Abstract:
2.1 Es soll ein besonders einfaches Verfahren der genannten Art angegeben werden, mit dem beliebige reliefartige Oberflächenstrukturen kontrolliert und gut reproduzierbar hergestellt werden können. 2.2 Dazu wird auf der Oberfläche des Substrats eine Photolackschicht mit einer reliefartigen Oberflächenstruktur, die im wesentlichen gleich der zu erzeugenden reliefartigen Oberflächenstruktur auf der Oberfläche des Substrat ist, erzeugt, und mit einem Abtragverfahren, das sowohl den Photolack als auch vom Photolack freies und/oder freiwerdendes Substratmaterial abträgt, der Photolack entfernt. 2.3 Anwendung überall dort, wo mikroskopisch reliefartig strukturierte Oberflächenstrukturen angewendet werden, wie in der Optik oder Mikromechanik.
Abstract:
A method and a device for transferring minute patterns (12) on the mask (11) to the substratum (17) by means of illuminating optical system (1-10) projecting beams of illuminating light onto the mask (11) and a projection aligner having a projection optical system (13) for projecting images of minute patterns (12) on the substratum (17). Beams of said illuminating light are thrown, as at least a pair of luminous fluxes slantwise facing the mask (11), through a pair of light transmitting windows (6a, 6b) of a spatial filter (6) onto the minute patterns (12), and, as a result, one of diffracted beams of the light of ± first orders caused by minute patterns (12) of the illuminated mask (11) and diffracted beams of zero order pass portions, equidistantly spaced apart from the optical axis of the projection optical system, of or near the Fourier transform surface (14) in the projection optical system (13) for minute patterns (12) on the mask (11) so that projected images may be formed to be sharp in contrast and high in resolution on the substratum (17) at a large focal depth.
Abstract:
In accordance with the invention, a workpiece is provided with a sloped surface of predetermined slope by the steps of: a) coating the workpiece with resist, b) exposing the resist-coated workpiece to activating radiation which varies linearly in the direction of slope, c) developing the exposed resist, and d) etching the resulting structure to form an intaglio pattern in the workpiece surface. In a preferred embodiment, the resist is positive working photoresist and the exposure is through an exposure mask comprising a sequence of triangles having their bases aligned along a line defining the higher edge of a downward sloped region and their apices extending along a line defining the lower edge. After development, the structure is reactively ion etched.
Abstract:
An exposure method wherein a mask (8) and a semiconductor wafer (1) are disposed opposed to each other in a close proximity relation in respect to Z-axis direction and wherein a pattern of the mask is printed on each of different shot areas of the semiconductor wafer in a step-and-repeat manner, with a predetermined exposure energy, is disclosed. In this method, the spacing between the mask and the wafer for the paralleling of them is made larger than the spacing therebetween as assumed at the time of mask-to-wafer alignment in respect to X-Y plane or the spacing between the mask and the wafer as assumed at the time of exposure of the wafer to the mask. After the paralleling of the mask and the wafer, the mask and the wafer are relatively moved closer to each other in the Z-axis direction and the alignment and exposure is performed. This ensures that the alignment and exposure is effected at an optimum spacing while, on the other hand, contact of the mask and the wafer at the time of paralleling is precluded.
Abstract:
A method and apparatus to expose photosensitive printing plates with a predetermined radiation density from the main side (top) and a predetermined radiation density from the back side (bottom). The method comprises executing the main exposure with a time delay after the back exposure. The time delay between back exposure and main exposure is optimized to create smaller stable single dot elements on the photosensitive printing plate after processing and smaller single element dot sizes printed on the print substrate.
Abstract:
A synthetic paper is manufactured with a method comprising the steps of: a) providing at least two types of photo-polymerizable monomers, b) exposing the volume to a three-dimensional light pattern to induce a polymerization reaction, and c) removing uncured monomer to create an open microstructure. The volume comprises at least one monomer comprising at least two thiol groups and at least one monomer comprising at least two carbon-carbon double bonds, where the ratio (r1) between the number of thiol groups and the number of carbon-carbon double bonds fulfils one of: 0.5 ≤ r1 ≤ 0.9 and 1.1 ≤ r1 ≤ 2. One advantage is that off stoichiometry creates an edge effect giving better defined boundaries between exposed and unexposed parts in the volume and giving a possibility to create thinner micro pillars. Another advantage is that it is easy to bind molecules to the surface to obtain desired surface properties.
Abstract:
Um bei einer Belichtungsanlage zum Erzeugen belichteter Strukturen in einer auf einem Objekt angeordneten fotosensitiven Schicht, umfassend eine Belichtungseinrichtung, wobei mit der Belichtungseinrichtung Belichtungsflecken positionsgesteuert auf der fotosensitiven Schicht erzeugbar sind, wobei die Belichtungseinrichtung mindestens eine eine Vielzahl von Belichtungsstrahlen erzeugende Belichtungseinheit aufweist, wobei mit jedem Belichtungsstrahl Belichtungsflecken erzeugbar sind, eine möglichst hohe Produktivität mit möglichst geringer Ausschussrate zu erreichen, wird vorgeschlagen, dass die Lichtleistung aller Belichtungsstrahlen durch mindestens einen jedem Belichtungsstrahl zugeordneten Sensorbereich von einer Belichtungsprüfeinheit erfassbar ist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer medizinischen Vorrichtung (1) mit Strukturelementen (2), umfassend folgende Verfahrensschritte: das Bereitstellen eines Substrates (3); Optionales Abscheiden einer Schicht aus einem Opfermaterial (4) auf dem Substrat (3); das Auftragen einer Fotolackschicht (5) auf das Substrat (3), insbesondere auf die Opfermaterialschicht (4), und Strukturieren der Fotolackschicht (5) gemäß der Form der herzustellenden Strukturelemente (2), so dass erste Freiräume (6) gebildet werden, die auf der Substrat (3) abgewandten Seite offen sind und durch Seitenflächen (7) der Fotolackschicht (5) begrenzt werden, wobei ein Winkel (8) zwischen den Seitenflächen (7) und dem Substrat (3) eingestellt wird; das Abscheiden von Opfermaterial (9), so dass in den ersten Freiräumen (6) erste Maskenelemente (10) aus Opfermaterial (9) gebildet werden, die an die Innenkontur (13) der ersten Freiräume (6) angepasst sind; das Entfernen der Fotolackschicht (5), so dass zweite Freiräume (11) zwischen den ersten Maskenelementen (10) gebildet werden; das Abscheiden, insbesondere physikalisches Gasphasenabscheiden, eines ersten Materials (12) der herzustellenden Vorrichtung (1) in den zweiten Freiräumen (11) und auf der Oberseite (33) der ersten Maskenelemente (10) und Abtragen des Opfermaterials (4, 9) und/oder Durchführen weiterer Prozessschritte.