公开(公告)号：JP2015018683A

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：JP2013145045

申请日：2013-07-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  Tokyo Electron Ltd

Inventor： KANEKO KAZUFUMI ,  IWAO TOSHIHIKO ,  KAWAKAMI SATOSHI

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32311 ,  H01J37/244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299

Abstract: 【課題】マイクロ波により励起されるプラズマの分布の均一性を保つこと。【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置は、処理空間を画成する処理容器と、処理空間に導入される処理ガスをプラズマ化するためのマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、マイクロ波を複数の導波管へ分配する分配器と、処理空間を密閉するように処理容器に設けられ、分配器によって複数の導波管へ分配されるマイクロ波を処理空間へ放射するアンテナと、複数の導波管の各々の電圧をモニタするモニタ部と、モニタ部によってモニタされた電圧のモニタ値と予め定められた電圧の基準値との差に対応する分配器の分配比の制御値を、差と、該差に対応する分配器の分配比の制御値とを対応付けて記憶する記憶部から取得し、取得した制御値に基づいて分配器の分配比を制御する制御部とを備えた。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：保持由微波激发的等离子体的均匀分布。解决方案：微波等离子体处理装置包括：限定处理空间的处理容器; 微波发生器，用于产生用于将引入到处理空间中的处理气体转换成等离子体的微波; 用于将微波分配到多个波导的分配器; 设置在所述处理容器上的天线，以封闭所述处理空间并适于将由所述分配器分配到所述多个波导的微波辐射到所述处理空间; 用于监视所述多个波导中的每一个的电压的监视器部分; 以及控制部分，用于从相关联地存储所述差异的存储部分获取与所述分配器的分配比率的控制值相对应的监视部分监测的电压的监测值与所述电压的预定参考值之间的差值 以及分配器的分配比率的控制值对应于差值，并且基于获取的控制值来控制分配器的分配比。

公开(公告)号：JP2013161960A

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：JP2012023038

申请日：2012-02-06

Applicant: Tokyo Electron Ltd ,  東京エレクトロン株式会社

Inventor： SHIOZAWA TOSHIHIKO ,  MIYAHARA JUNYA ,  FUJINO YUTAKA

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32311 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for forming a thin film having a thickness of 1 nm or less on the surface of a workpiece while controlling the thickness by utilizing plasma.SOLUTION: A plurality of microwaves 5 are introduced in a processing container 2 and, by using a plasma processing apparatus 1 of plasma generation system, plasma is generated while limiting the total power of the plurality of microwaves below 1 W/cmper area of a wafer W. In the plasma oxidation processing, rare gas for plasma generation and an oxygen-containing gas are used, the treatment temperature is set at 100°C or below, and the average oxidation rate during 30 seconds after start of microwave supply is set to 0.03 nm/sec or less. Impedance matching is not performed when igniting plasma by a plurality of microwaves, but performed when treating the wafer W by plasma.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在通过利用等离子体控制厚度的同时在工件表面上形成厚度为1nm以下的薄膜的方法和装置。解决方案：将多个微波5引入到 处理容器2，并且通过使用等离子体发生系统的等离子体处理装置1，产生等离子体，同时限制多个微波的总功率低于晶片W的1W / cmper面积。在等离子体氧化处理中，稀有气体用于 使用等离子体产生和含氧气体，处理温度设定为100℃以下，微波供给开始30秒后的平均氧化率为0.03nm /秒以下。 当通过多个微波点燃等离子体时，不进行阻抗匹配，而是通过等离子体处理晶片W时进行阻抗匹配。

公开(公告)号：JP2013012650A

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：JP2011145476

申请日：2011-06-30

Applicant: Tokyo Electron Ltd ,  東京エレクトロン株式会社

Inventor： IWASAKI MASAHIDE

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the occurrence of a micro wave leak trouble with reliability by effectively blocking micro waves from leaking into an RF power-supply line used for micro wave discharge in the line.SOLUTION: The micro wave plasma processing apparatus comprises: a chamber 10; and a power-supply rod 34 for applying RF waves to a susceptor 12 for RF biasing which has an upper end connected to a lower face central portion of the susceptor 12, and a lower end connected to an RF output terminal of a matching device in a matching unit 32. Between the bottom face of the chamber 10 and the matching unit 32, a cylindrical external conductor 38 surrounding the power-supply rod 34 serving as an internal conductor is provided, whereby a coaxial line path 36 is formed. The apparatus further comprise: a choke mechanism 40 provided on the coaxial line 36 for blocking the space propagation of undesired micro waves which have entered the line from a plasma generation space in the chamber 10.

Abstract translation: 要解决的问题：通过有效地阻止微波泄漏到用于线路中的微波放电的RF电源线中，以便可靠地防止微波泄漏的发生。 微波等离子体处理装置包括：室10; 以及用于将RF波施加到用于RF偏置的基座12的电源杆34，其具有连接到基座12的下表面中心部分的上端，以及连接到匹配装置的RF输出端子的下端 配合单元32.在室10的底面与匹配单元32之间，设置围绕作为内部导体的电源杆34的圆筒形外部导体38，由此形成同轴线路径36。 该装置还包括：扼流器机构40，其设置在同轴线36上，用于阻挡已经从腔室10中的等离子体产生空间进入线路的不想要的微波的空间传播。（C）2013，JPO和INPIT

公开(公告)号：JP2007073395A

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：JP2005260204

申请日：2005-09-08

Applicant: Tokyo Electron Ltd ,  東京エレクトロン株式会社

Inventor： KASAI SHIGERU ,  OSADA ISATERU

IPC: H01J23/34 ,  C23C16/511 ,  H01J9/42 ,  H01J23/04 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05B6/666 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/043

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microwave generator capable of precisely controlling filament temperature of a magnetron for realizing long service life of the magnetron.
SOLUTION: This microwave generator is provided with the magnetron 74 wherein a negative electrode 80 comprising a filament 78 and a positive electrode 82 comprising a cavity resonator 84 are arranged facing each other and which generates a microwave by oscillating when provided with a magnetic field, a filament power supply 98 supplying adjustable power to the filament, a filament current measuring part 100, a voltage measuring part 102 measuring the voltage applied to the filament, a resistance value calculation part 104 calculating a resistance value of the filament based on the measured current and voltage, a temperature calculation part 106 calculating the temperature of the filament based on the calculated resistance value and resistance-temperature dependence characteristics of the filament obtained in advance, and a power supply control part 110 controlling a filament power supply so that the temperature of the filament is kept within a prescribed temperature range.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够精确控制磁控管的灯丝温度的微波发生器，以实现磁控管的长期使用寿命。 解决方案：该微波发生器设置有磁控管74，其中包括细丝78的负极80和包括空腔谐振器84的正极82彼此面对布置，并且当设置有磁性时产生微波 向灯丝提供可调节功率的灯丝电源98，灯丝电流测量部分100，测量施加到灯丝​​上的电压的电压测量部分102，电阻值计算部分104，根据灯丝的电阻值计算灯丝的电阻值 测量电流和电压，温度计算部分106基于预先获得的细丝的计算的电阻值和电阻温度依赖特性来计算灯丝的温度;以及电源控制部分110，其控制灯丝电源，使得 灯丝的温度保持在规定的温度范围内。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP3751967B1

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：JP2004278051

申请日：2004-09-24

Applicant: 日本高周波株式会社

Inventor： 己拔 篠原

IPC: H03B9/10 ,  H01J23/34 ,  H05H1/46

CPC classification number: H03B9/10 ,  H01J23/34 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H05H1/46

Abstract: 【課題】周波数安定度がよく、出力電力を変化させても周波数が変動しないマグネトロン発振装置を実現する。
【解決手段】マグネトロン２と、マグネトロン２の出力電力を取り出すランチャー４と、ランチャー４の出力端に一端が接続されたインピーダンス発生器５と、インピーダンス発生器５の他端に接続された基準信号供給部６とを備える。 基準信号供給部６は、マグネトロン２の出力よりも低電力かつ周波数が安定した基準信号をマグネトロン２に供給するものである。 マグネトロン２は、基準信号の注入により基準信号の周波数に発振周波数が固定される。 インピーダンス発生器５は、マグネトロン２の負荷インピーダンスを調整することにより、マグネトロン２の発振周波数の変化幅を縮小することができる。
【選択図】 図１

公开(公告)号：JP2018125170A

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：JP2017016664

申请日：2017-02-01

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 岩尾 俊彦

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32311 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01J37/244 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68757 ,  H01L22/26

Abstract: 【課題】スロットアンテナを用いてマイクロ波プラズマを生成する場合に、高精度のプラズマ密度分布制御を行うことができる技術を提供する。 【解決手段】マイクロ波プラズマ源20は、マイクロ波を発振するとともに、マイクロ波の発振周波数が可変のマイクロ波発振器40と、マイクロ波発振器40で発振されたマイクロ波を伝播する導波路39,38,37と、導波路を伝播したマイクロ波をチャンバー1内に放射するスロットアンテナ31、およびスロットアンテナから放射されたマイクロ波を透過する誘電体からなるマイクロ波透過板28を有するアンテナ部30と、チャンバー1内にプラズマが生成されているときに、アンテナ部30のチャンバー外における複数の位置の温度を検出する温度検出器51,52と、温度検出器の検出信号に基づいて、プラズマ密度分布が所望の分布になるように、マイクロ波発振器40の発振周波数を制御する周波数制御器50とを有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6178140B2

公开(公告)日：2017-08-09

申请号：JP2013145045

申请日：2013-07-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 金子 和史 ,  岩尾 俊彦 ,  川上 聡

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32311 ,  H01J37/244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299

公开(公告)号：JP6162101B2

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：JP2014506921

申请日：2012-04-25

Applicant: サイレム・ソシエテ・プール・ラプリカション・アンデュストリエール・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・アン・エレクトロニック・エ・ミクロ・オンデ ,  SAIREM SOCIETE POUR L’APPLICATION INDUSTRIELLE DE LA RECHERCHE EN ELECTRONIQUE ET MICRO ONDES

Inventor： グランメンジュ、エイドリアン ,  ジャコミノ、ジャン—マリエ ,  ラドイウ、マリレナ ,  ラトラッセ、ルイ

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05B6/6447 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32678 ,  H05B6/664 ,  H05B6/74

公开(公告)号：JP6138653B2

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：JP2013210656

申请日：2013-10-08

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 申 ▲ゼ▼ ,  小野 哲郎 ,  安並 久夫

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01L21/02532

公开(公告)号：JP2017073339A

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：JP2015200878

申请日：2015-10-09

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 金子 和史 ,  小山 紘司

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/327

Abstract: 【課題】進行波のパワーの検出精度及び反射波のパワーの検出精度を向上させるプラズマ処理装置の提供。 【解決手段】プラズマ処理装置1では、マイクロ波生成部16とサーキュレータ25の第1ポート25aを接続する第1の導波管21に第1の方向性結合器80が設けられている。第1の方向性結合器80には第1の検出器82が接続されている。サーキュレータ25の第2ポート25bは第2の導波管22を介してプラズマ生成部に接続されている。また、サーキュレータ25の第3ポート25cとダミーロード24とを接続する第3の導波管23に第2の方向性結合器84が設けられている。第2の方向性結合器84には第2の検出器86が接続されている。 【選択図】図1