掃描探針顯微鏡之懸臂的機械性能之校正
    192.
    发明专利
    掃描探針顯微鏡之懸臂的機械性能之校正 审中-公开
    扫描探针显微镜之悬臂的机械性能之校正

    公开(公告)号:TW201346265A

    公开(公告)日:2013-11-16

    申请号:TW102110825

    申请日:2013-03-27

    Abstract: 一種校正懸臂的方法,例如一掃描探針顯微鏡之懸臂(10)(SPM懸臂)。被校正之懸臂包括具有不同熱擴張係數之至少一第一層與第二層(14,16),該方法包括下列步驟:控制沿著該懸臂之一溫度(S1);測量該懸臂之一空間狀態(S2);以及根據被偵測之空間狀態計算一機械性能(S3),其中該空間狀態係藉由控制地改變溫度而產生。本發明亦包括一校正配置以及相關於該校正配置之一掃描探針顯微鏡。

    Abstract in simplified Chinese: 一种校正悬臂的方法,例如一扫描探针显微镜之悬臂(10)(SPM悬臂)。被校正之悬臂包括具有不同热扩张系数之至少一第一层与第二层(14,16),该方法包括下列步骤:控制沿着该悬臂之一温度(S1);测量该悬臂之一空间状态(S2);以及根据被侦测之空间状态计算一机械性能(S3),其中该空间状态系借由控制地改变温度而产生。本发明亦包括一校正配置以及相关于该校正配置之一扫描探针显微镜。

    用於海洋船隻的抗爆內膜門
    194.
    发明专利
    用於海洋船隻的抗爆內膜門 审中-公开
    用于海洋船只的抗爆内膜门

    公开(公告)号:TW202007590A

    公开(公告)日:2020-02-16

    申请号:TW107126486

    申请日:2018-07-31

    Abstract: 本發明提出一種用於海洋船隻的內膜門,其包含一第一板,該第一板具有以一周圍邊緣圍住的一開口;一門,其係藉由一鉸鍊構造連接至此第一板;該門密封地與該周圍邊緣協作。該周圍邊緣包含一具有至少一波浪部分的波浪形狀之 板部分。該門包含一不銹鋼,特別是316L,製成的第二板或是門葉,該第二板或是門葉係收納於一框架中,該框架在一閉合位置下密封地與該周圍邊緣協作。該周圍邊緣在受到該閉合位置中的該內膜門上的一氣壓負荷之影響下係為可變形的,以致至少該門能夠被壓縮出當其靜止時所佔用的主要平面,同時維持該框架與該周圍邊緣之間的協作,以及對用於海洋船隻之該內膜門提供機械完整性與抗破裂性。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提出一种用于海洋船只的内膜门,其包含一第一板,该第一板具有以一周围边缘围住的一开口;一门,其系借由一铰链构造连接至此第一板;该门密封地与该周围边缘协作。该周围边缘包含一具有至少一波浪部分的波浪形状之 板部分。该门包含一不锈钢,特别是316L,制成的第二板或是门叶,该第二板或是门叶系收纳于一框架中,该框架在一闭合位置下密封地与该周围边缘协作。该周围边缘在受到该闭合位置中的该内膜门上的一气压负荷之影响下系为可变形的,以致至少该门能够被压缩出当其静止时所占用的主要平面,同时维持该框架与该周围边缘之间的协作,以及对用于海洋船只之该内膜门提供机械完整性与抗破裂性。

    原子力顯微鏡懸臂、系統及方法
    195.
    发明专利
    原子力顯微鏡懸臂、系統及方法 审中-公开
    原子力显微镜悬臂、系统及方法

    公开(公告)号:TW201920961A

    公开(公告)日:2019-06-01

    申请号:TW107128986

    申请日:2018-08-20

    Abstract: 原子力顯微術(AFM)懸臂的表面係由一主懸臂體部及一島所界定。島藉由島及主體部的面對邊緣之間的一分離空間而與主體部部份地分離。沿著一條供島能夠經過至少一橋的扭轉繞其旋轉之線,至少一橋將島連接至主體部。島具有一在一與該線呈偏移的位置處位設在島上之探針梢端,以及一反射區域。在一AFM中,一光源將光導引至反射區域,且一光斑位置偵測器係偵測從反射區域反射的光所形成之一光斑的一位移,用以測量被施加在探針梢端上之力的一效應。

    Abstract in simplified Chinese: 原子力显微术(AFM)悬臂的表面系由一主悬臂体部及一岛所界定。岛借由岛及主体部的面对边缘之间的一分离空间而与主体部部份地分离。沿着一条供岛能够经过至少一桥的扭转绕其旋转之线,至少一桥将岛连接至主体部。岛具有一在一与该线呈偏移的位置处位设在岛上之探针梢端,以及一反射区域。在一AFM中,一光源将光导引至反射区域,且一光斑位置侦测器系侦测从反射区域反射的光所形成之一光斑的一位移,用以测量被施加在探针梢端上之力的一效应。

    用以執行次表面成像之方法及原子力顯微術系統
    197.
    发明专利
    用以執行次表面成像之方法及原子力顯微術系統 审中-公开
    用以运行次表面成像之方法及原子力显微术系统

    公开(公告)号:TW201903413A

    公开(公告)日:2019-01-16

    申请号:TW107111846

    申请日:2018-04-03

    Abstract: 本發明有關於一種使用一種原子力顯微術系統執行在基板表面下之內嵌結構的次表面成像的方法。該系統包含有探針尖端的探針、與用以感測探針尖端之位置的感測器。該方法包含下列步驟:相對於該基板來定位該探針尖端;對該基板施加第一聲響輸入信號;對該基板施加第二聲響輸入信號;響應於該等第一及第二聲響輸入信號,偵測來自該基板的輸出信號;及分析該輸出信號。該第一聲響輸入信號包含一第一信號分量與一第二信號分量,該第一信號分量包含低於250百萬赫的頻率,而該第二信號分量包括低於2.5百萬赫的頻率、或可提供與該第一信號分量有至多2.5百萬赫之差頻的頻率,以便致能該基板中之一誘發應力場的分析;且其中該第二聲響輸入信號包含有高於1吉赫之頻率的一第三信號分量,致使返回信號包括該第二聲響輸入信號從該等內嵌結構散射的一散射部份。這能夠遍及大深度範圍在一回合執行不同深度的成像。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明有关于一种使用一种原子力显微术系统运行在基板表面下之内嵌结构的次表面成像的方法。该系统包含有探针尖端的探针、与用以传感探针尖端之位置的传感器。该方法包含下列步骤:相对于该基板来定位该探针尖端;对该基板施加第一声响输入信号;对该基板施加第二声响输入信号;响应于该等第一及第二声响输入信号,侦测来自该基板的输出信号;及分析该输出信号。该第一声响输入信号包含一第一信号分量与一第二信号分量,该第一信号分量包含低于250百万赫的频率,而该第二信号分量包括低于2.5百万赫的频率、或可提供与该第一信号分量有至多2.5百万赫之差频的频率,以便致能该基板中之一诱发应力场的分析;且其中该第二声响输入信号包含有高于1吉赫之频率的一第三信号分量,致使返回信号包括该第二声响输入信号从该等内嵌结构散射的一散射部份。这能够遍及大深度范围在一回合运行不同深度的成像。

    薄膜電晶體(TFT)裝置及製造方法
    200.
    发明专利
    薄膜電晶體(TFT)裝置及製造方法 审中-公开
    薄膜晶体管(TFT)设备及制造方法

    公开(公告)号:TW201719891A

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:TW105127514

    申请日:2016-08-26

    Abstract: TFT裝置係自具有相互絕緣的狹長半導體材料條帶之基板開始製造。層之堆疊在該基板上之該等條帶上方,該堆疊包含閘極電極層。多層級抗蝕劑層係設置於該閘極電極層上方。該多層級抗蝕劑層界定閘極及源極汲極區,該通道平行於該等條帶之方向延伸。在該抗蝕劑層中之閘極部分跨越該抗蝕劑層中之源極汲極區,從而在任一側上超出該等源極汲極區至少對應於該等條帶之節距的距離。

    Abstract in simplified Chinese: TFT设备系自具有相互绝缘的狭长半导体材料条带之基板开始制造。层之堆栈在该基板上之该等条带上方,该堆栈包含闸极电极层。多层级抗蚀剂层系设置于该闸极电极层上方。该多层级抗蚀剂层界定闸极及源极汲极区,该信道平行于该等条带之方向延伸。在该抗蚀剂层中之闸极部分跨越该抗蚀剂层中之源极汲极区,从而在任一侧上超出该等源极汲极区至少对应于该等条带之节距的距离。

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