Abstract:
L'oscillateur comprend une plaque support en matériau diélectrique (15) comportant une première face, métallisée au moins en partie pour former le circuit de masse (16) fixant la référence des potentiels de l'oscillateur et possédant une deuxième face parallèle à la première face sur laquelle sont disposés, les composants de l'oscillateur, un résonateur et, un transistor (4) monté en collecteur commun et couplé par sa base au résonateur pour permettre l'entretien des oscillations. L'émetteur est relié par deux condensateurs (13, 14) au potentiel de masse. Chaque condensateur (13, 14) est formé par une première plaque métallique (17, 18) déposée sur la deuxième face de la plaque support, une deuxième plaque métallique formée par la première face métallisée (16) de la plaque support. L'électrode de collecteur du transistor est reliée à la partie métallisée (16) de la première face par un trou métallisé (19) reliant la p remière face à la deuxième face. Application: synthétiseurs de fréquence.
Abstract:
L'invention concerne un oscillateur à très hautes fréquences (4-22 GHz) comportant deux résonateurs à billes de Yig. L'oscillateur selon l'invention, basé sur un transistor à effet de champ (1), comporte deux billes de YIG (21, 22) dont les fréquences de résonance sont décalées (àF) ce qui lui communique une large bande de fréquences. En outre, l'une des deux billes (21) est doublement couplée (en 23 et 24) à la source et à la grille du transistor (1), ce qui communique à l'oscillateur une bonne linéarité (≃10 -3 ) dans la bande de fréquence. L'oscillateur est caractérisé en ce qu'une bille de YIG (21) est doublement couplée (en 23 et 24) au transistor (1), et en ce que l'un des deux fils de couplage, celui qui est connecté à la grille du transistor (1), est doublement couplé (en 24) à la première bille (21) et (en 25) à la seconde bille (22). Application aux matériels hyperfréquences.