技术是创建担当应用请求和存储硬件之间的缓冲区的存储器中高速缓存。
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公开(公告)号:CN102722455A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201210160252.1
申请日:2012-05-22
Applicant: 深圳市江波龙电子有限公司
IPC: G06F13/16
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036
Abstract: 本发明适用于存储器的数据存储技术领域,提供了一种闪存设备中数据存储的方法及装置,所述方法包括:接收主机系统发送的写指令,所述写指令包含有待写入的数据以及所述待写入数据写入闪存的逻辑地址;判断所述待写入数据是否之前已写入;若否,根据所述逻辑地址写入所述待写入数据;若是,不执行所述写指令,将所述逻辑地址指向所述之前已写入的与所述待写入数据相同的数据保存的逻辑地址。通过本发明,可有效减少对闪存的写操作,进而减少对闪存块的擦除操作,避免闪存的频繁磨损,提高闪存设备的使用性能,延长闪存设备的使用寿命。
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公开(公告)号:CN101681315B
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN200980000135.5
申请日:2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/1036 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明实施例的存储器系统包括:数据管理单元120,其被划分为DRAM层管理单元120a、逻辑NAND层管理单元120b以及物理NAND层管理单元120c,以使用各个管理单元独立地执行对DRAM层,逻辑NAND层以及物理NAND层的管理,从而执行有效的块管理。
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公开(公告)号:CN102346682A
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN201110066858.4
申请日:2011-03-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F9/45537 , G06F12/0246 , G06F12/0802 , G06F2009/45583 , G06F2212/1036 , G06F2212/2022 , G06F2212/7208
Abstract: 根据一种实施方式,提供信息处理装置及信息处理方法,信息处理装置具备:OS、第1及第2虚拟机、高速缓存未中检测部、高速缓存控制部和虚拟机控制部。OS访问包含用作主存储器的非易失性半导体存储器和用作非易失性半导体存储器的高速缓冲存储器的半导体存储器的硬件资源。第1及第2虚拟机由OS实现。高速缓存未中检测部在由第1及第2虚拟机执行的处理中检测发生了对半导体存储器的高速缓存未中的情况。高速缓存控制部,当高速缓存未中检测部检测到发生了高速缓存未中的情况下,对成为该高速缓存未中的原因的数据从非易失性半导体存储器向半导体存储器进行高速缓存处理。虚拟机切换部,当高速缓存未中检测部检测到高速缓存未中的情况下,在高速缓存控制部进行高速缓存处理的期间,从第1虚拟机切换到第2虚拟机。
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