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公开(公告)号:TWI466605B
公开(公告)日:2014-12-21
申请号:TW098132856
申请日:2009-09-29
Applicant: 荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 克洛肯伯格 馬克 , KLOKKENBURG, MARK , 凡 漢克 傑洛德斯 堤杜斯 , VAN HECK, GERARDUS TITUS , 魯賓 艾瑞克 , RUBINGH, ERIC , 凡 雷門倫 提姆J , VAN LAMMEREN, TIM J. , 安卓森 悉洛尼門斯A J M , ANDRIESSEN, HIERONYMUS A. J. M.
IPC: H05K3/10
CPC classification number: B41J11/002
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公开(公告)号:TW201426920A
公开(公告)日:2014-07-01
申请号:TW102140687
申请日:2013-11-08
Applicant: 荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO , 校際微電子研究中心 , IMEC
Inventor: 史密茲 艾德斯格C P , SMITS, EDSGER CONSTANT PIETER , 珀英曲瑞 桑迪普M , PERINCHERY, SANDEEP MENON , 凡德布蘭德 傑若恩 , VAN DEN BRAND, JEROEN , 曼丹帕朗皮 拉節許 , MANDAMPARAMBIL, RAJESH , 西后 哈瑪納斯F M , SCHOO, HARMANNUS FRANCISCUS MARIA
CPC classification number: H01L24/83 , B23K35/02 , B23K35/26 , B23K35/262 , C09J5/06 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L21/4853 , H01L21/50 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L33/62 , H01L2021/60277 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/1111 , H01L2224/1133 , H01L2224/13005 , H01L2224/13111 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/14131 , H01L2224/27001 , H01L2224/29011 , H01L2224/29013 , H01L2224/29034 , H01L2224/73103 , H01L2224/73104 , H01L2224/742 , H01L2224/75252 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81862 , H01L2224/83192 , H01L2224/83224 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/381 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/2076 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本發明提供一種用於組裝一微電子組件之方法,其包含以下步驟:提供一導電晶粒接合材料,其包含一導電熱固性樹脂材料或以助熔劑為主之焊料及一與該導電熱塑性材料晶粒接合材料層相鄰之動態釋放層;及照射一雷射光束在與該晶粒接合材料層相鄰之該動態釋放層上;因此該動態釋放層被活化以將導電晶粒接合材料物質導向欲處理之墊結構,以便以一轉移之導電晶粒接合材料覆蓋該墊結構之一選擇部份;且其中該雷射光束之時間及能量受限,使得該晶粒接合材料物質保持熱固性。因此,可轉移黏著物質同時防止該黏著劑因在該轉移程序中過度熱暴露而失效。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用于组装一微电子组件之方法,其包含以下步骤:提供一导电晶粒接合材料,其包含一导电热固性树脂材料或以助熔剂为主之焊料及一与该导电热塑性材料晶粒接合材料层相邻之动态释放层;及照射一激光光束在与该晶粒接合材料层相邻之该动态释放层上;因此该动态释放层被活化以将导电晶粒接合材料物质导向欲处理之垫结构,以便以一转移之导电晶粒接合材料覆盖该垫结构之一选择部份;且其中该激光光束之时间及能量受限,使得该晶粒接合材料物质保持热固性。因此,可转移黏着物质同时防止该黏着剂因在该转移进程中过度热暴露而失效。
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公开(公告)号:TW201426711A
公开(公告)日:2014-07-01
申请号:TW102142802
申请日:2013-11-25
Applicant: 校際微電子中心 , IMEC , 荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 傑諾 珍 , GENOE, JAN
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G5/18 , G09G3/3283 , G09G2300/0852 , G09G2320/0693 , G09G2330/021
Abstract: 用於驅動一主動式矩陣顯示器(210)的數位驅動電路,包含以邏輯性方式組織成複數列與複數行的複數像素,每一像素均包含一發光元件(101),該複數行中之每一者均包含一電流驅動器(203)以驅動一預定電流通過對應之行,該預定電流正比於該行之中狀態是ON的像素之數目。該數位驅動電路另包含用以依序選擇該複數列之數位選擇線驅動電路(202),以及用以將數位影像碼寫入一選擇列中之像素的數位資料線驅動電路(201),同步於該數位選擇線驅動電路。
Abstract in simplified Chinese: 用于驱动一主动式矩阵显示器(210)的数码驱动电路,包含以逻辑性方式组织成复数列与复数行的复数像素,每一像素均包含一发光组件(101),该复数行中之每一者均包含一电流驱动器(203)以驱动一预定电流通过对应之行,该预定电流正比于该行之中状态是ON的像素之数目。该数码驱动电路另包含用以依序选择该复数列之数码选择线驱动电路(202),以及用以将数码影像码写入一选择列中之像素的数码数据线驱动电路(201),同步于该数码选择线驱动电路。
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公开(公告)号:TW201426710A
公开(公告)日:2014-07-01
申请号:TW102139514
申请日:2013-10-31
Applicant: 校際微電子中心 , IMEC , 荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 傑諾 珍 , GENOE, JAN
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3225 , G02F1/13 , G09G3/2003 , G09G3/2018 , G09G3/2025 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , G09G3/3266 , G09G3/36 , G09G3/3648 , G09G2300/08 , G09G2310/027 , G09G2310/0286 , G09G2310/061 , G09G2320/0247 , G09G2320/043 , G09G2330/02
Abstract: 一種用於一具有一預設的幀速率之主動式矩陣顯示器的數位驅動之方法係被描述。該顯示器係包含以複數個列以及複數個行組織的複數個像素。該方法係包含藉由一n位元的數位影像碼來表示在一幀內待被顯示的一影像的該複數個像素的每一個。該方法亦包含細分該影像幀成為子幀,該些子幀可具有實質相等的持續期間。在每個子幀內,該方法係包含依序地選擇該複數個列中的至少一列兩次。在一第一選擇之際,一第一數位碼係被寫入至該所選的列,並且在一第二選擇之際,一第二數位碼係被寫入至該所選的列。在該第二選擇以及該第一選擇之間有一預設的時間延遲。數位驅動電路亦被描述。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于一具有一默认的帧速率之主动式矩阵显示器的数码驱动之方法系被描述。该显示器系包含以复数个列以及复数个行组织的复数个像素。该方法系包含借由一n比特的数码影像码来表示在一帧内待被显示的一影像的该复数个像素的每一个。该方法亦包含细分该影像帧成为子帧,该些子帧可具有实质相等的持续期间。在每个子帧内,该方法系包含依序地选择该复数个列中的至少一列两次。在一第一选择之际,一第一数码码系被写入至该所选的列,并且在一第二选择之际,一第二数码码系被写入至该所选的列。在该第二选择以及该第一选择之间有一默认的时间延迟。数码驱动电路亦被描述。
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公开(公告)号:TW201349620A
公开(公告)日:2013-12-01
申请号:TW102105481
申请日:2013-02-18
Applicant: 荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 范 丹 布蘭德 傑羅恩 , VAN DEN BRAND, JEROEN , 威爾森 喬安 莎拉 , WILSON, JOANNE SARAH , 范 摩爾 安東尼 瑪莉亞 伯納得斯 , VAN MOL, ANTONIUS MARIA BERNARDUS , 荷姆士 多洛緹 克利斯汀 , HERMES, DOROTHEE CHRISTINE , 楊 愛德華 威廉 愛爾伯特 , YOUNG, EDWARD WILLEM ALBERT
CPC classification number: H01L51/5256 , H01L33/62 , H01L51/5203 , H01L51/5212 , H01L51/5228 , H01L51/5234 , H01L51/5271 , H01L51/56
Abstract: 一種光電裝置(10),包括一光電層結構(20),該光電層結構具有一陽極層(22)和陰極層(24),一光電層(26),該光電層設置於該陽極層和該陰極層之間,以及一光輸出側(28),該陽極層和該陰極層之該陰極層最靠近該光輸出側。一雙導電層結構(40)設置於該光電層結構之對側,該雙導電層結構具有一第一導電層(42)與一第二導電層(44),該第一導電層與該第二導電層藉由一第一絕緣層(46)彼此電性絕緣,該第一導電層與該第二導電層之該第一導電層最靠近該光電層結構。一第二絕緣層(50)設置於該光電層結構(20)和該雙導電層結構(40)之間,其中該第一導電層(42)藉由穿過該第二絕緣層之至少一第一橫向導電體(62)而與該陽極層(22)電性連接,且該第二導電層(44)藉由穿過該第一絕緣層(46)、該第一導電層(42)、該第二絕緣層(50)、該陽極層(22)與該光電層(26)之至少一第二橫向導電體(64)而與該陰極層(24)電性連接。
Abstract in simplified Chinese: 一种光电设备(10),包括一光电层结构(20),该光电层结构具有一阳极层(22)和阴极层(24),一光电层(26),该光电层设置于该阳极层和该阴极层之间,以及一光输出侧(28),该阳极层和该阴极层之该阴极层最靠近该光输出侧。一双导电层结构(40)设置于该光电层结构之对侧,该双导电层结构具有一第一导电层(42)与一第二导电层(44),该第一导电层与该第二导电层借由一第一绝缘层(46)彼此电性绝缘,该第一导电层与该第二导电层之该第一导电层最靠近该光电层结构。一第二绝缘层(50)设置于该光电层结构(20)和该双导电层结构(40)之间,其中该第一导电层(42)借由穿过该第二绝缘层之至少一第一横向导电体(62)而与该阳极层(22)电性连接,且该第二导电层(44)借由穿过该第一绝缘层(46)、该第一导电层(42)、该第二绝缘层(50)、该阳极层(22)与该光电层(26)之至少一第二横向导电体(64)而与该阴极层(24)电性连接。
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公开(公告)号:TW201347263A
公开(公告)日:2013-11-16
申请号:TW101144423
申请日:2012-11-28
Applicant: 荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO , 荷蘭皇家飛利浦電子公司 , KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N. V.
Inventor: 威舒倫 柯恩 , VERSCHUREN, COEN , 范 摩爾 安東尼 瑪莉亞 伯納得斯 , VAN MOL, ANTONIUS MARIA BERNARDUS , 范 特 威捷爾 彼得 , VAN DE WEIJER, PETER
CPC classification number: H01L51/5259 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2251/568
Abstract: 本發明關於一種密封式薄膜裝置(10、12、14、15、16、17、18);關於一種修復一密封層(20)的方法,該密封層(20)施加至一薄膜裝置(30)來產生該密封式薄膜裝置;關於一種修復該密封層的系統(200),該密封層施加至該薄膜裝置來產生該密封式薄膜裝置;且關於一種電腦程式產品。密封式薄膜裝置包含一薄膜裝置,且一密封層施加在該薄膜裝置上來保護該薄膜裝置免受環境影響。該密封層包含至少一第一與一第二障壁層(22、24),且一吸氣劑層(25)設置於該第一與該第二障壁層之間。該密封式薄膜裝置另包含局部施加的修復材料(40;42、44),用於密封在該等障壁層的該外側一者(22)中的一局部裂口(50)。該密封式薄膜裝置的功效是改善該密封式薄膜裝置的操作壽命。另外,改善了密封式薄膜裝置的產量。
Abstract in simplified Chinese: 本发明关于一种密封式薄膜设备(10、12、14、15、16、17、18);关于一种修复一密封层(20)的方法,该密封层(20)施加至一薄膜设备(30)来产生该密封式薄膜设备;关于一种修复该密封层的系统(200),该密封层施加至该薄膜设备来产生该密封式薄膜设备;且关于一种电脑进程产品。密封式薄膜设备包含一薄膜设备,且一密封层施加在该薄膜设备上来保护该薄膜设备免受环境影响。该密封层包含至少一第一与一第二障壁层(22、24),且一吸气剂层(25)设置于该第一与该第二障壁层之间。该密封式薄膜设备另包含局部施加的修复材料(40;42、44),用于密封在该等障壁层的该外侧一者(22)中的一局部裂口(50)。该密封式薄膜设备的功效是改善该密封式薄膜设备的操作寿命。另外,改善了密封式薄膜设备的产量。
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公开(公告)号:TW201321548A
公开(公告)日:2013-06-01
申请号:TW101128720
申请日:2012-08-09
Applicant: 荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 納潘 雷蒙德 傑可比斯 威廉 , KNAAPEN, RAYMOND JACOBUS WILHELMUS , 歐萊斯拉爵兒斯 路易 , OLIESLAGERS, RUUD , 范 德 貝爾格 丹尼斯 , VAN DEN BERG, DENNIS , 范 德 波爾 瑪提吉斯C , VAN DEN BOER, MATIJS C. , 瑪斯 迪德里克 珍 , MAAS, DIEDERIK JAN , 范 迪兒 當肯 傑克 可兒 強漢 , VAN DER DONCK, JACQUES COR JOHAN , 盧傑朋 佛萊迪 , ROOZEBOOM, FREDDY
IPC: C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C16/45589 , C23C16/4401 , C23C16/4409 , C23C16/45517 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45587 , C23C16/4586 , C23C16/4588 , C23C16/52 , C23C16/545
Abstract: 在基板上沉積原子層之方法,上述方法包括供應前驅氣體,來自可以是可旋轉鼓狀物的一部分之沉積頭的前驅氣體供應器,從上述前驅氣體供應器對基板提供前驅氣體;上述方法更包括移動上述前驅氣體供應器,係沿著上述基板旋轉上述沉積頭,輪到的上述基板沿著旋轉鼓狀物移動;上述方法更包括在以下兩者之間切換:從前驅氣體供應器對基板供應上述前驅氣體,在旋轉軌道的第1部分上;以及中斷從前驅氣體供應器供應上述前驅氣體,在旋轉軌道的第2部分上。
Abstract in simplified Chinese: 在基板上沉积原子层之方法,上述方法包括供应前驱气体,来自可以是可旋转鼓状物的一部分之沉积头的前驱气体供应器,从上述前驱气体供应器对基板提供前驱气体;上述方法更包括移动上述前驱气体供应器,系沿着上述基板旋转上述沉积头,轮到的上述基板沿着旋转鼓状物移动;上述方法更包括在以下两者之间切换:从前驱气体供应器对基板供应上述前驱气体,在旋转轨道的第1部分上;以及中断从前驱气体供应器供应上述前驱气体,在旋转轨道的第2部分上。
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公开(公告)号:TW201307187A
公开(公告)日:2013-02-16
申请号:TW101121259
申请日:2012-06-14
Applicant: 荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO , 跨大學校際微電子研究中心 , IMEC
Inventor: 史密茲 艾德斯格 , SMITS, EDSGER , 史修 哈馬努斯 法蘭西克斯 瑪麗亞 , SCHOO, HARMANNUS FRANCISCUS MARIA , 史帕錫 奧思突齊 , TRIPATHI, ASHUTOSH , 葛琳克 覺文 賀瑪努斯 , GELINCK, GERWIN HERMANUS , 凡 德 布敦 拔斯 , VAN DER PUTTEN, BAS
IPC: B81C1/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01061 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015
Abstract: 本發明揭露一種薄膜電晶體之製造方法,包括:於基板上形成厚度小於20奈米之氧化物半導體通道層;於通道層之對側上形成源極及汲極電極;及於通道層上施加氧化劑。另一方面,本發明揭露一種薄膜電晶體之製造方法,包括:於基板上形成氧化物半導體通道層;於通道層之對側上形成源極及汲極電極;於通道層上施加氧化劑;及於通道層上形成自聚性單層膜(SAM),其中,自聚性單層膜包括一無反應鏈,係具有對該氧化物半導體無氧化性之一末端基。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种薄膜晶体管之制造方法,包括:于基板上形成厚度小于20奈米之氧化物半导体信道层;于信道层之对侧上形成源极及汲极电极;及于信道层上施加氧化剂。另一方面,本发明揭露一种薄膜晶体管之制造方法,包括:于基板上形成氧化物半导体信道层;于信道层之对侧上形成源极及汲极电极;于信道层上施加氧化剂;及于信道层上形成自聚性单层膜(SAM),其中,自聚性单层膜包括一无反应链,系具有对该氧化物半导体无氧化性之一末端基。
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239.積層裝置及用於積層的方法 LAMINATING DEVICE AND METHOD FOR LAMINATING 审中-公开
Simplified title: 积层设备及用于积层的方法 LAMINATING DEVICE AND METHOD FOR LAMINATING公开(公告)号:TW200918314A
公开(公告)日:2009-05-01
申请号:TW097124497
申请日:2008-06-30
Applicant: 荷蘭TNO自然科學組織公司 NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 艾克 傑克 狄 佛瑞斯 DE VRIES, IKE GERKE
CPC classification number: B32B38/1841 , B32B38/04 , B32B38/1875 , Y10T156/1062
Abstract: 所描述的一種方法係用於將至少一個積層用箔片(L1)的材料提供給一個基材箔片(L0)。該方法包含有提供該基材箔片(L0)以及該積層用箔片(L1)的步驟,以後續地應用在該積層用箔片(L1)之中的弱化部位(100)。該等弱化部位係在一個橫向於該積層用箔片之一個縱向方向的橫向方向(Dtr)之中延伸,並且沿著該縱向方向以間隔分隔開。該等弱化部位所具有的一個寬度(w)大致上小於前述間隔的長度(���),提供一個在縱向方向(Dlong)中的張力到該積層用箔片(L1)。藉此該積層用箔片(L1)是在該等弱化部位之中被伸長,將已伸長的積層用箔片(L1)接附到該基材箔片(L0)。
Abstract in simplified Chinese: 所描述的一种方法系用于将至少一个积层用箔片(L1)的材料提供给一个基材箔片(L0)。该方法包含有提供该基材箔片(L0)以及该积层用箔片(L1)的步骤,以后续地应用在该积层用箔片(L1)之中的弱化部位(100)。该等弱化部位系在一个横向于该积层用箔片之一个纵向方向的横向方向(Dtr)之中延伸,并且沿着该纵向方向以间隔分隔开。该等弱化部位所具有的一个宽度(w)大致上小于前述间隔的长度(���),提供一个在纵向方向(Dlong)中的张力到该积层用箔片(L1)。借此该积层用箔片(L1)是在该等弱化部位之中被伸长,将已伸长的积层用箔片(L1)接附到该基材箔片(L0)。
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240.用於電子薄膜裝置之封裝 ENCAPSULATION FOR AN ELECTRONIC THIN FILM DEVICE 审中-公开
Simplified title: 用于电子薄膜设备之封装 ENCAPSULATION FOR AN ELECTRONIC THIN FILM DEVICE公开(公告)号:TW200915635A
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:TW097118727
申请日:2008-05-21
Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , 荷蘭應用科學研究院 NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 馬丁諾斯 賈克柏 强漢那斯 漢克 HACK, MARTINUS JACOBUS JOHANNES , 湯瑪斯 尼可拉斯 馬利亞 伯那斯 BERNARDS, THOMAS NICOLAAS MARIA , 彼得 凡 迪 維傑 VAN DE WEIJER, PETER
IPC: H01L
CPC classification number: H01L51/5256
Abstract: 本發明係關於用於電子薄膜裝置之封裝,該封裝包含第一障壁層(108)、第二障壁層(112)及用於減少下一障壁層中針孔形成的第一平坦化層(110'),該第一平坦化層(110')配置於第一障壁層(108)與第二障壁層(112)之間,其中第一平坦化層(110')包含第一複數個彼此之間形成有區域的平坦化區段(114),且該封裝進一步包含配置於第二障壁層(112)與第三障壁層(120)之間的第二平坦化層(116),其中第二平坦化層(116)包含第二複數個平坦化區段(118),該等平坦化區段(118)經配置以於第一複數個平坦化區段(114)之間的區域上方展延,從而進一步減少提供穿過封裝之通道之針孔的數目。根據本發明,藉由將障壁層與平坦化層以水平多層封裝堆疊配置,其中各層中之平坦化區段彼此間基本上分隔且彼此間實際上不互連,可限制水及氧側向輸送穿過平坦化層。事實上,若水/氧進入頂部障壁層且最終進入平坦化區段,則其被包含於平坦化區段之“球體"中,從而使進入下一障壁層之針孔中的可能性最小。本發明亦係關於用於電子薄膜裝置之封裝的相應形成方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于用于电子薄膜设备之封装,该封装包含第一障壁层(108)、第二障壁层(112)及用于减少下一障壁层中针孔形成的第一平坦化层(110'),该第一平坦化层(110')配置于第一障壁层(108)与第二障壁层(112)之间,其中第一平坦化层(110')包含第一复数个彼此之间形成有区域的平坦化区段(114),且该封装进一步包含配置于第二障壁层(112)与第三障壁层(120)之间的第二平坦化层(116),其中第二平坦化层(116)包含第二复数个平坦化区段(118),该等平坦化区段(118)经配置以于第一复数个平坦化区段(114)之间的区域上方展延,从而进一步减少提供穿过封装之信道之针孔的数目。根据本发明,借由将障壁层与平坦化层以水平多层封装堆栈配置,其中各层中之平坦化区段彼此间基本上分隔且彼此间实际上不互连,可限制水及氧侧向输送穿过平坦化层。事实上,若水/氧进入顶部障壁层且最终进入平坦化区段,则其被包含于平坦化区段之“球体"中,从而使进入下一障壁层之针孔中的可能性最小。本发明亦系关于用于电子薄膜设备之封装的相应形成方法。
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