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公开(公告)号：CN109600026A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710938426.5
申请日：2017-09-30
Applicant: 沃尔缇夫能源系统公司
Inventor： 黄晶晶
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M1/08
Abstract: 本发明公开了一种图腾柱电路中的氮化镓器件的驱动方法及装置，可在图腾柱电路中的任一氮化镓器件处于关断状态时，确定流过所述氮化镓器件的电流；若确定流过所述氮化镓器件的电流为反向电流，则向所述氮化镓器件提供设定驱动电压；其中，所述设定驱动电压大于所述氮化镓器件的关断驱动电压、且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压。相比于现有技术，在某一个已经处于关断状态的氮化镓器件上有反向电流流过时，可向该氮化镓器件提供大于所述氮化镓器件的关断驱动电压且小于所述氮化镓器件的开通驱动电压的设定驱动电压，从而既能够保证该氮化镓器件的可靠关断，也能降低该氮化镓器件的导通电压，避免了不必要的损耗。
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公开(公告)号：CN109600025A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710915494.X
申请日：2017-09-30
Applicant: 瀚薪科技股份有限公司
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M1/08
Abstract: 本发明揭示一种可负压栅极驱动的智能功率模块，是将一宽能隙半导体功率单元、一调整单元、以及一驱动单元整合使该驱动单元的一电压准位可通过该调整单元而调整，据此，该宽能隙半导体功率单元在驱动状态下分别具有一正压与负压交替的驱动电压准位。
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公开(公告)号：CN109478847A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780045514.0
申请日：2017-07-21
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/155 , H02M1/08 , H02M1/14 , H02M3/156 , H03F3/45475
Abstract: 开关调节器(100)，具备：开关元件(103)，连接于输入直流电压(Vi)输入的输入端子、与将输出直流电压(Vo)输出的输出端子之间，按照驱动信号(Dr)接通以及断开；迟滞生成电路(112)，输入直流电压(Vi)和输出直流电压(Vo)输入，生成与输入直流电压(Vi)以及输出直流电压(Vo)对应的输出电流(Iout)或输出电压；基准电压生成电路(113)，生成具有与输出电流(Iout)或输出电压成比例的倾斜度的基准电压(Vr)；以及驱动信号生成电路(111)，对基准电压(Vr)与输出直流电压(Vo)进行比较来生成驱动信号(Dr)。
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公开(公告)号：CN109217697A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810233768.1
申请日：2018-03-21
Applicant: 虹冠电子工业股份有限公司
Inventor： 黄新年
CPC classification number: H02M7/219 , H02M2007/2195 , H02M7/217 , H02M1/08 , H02M3/156
Abstract: 同步桥式整流器包括多个同步开关元件和多个控制器电路，一个控制电路用于同步开关元件中的一个。同步开关元件可以是场效应晶体管。每个控制器电路被配置为感测相应的同步开关元件两端的电压，以控制同步开关元件的打开和闭合，从而对交流输入信号进行整流以形成直流输出信号。
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公开(公告)号：CN109149937A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810756422.X
申请日：2018-07-11
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: H02M3/158 , H02M1/08 , H02M2001/0048
Abstract: 本发明公开了一种SIDO buck开关变换器及其数字控制方法。该变换器包括采样模块、A/D转换模块、误差计算模块、PID控制模块、CCB变频控制模块、门极驱动逻辑电路以及PWM模块。方法为：采样模块将模拟信号转换成离散信号，然后经A/D转换模块转换成数字信号，输入至误差计算模块；PID模块根据误差值，确定新的开关周期的占空比值；PWM模块根据占空比的值输出相应的PWM信号，驱动电路确定开关管的通断，调节输出电压值；CCB变频控制模块判断是否采用变频控制，并在输出电流发生变化时，通过调节输入功率的办法使得系统回归到稳态。本发明减少了开关变换器两条支路的交叉干扰，提高了开关变换器的动态响应，改善了系统的稳态性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109067174A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810953344.2
申请日：2018-08-21
Applicant: 广州金升阳科技有限公司
CPC classification number: H02M3/156 , H02M1/08 , H02M2001/007
Abstract: 本发明公开了一种开关变换器，包括整流滤波电路、第一降压电路、第二降压电路、启动电路、控制及驱动电路和控制及驱动供电电路；本发明采用两级级联降压电路，第一降压电路的输出作为第二降压电路和控制及驱动供电电路的输入，同时，第一降压电路的输出经控制及驱动供电电路控制处理后作为控制及驱动电路的输出提供工作电压，控制及驱动电路实时采集第一降压电路和第二降压电路的输出电压用以驱动控制两级级联降压电路中的功率管的开通与关断，调节两联级降压电路的占空比，实现输出电压可调，既能满足高降压比要求，又可以避免过小、过窄的占空比现象，还能极大地降低空载功耗，提升了电路性能。
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公开(公告)号：CN109039140A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811227799.2
申请日：2018-10-22
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种紧凑的高压开关组件，该方案包括有电源电路、若干个单元开关电路以及若干个连接件；每个开单元开关电路独立设置在一块PCB板上，各PCB板之间通过连接件固定连接；所述电源电路为每个单元开关电路分别供电。该方案采用一个开关可同时满足脉冲源的脉冲宽度、重频、电压等参数宽范围调节，大大提高了单个脉冲源的多功能应用，可广泛应用于各类高速高压测试仪器、等离子体发生器及激光器驱动等领域。
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公开(公告)号：CN108964424A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810479906.4
申请日：2018-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08 , H02M1/44 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/063 , H02M7/537 , H02M7/5387 , H03K17/08128 , H03K17/107 , H03K17/163 , H03K2217/0063 , H02M1/08 , H02M1/44 , H03K17/687 , H03K2217/0081
Abstract: 本发明的目的是，在高电位侧栅极驱动电路中，对信号的传递损耗和延迟时间的增加进行抑制，且对噪声的影响进行抑制。高电位侧栅极驱动电路(103)具有：脉冲生成电路，其生成与输入信号同步的第1脉冲；以及电平移位电路，其将第1脉冲的基准电压向高电位侧开关元件的电源电压进行电平移位。电平移位电路具有由第1脉冲驱动的MOSFET。高电位侧栅极驱动电路(103)具有：遮蔽信号生成电路(26)，其生成在MOSFET的源极电位成为高电平的期间成为高电平的遮蔽信号；以及再发出电路(36、37)，它们在遮蔽信号为高电平的期间即遮蔽期间中第1脉冲被输入至电平移位电路的情况下，在遮蔽期间后，将第2脉冲输入至电平移位电路。
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公开(公告)号：CN105814783B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201480067274.0
申请日：2014-09-26
Applicant: SMK株式会社
Inventor： 饴井俊裕
CPC classification number: H02M3/156 , H02H7/1213 , H02M1/08 , H02M1/32 , H02M2001/327
Abstract: 一种直流‑直流变换器，对切换晶体管的与电感连接的一侧的连接点A的电压Vd和在切换晶体管进行切换动作期间的连接点A的电压Vd的变动范围内设定的阈值电压Vth进行比较，若对电压Vd和阈值电压Vth作了比较后的极性在比驱动信号的上述特定周期长的检测期间Td中不变化，则判定为是切换晶体管会产生发热的危险的主动状态下的动作。
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公开(公告)号：CN108809059A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810182900.0
申请日：2018-03-06
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 皆川启
IPC: H02M1/08 , H03K17/0814 , H03K17/567
CPC classification number: H02H7/1227 , H03K17/0828 , H02M1/08 , H03K17/08148 , H03K17/567 , H03K2217/0027
Abstract: 提供一种能够加快例如由IGBT形成的半导体元件导通时的过电流的检测速度、并且减少半导体元件短路时的过电流的半导体元件的驱动装置。具备：过电流检测电路，其将由将流过半导体元件的电流变换为电压来进行检测的电流检测电路检测出的电流检测电压与过电流检测阈值电压进行比较，来检测流过半导体元件的过电流；保护电路，其在检测出过电流时对所述半导体元件的接通断开驱动进行控制来防止所述半导体元件的热破坏；以及栅极电压检测电路，其在所述半导体元件的栅极电压低于基准电压时将所述过电流检测阈值电压设定为第一阈值电压，在栅极电压高于基准电压时将所述过电流检测阈值电压设定为低于第一阈值电压的第二阈值电压。
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