유리 함유 조성물 성형방법
    201.
    发明公开
    유리 함유 조성물 성형방법 无效
    用于形成包含玻璃的组合物的方法

    公开(公告)号:KR1020090125793A

    公开(公告)日:2009-12-07

    申请号:KR1020097020145

    申请日:2008-02-27

    Abstract: Methods for molding glass and glass composites, including providing a first structure having a first surface, providing a second structure having a second surface, the second surface being patterned and porous, and disposing between the first and second surfaces an amount of a composition comprising a glass, then heating together the first and second structures and the first amount of the composition sufficiently to soften the first amount of the composition such that the first and second structures, under gravity or an otherwise applied force, move toward each other, such that the pattern of the second surface is formed into the first amount of the composition, then cooling the composition sufficiently to stabilize it, the second structure comprising porous carbon having an open porosity of at least 5% and wherein the amount of the composition is removable from the second surface, without damage to the amount of the composition or to the second surface, such that the second surface is in condition for re-use.

    Abstract translation: 用于模制玻璃和玻璃复合材料的方法,包括提供具有第一表面的第一结构,提供具有第二表面的第二结构,第二表面被图案化和多孔化,并且在第一表面和第二表面之间设置一定量的组合物, 玻璃,然后将第一和第二结构和第一量的组合物充分加热以软化第一量的组合物,使得第一和第二结构在重力或以其他方式施加的力下朝向彼此移动,使得 将第二表面的图案形成为第一量的组合物,然后充分冷却组合物以使其稳定,第二结构包括具有至少5%的开放孔隙率的多孔碳,并且其中组合物的量可从 第二表面,而不损害组合物的量或第二表面,使得第二表面是 在重新使用的条件下。

    웨이퍼 레벨 허메틱 실링 방법
    205.
    发明公开
    웨이퍼 레벨 허메틱 실링 방법 失效
    密封水平仪的方法

    公开(公告)号:KR1020020064824A

    公开(公告)日:2002-08-10

    申请号:KR1020010005256

    申请日:2001-02-03

    Abstract: PURPOSE: A method for sealing a wafer level hermetic is provided to reduce the influence of moisture or grain by sealing with a wafer level. CONSTITUTION: A method for sealing a wafer level hermetic comprises a first step(S1) respectively manufacturing semiconductor devices on a wafer, a second step(S2) forming a lead wafer, a third step(S3) forming connection parts made of solders formed on defined portions on the wafer or the lead wafer, a fourth step(S4) sealing the wafer and the lead wafer using the connection parts and the last step(S5) dicing the wafer level device performed with a sealing step(S4) by the chip. At this point, the connection parts having a melting temperature in the range of 100-300 deg.C are made of In, Sn, Ag, Pb, Sn, Au, Bi, Sb, Cd or Cu.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于密封晶片级密封件的方法,以通过用晶片级密封来减少水分或颗粒的影响。 构成:用于密封晶片级密封件的方法包括:分别在晶片上制造半导体器件的第一步骤(S1),形成引线晶片的第二步骤(S2);形成由焊料制成的连接部分的第三步骤(S3) 限定部分在晶片或引线晶片上,第四步骤(S4)使用连接部件密封晶片和引线晶片,以及最后步骤(S5),通过芯片对密封步骤(S4)进行的晶片级装置的切割 。 此时,熔融温度在100〜300℃范围内的连接部分由In,Sn,Ag,Pb,Sn,Au,Bi,Sb,Cd或Cu构成。

    流体デバイス及び流体デバイスの製造方法
    207.
    发明专利
    流体デバイス及び流体デバイスの製造方法 审中-公开
    流体装置和制造流体装置的方法

    公开(公告)号:JP2016017890A

    公开(公告)日:2016-02-01

    申请号:JP2014141802

    申请日:2014-07-09

    Inventor: 井形 英資

    Abstract: 【課題】 接着接合法によって形成される流体デバイスにおいて、接着剤に内包された気泡が連結することによって発生する、接着層内での流路間の連通を低減する。 【解決手段】 第1の基板10と第2の基板11とを接着層12を介して接合することで形成されるマイクロ流体デバイス1は、第1のマイクロ流路131と第2のマイクロ流路132とを有する。マイクロ流体デバイス1は、接着層12における気泡の連通を低減する連通低減部100を有する。連通低減部100は、第1の基板10が有する凸部14によって接着層12が周囲よりも薄く配置された第1の領域101と、第1の領域101と並んで配置され、第1の基板10または第2の基板11の少なくとも一方が有する凹部15または貫通孔18によって接着層12が周囲よりも低密度に配置された第2の領域102と、を有する。 【選択図】 図1

    Abstract translation: 要解决的问题:为了减少粘合剂层内的流动通道之间的连通,由于粘合剂中包含的气泡被联接在通过粘合剂接合方法形成的流体装置中而发生。解决方案:一种微流体装置1,其通过将 第一基板10和第二基板11经由粘合剂层12具有第一微流通道131和第二微流通道132.微流体装置1具有通信减少单元100,用于减少在 通信还原单元100具有第一区域101,其中粘合剂层12通过第一基板10具有的突出部14设置在比周边更小的厚度上,第二区域102与第一区域 101,其中通过凹部15或第一基板10和/或第二基板11具有的开孔18,粘合剂层12以比周边更低的密度设置。选择的图:图1

    接合微小電気機械アセンブリ
    208.
    发明专利
    接合微小電気機械アセンブリ 有权
    粘结微电子组件

    公开(公告)号:JP2015133491A

    公开(公告)日:2015-07-23

    申请号:JP2015014260

    申请日:2015-01-28

    Abstract: 【課題】ダイ本体を有し、ダイ本体にはコンポーネントが接合されている、MEMSデバイスの再現性のいい製造方法を提案する。 【解決手段】ダイ本体は主表面180及び、主表面に隣接し、主表面より小さい側表面を有する。ダイ本体は側表面に流路出口を有し、コンポーネントは出口と流体流通可能な態様で連結されているノズルアウトレット210を有する。ダイ本体は側表面と異なる結晶構造を持ち、リセスやチャンバのような微細加工構造を有するシリコン基板をレーザ・ダイシングすることで形成する。ダイシング後、コンポーネントの接着、アクチュエータ175の形成を経てダイ150を形成する。 【選択図】図6

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种用于制造具有模具主体的MEMS器件的高度可再现的方法,所述模具具有与模具本体结合的部件。解决方案:模具主体具有主表面180和与主体相邻的侧表面 表面比主表面小。 模具主体包括在侧表面中的通道出口,并且部件包括以能够实现流体连通的方式连接到出口的喷嘴出口210。 该模体具有与侧面不同的晶体结构,并且通过激光切割具有诸如凹部或室的微细结构的硅衬底而形成。 在切割之后,通过部件的粘附和致动器175的形成来形成模具150。

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