公开(公告)号：CN107039241A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710135467.0

申请日：2017-03-09

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 李绍元 ,  马文会 ,  于洁 ,  万小涵 ,  杨春曦 ,  杨佳 ,  魏奎先 ,  雷云 ,  吕国强 ,  谢克强 ,  伍继君 ,  杨斌 ,  戴永年

IPC: H01L21/02 ,  B28D5/04

CPC classification number: H01L21/0201 ,  B28D5/045

Abstract: 本发明公开一种超薄硅的化学切割方法，属于材料加工技术领域。本发明所述方法主要是通过借助金属丝线（Au、Pt、Ag、Pd）的催化作用，通过在金属丝线与硅锭之间形成的原电池反应，在化学刻蚀液的作用下，实现金属丝线下方硅料的不断溶解，从而实现硅料的化学切割，与传统物理切割（砂浆切割、金刚线切割）相比，该方法无需外界大型动力设备；贵金属丝线起到的是催化原电池反应的作用，切割过程中不会对其造成损耗；丝线极细，能够实现超薄硅片切割（＜30μm）的能力。

公开(公告)号：CN106876246A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710078668.1

申请日：2017-02-14

Applicant: 河北普兴电子科技股份有限公司

Inventor： 贾松 ,  张绪刚 ,  陈秉克 ,  赵丽霞 ,  袁肇耿 ,  薛宏伟 ,  侯志义 ,  张志勤 ,  吴会旺 ,  周晓龙

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02005 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明公开了一种提高外延片片内电阻率均匀性的方法，涉及硅衬底外延层的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：利用高纯度的氯化氢气体在高温下对外延炉基座进行腐蚀；向外延炉基座片坑内装入硅衬底片，外延炉升温过程中利用高纯度的氢气吹扫外延炉腔体，直到达到设定的温度；恒温5 min以上；外延炉升温至设定温度后进行大流量变流量吹扫，气体流量设定为100‑‑400L/min，时间大于4 min；将外延炉降温到外延生长温度，进行硅衬底片的外延生长。所述方法可使外延片片内电阻率更均匀，成品率极大提升，且SRP曲线轮廓一致性有较大的提升。

公开(公告)号：CN106803481A

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201710167124.2

申请日：2017-03-20

Applicant: 常州亿晶光电科技有限公司

Inventor： 孙铁囤 ,  汤平 ,  姚伟忠

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0201

Abstract: 本发明涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片去水膜设备，包括设置在机架上的水槽，所述水槽内设有用于输送硅片的输送辊，所述机架上设有板体，所述板体位于所述水槽上方，所述板体靠近输送辊的一侧开设有进水道，所述板体内设有集水腔，所述集水腔与所述进水道连通，所述板体上设有排水口，所述排水口与所述集水腔连通，所述机架上设有用于控制板体靠近或者远离输送辊的微调机构，本发明硅片去水膜设备在使用时，传统去水方式无法完全将水去除，而通过改进同样是对水膜进行挤压，通过板体上的进水道，使得硅片上的水通过进水道溢流至排水腔内，避免了传统通过匀水辊去水无效的问题。

公开(公告)号：CN104145330B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201380012296.2

申请日：2013-03-09

Applicant: 苏斯微技术光刻有限公司

Inventor： G·乔治 ,  S·卢特尔

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: B32B37/0046 ,  B32B37/1284 ,  B32B37/18 ,  B32B2307/202 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/17

Abstract: 一种用于临时接合第一晶片和第二晶片的方法，包括将第一粘合剂层涂覆在第一晶片的第一表面上，然后固化的第一粘合剂层。接着，将第二粘合剂层涂覆在第二晶片的第一表面上。接着，将第一晶片插入接合器模组内并由一个上卡盘组件保持住第一晶片，使带有固化的第一粘合剂层的第一表面朝下。接着，将第二晶片插入接合器模组内并放置在一个下卡盘组件上，使第二粘合剂层面朝上并与第一粘合剂层相对。接着，向上移动下卡盘组件，使第二粘合剂层与固化的第一粘合剂层相接触，然后固化第二粘合剂层。

公开(公告)号：CN105755534A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610140263.1

申请日：2012-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/34 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/304 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/28 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/34 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明提供一种衬底、半导体器件及其制造方法。所述衬底具有前表面和背表面，在所述衬底中，所述前表面的至少一部分由单晶碳化硅构成，所述衬底具有：不大于0.5nm的、在所述前表面处的表面粗糙度Ra的平均值，并且所述表面粗糙度Ra的标准偏差不大于0.2nm；小于0.3nm的、在所述背表面处的表面粗糙度Ra的平均值；以及不小于110mm的所述前表面的直径。

公开(公告)号：CN103252711B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310123320.1

申请日：2009-03-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 荣·珍·派克 ,  梅尔文·巴任提恩 ,  阿比吉特·Y·德赛 ,  哈伊·源 ,  阿施施·布特那格尔 ,  拉伊库马尔·阿拉格尔萨米

IPC: B24B37/30

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B24B37/30 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/30625 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明涉及改良的承载头薄膜并提出用于平坦化基底的方法及设备。提出具有改良的外罩的基底承载头以牢固地握持基底。外罩可具有珠部，其尺寸大于与其进行配适的凹部，从而通过压缩力在凹部内形成共形的密封。珠部亦可不经涂覆，以加强珠部与沟槽表面的附着力。可将外罩表面粗糙化，以降低基底对外罩的附着力，而不需使用不粘黏涂层。

公开(公告)号：CN104145330A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201380012296.2

申请日：2013-03-09

Applicant: 苏斯微技术光刻有限公司

Inventor： G·乔治 ,  S·卢特尔

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

CPC classification number: B32B37/0046 ,  B32B37/1284 ,  B32B37/18 ,  B32B2307/202 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T156/17

Abstract: 一种用于临时接合第一晶片和第二晶片的方法，包括将第一粘合剂层涂覆在第一晶片的第一表面上，然后固化的第一粘合剂层。接着，将第二粘合剂层涂覆在第二晶片的第一表面上。接着，将第一晶片插入接合器模组内并由一个上卡盘组件保持住第一晶片，使带有固化的第一粘合剂层的第一表面朝下。接着，将第二晶片插入接合器模组内并放置在一个下卡盘组件上，使第二粘合剂层面朝上并与第一粘合剂层相对。接着，向上移动下卡盘组件，使第二粘合剂层与固化的第一粘合剂层相接触，然后固化第二粘合剂层。

公开(公告)号：CN102725695B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201080039879.0

申请日：2010-09-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 卢孝贞 ,  周东奎 ,  金泫辰 ,  金德倍

IPC: G03F7/09

CPC classification number: G03F7/091 ,  B05D3/02 ,  C07D251/06 ,  C08F283/00 ,  C08G75/00 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/42 ,  C09D5/006 ,  G03F7/168 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/4757 ,  H01L31/02168 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/364 ,  C08L81/00

Abstract: 公开了用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物和包括所述异氰脲酸酯化合物的组合物，所述抗反射层在高温(25℃或更高)下具有优异的稳定性、优异的蚀刻速率以及高折射率。所述用于形成有机抗反射层的异氰脲酸酯化合物由权利要求1的通式1所表示。在通式1中，R各自独立地为氢或甲基，R1各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至6个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃，并且R2各自独立地为具有1至15个碳原子且包含0至15个杂原子的脂肪族或环状的饱和或不饱和烃。

公开(公告)号：CN108930060A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810722327.8

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛森鸿 ,  陈步芳 ,  王祥保

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/04 ,  C30B31/16 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/00 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/04 ,  C30B31/165 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/365 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种用于为半导体晶圆提供支承的系统和方法。实施例包括从半导体晶锭分离半导体晶圆之前，在半导体晶锭形成期间引入空位增强原料。空位增强原料在半导体晶锭内以高密度形成空位，并且所述空位在诸如退火的高温度工艺期间在半导体晶圆内形成体微缺陷。这些体微缺陷有助于在后续工艺期间提供支承和增强半导体晶圆并且有助于减少或者消除可能出现的指纹覆盖。本发明还提供了半导体结构和方法。

公开(公告)号：CN107877011A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710740384.4

申请日：2017-08-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 平田和也

IPC: B23K26/402

CPC classification number: B23K26/53 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/0201 ,  B23K26/402

Abstract: 提供实现生产率提高的SiC晶片生成方法。SiC晶片的生成方法从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，包括：剥离面形成工序，在形成偏离角的方向进行晶锭的转位进给而进行2次以上的改质层形成加工，形成剥离面，该改质层形成加工中，将对SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离晶锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并在与形成偏离角的方向正交的方向进行晶锭的加工进给，从而在晶锭内部形成改质层和从该改质层沿c面传播的裂痕；晶片生成工序，以剥离面为界面将晶锭的一部分剥离，生成SiC晶片。SiC晶片的生成方法还包括：倒角加工工序，对剥离得到的SiC晶片的外周实施倒角加工而去除毛刺；磨削工序，对SiC晶片的剥离面进行磨削，精加工成平滑面。