TFT基板、使用该TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法

    公开(公告)号:CN107210534B

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201680006409.1

    申请日:2016-10-06

    Abstract: TFT基板(101)具有排列在电介质基板(1)上的多个天线单位区域(U),包含发送接收区域和非发送接收区域,发送接收区域包含多个天线单位区域,非发送接收区域位于发送接收区域以外的区域,多个天线单位区域(U)各自具备:薄膜晶体管(10);第1绝缘层(11),其覆盖薄膜晶体管,且具有将薄膜晶体管(10)的漏极电极(7D)露出的第1开口部(CH1);以及贴片电极(15),其形成在第1绝缘层(11)上和第1开口部(CH1)内,电连接到薄膜晶体管的漏极电极(7D),贴片电极(15)包含金属层,金属层的厚度大于薄膜晶体管的源极电极(7S)和漏极电极(7D)的厚度。

    扫描天线
    222.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108604735A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201780011235.2

    申请日:2017-02-13

    Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单位(U)的扫描天线,包括:TFT基板(101),其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线和贴片电极(15);缝隙基板(201),其具有第二电介质基板(51)和缝隙电极(55);液晶层LC,其设置于TFT基板和缝隙基板之间;反射导电板(65);缝隙电极具有分别与贴片电极对应配置的缝隙(57),至少在排列所述天线单位(U)的区域中,所述第二电介质基板(51)的厚度小于所述第一电介质基板(1)的厚度。

    扫描天线及其制造方法
    223.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108432047A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201680076383.8

    申请日:2016-12-16

    Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单位U的扫描天线,包括:TFT基板(101),其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线和贴片电极(15);缝隙基板(201),其具有第二电介质基板(51)和形成于第二电介质基板的第一主面上的缝隙电极(55);液晶层LC,其设置于TFT基板和缝隙基板之间;反射导电板(65),其以隔着电介质层(54)与第二电介质基板(51)的与第一主面相反一侧的第二主面相对的方式配置;缝隙电极具有分别与贴片电极对应配置的缝隙,第二电介质基板(51)和缝隙电极(55)之间还具有由热固化类或光固化类的粘接材料形成的粘接层(92)。

    扫描天线及其制造方法
    224.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108140946A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201680059376.7

    申请日:2016-10-06

    Abstract: 扫描天线(1000B)具有:TFT基板(101),其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15);插槽基板(201),其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55);液晶层LC,其设置于TFT基板与插槽基板之间;以及反射导电板(65),扫描天线(1000B)具有多个扫描天线部分(1000Ba)~(1000Bd)贴合的拼接结构,多个扫描天线部分的每一个具有TFT基板部分及插槽基板部分,多个扫描天线部分在与相邻的扫描天线部分接合的边处,包含具有TFT基板部分比插槽基板部分突出的边的扫描天线部分和具有插槽基板部分比TFT基板部分突出的边的扫描天线部分。

    模具的再利用方法
    230.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106062257A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201580010932.7

    申请日:2015-02-27

    Abstract: 模具的再利用方法具有:工序(a),其准备模具(100u),该模具(100u)具有铝基材(12)、无机材料层(16)、铝残存层(18r)和多孔氧化铝层(14),铝基材(12)被实施了机械式镜面加工,无机材料层(16)形成于铝基材(12)的表面,铝残存层(18r)形成于无机材料层(16)上,多孔氧化铝层(14)形成于铝残存层(18r)上,多孔氧化铝层(14)是通过对铝膜(18)的表面进行阳极氧化而形成的,铝残存层(18r)是在铝膜(18)内未进行阳极氧化而残留的;工序(b),其通过对模具(100u)的铝残存层(18r)实质上完全进行阳极氧化而形成阳极氧化铝层(18a);以及工序(c),其在工序(b)后蚀刻阳极氧化铝层(18a)。

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