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公开(公告)号：KR101323190B1
公开(公告)日：2013-11-04
申请号：KR1020110101510
申请日：2011-10-05
Applicant: 주식회사 케이엠더블유
CPC classification number: H01P1/201 , H01P1/2086 , H01P7/105
Abstract: 본 발명은 다중모드 공진 필터에 있어서, 공동(cavity)을 가지는 하우징과,
상기 하우징의 공동에 수용되는 유전체 공진소자와, 상기 유전체 공진기의 중심점을 기준으로 서로 독립적으로 직교하는 제1축, 제2축 및 제3축 중에서, 하나의 축 상에 존재하는 일 지점과 다른 하나의 축 상에 존재하는 일 지점을 연결하는 복수의 전송라인들을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020050093922A
公开(公告)日：2005-09-23
申请号：KR1020040018886
申请日：2004-03-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01P1/20
Abstract: 본 발명은 전파전파 기술분야 중 마이크로웨이브 및 밀리미터웨이브용 도파관 필터에 관한 것으로서, 구형 도파관 내에 페라이트로 채워진 다수의 그루브들을 구비한 주파수 대역 조정용 노치필터에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전자파가 통과하는 구형 도파관을 포함하는 주파수 대역 조정용 노치필터는, 상기 구형 도파관 내부의 한 면에 상기 전자파의 진행방향을 따라 형성되고 페라이트로 채워진 다수의 구형 그루브와; 상기 구형 도파관 내부에 형성된 다수의 구형 그루브에 상기 전자파의 진행방향과 수직한 방향으로 정자장을 인가하는 정자장인가수단을 구비하여, 상기 다수의 구형 그루브에 인가되는 상기 정자장의 세기에 따라 제거 대역이 변하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100337168B1
公开(公告)日：2002-05-18
申请号：KR1019990014418
申请日：1999-04-22
Applicant: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
CPC classification number: H01P7/10 , H01P1/201 , H01P1/2084
Abstract: 본발명의유전체공진기장치는서로대향하고실질적으로동일한형상및 크기를갖는전극비형성부들을구비하고유전체판의대향하는주면상에형성되는전극을포함한다. 서로대향하는전극비형성부들의사이에배치되는유전체판의부분은유전체공진기부분으로서이용된다. 또, 이러한유전체공진기장치의특성은유전체공진기부분의내부또는인접한유전체공진기부분들사이에유전체칩들을부착하여조정한다. 상술한구성에의해, 무부하 Q특성을저하시키지않고유전체공진기장치의특정조정을행할수 있도록하고, 이러한소형의유전체공진기장치를이용하여특성이우수한소형의송수신공유기및 통신기등의전자기기를제공한다.
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公开(公告)号：JP6284948B2
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：JP2015546819
申请日：2013-10-10
Applicant: ゼットティーイー コーポレーション , ZTE CORPORATION
CPC classification number: H01P1/2084 , H01P1/2002 , H01P1/201 , H01P7/10 , H01P11/008 , Y10T29/49018
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公开(公告)号：JP6238175B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2015512304
申请日：2014-04-14
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
CPC classification number: H01P1/201 , H01L23/49822 , H01L23/66 , H01L25/0655 , H01P1/20345 , H01P1/20381 , H01P7/10 , H02J50/12 , H02J50/70 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L2924/15311 , H01L2924/19107 , H01P5/187 , H02J17/00
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2017208806A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2017069150
申请日：2017-03-30
Applicant: パナソニック株式会社
IPC: H04B5/02
CPC classification number: H01L23/49575 , H01F38/14 , H01L23/495 , H01L23/49541 , H01L23/5227 , H01L25/00 , H01P1/201 , H01P5/028 , H04B5/0025 , H04B5/0093 , H01L21/565 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L23/49551 , H01L2924/01079 , H01P7/08
Abstract: 【課題】小型化が容易な信号伝送装置を提供する。 【解決手段】信号伝送装置は、第一リードフレームと、第一リードフレームから離間する第二リードフレームと、第一リードフレームに電気的に接続される一次側半導体チップと、第二リードフレームに電気的に接続される二次側半導体チップと、一次側半導体チップに電気的に接続される送信部および二次側半導体チップに電気的に接続される受信部を含み、かつ、送信部から受信部に信号を絶縁伝送する信号絶縁器とを備える。信号絶縁器は、第一リードフレーム及び第二リードフレームに接合される第一主面を有する。 【選択図】図6B
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公开(公告)号：JP2016225894A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015111976
申请日：2015-06-02
Applicant: 東光株式会社
Inventor： 谷田部 主一
CPC classification number: H01P1/2002 , H01P1/201 , H01P1/2088 , H01P1/213 , H01P7/10
Abstract: 【課題】くびれ部を設けた誘電体導波管フィルタの共振器を並べる際に、結合窓の位置のずれを生じない誘電体フィルタを提供する。 【解決手段】基板上60に配置され、誘電体を導体層で被覆して、1つ以上の共振器11、12、13、21、22、23を一体に形成した複数の共振器群10、20からなる。複数の共振器群10、20のうち少なくとも一組の共振器群10、20は、底面に誘電体が露出する導波管側スロット51、52をそれぞれ具える。基板60は、表面と裏面の導体パターン61、62と、表面と裏面の導体パターン61、62を接続するビアホール80aとで囲繞されたキャビティ90を具える。キャビティ90は、一組の共振器群10の導波管側スロット51、52が対向する位置に、コア材63が露出する一組の基板側スロット81、82が設けられ、一組の共振器群10、20は、キャビティ90を介して結合する。 【選択図】図1
Abstract translation: 排列的收缩部分时提供与所述电介质波导滤波器的谐振器，以提供一种介质滤波器，其不引起耦合窗的位置的位移。 一个设置的基板60，覆盖有导电层，一个或多个多个共振器组10中的谐振器11,12,13,21,22,23的电介质被一体形成， 由20的。 至少一组共振器组10，多个谐振器组10中的20和20的包括波导侧槽51，52的电介质的底部露出，分别。 衬底60包括前表面和导体图案61和62，这是由连接所述正面和背面的导体图案61和62的表面上通孔80A所包围的空腔90的背面。 空腔90是在一个位置波导侧槽51，一对共振器组10的52对置，一对基板侧槽81，82的芯材63露出设置，一组谐振器的 组10，20通过的腔体90附接。 点域1
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公开(公告)号：JP2016025461A
公开(公告)日：2016-02-08
申请号：JP2014148060
申请日：2014-07-18
Applicant: アンリツ株式会社
Abstract: 【課題】第2導波管を構成する第2導波路形成体の変形を起こさせないフラットなフランジ構造で、外部回路との接続が容易に行なえるようにする。 【解決手段】第2導波管30を構成する第2導波路形成体32の端面32bは、第2導波路30bの開口を含み、第2導波路30bの口径に対して所定規格のフランジ構造で規定された突出部と同等の広さの中央領域33の高さを基準面とし、中央領域33の外側の領域で、且つ前記フランジ構造で規定されたネジ穴形成位置を含む領域に、基準面に対して前記フランジ構造で用いるネジ205のネジ部の長さより深く陥没する陥没部32eが設けられ、その陥没部32e内のネジ穴形成位置に接続されるべき外部回路200をネジ止めするためのネジ穴32dが設けられていて、陥没部32eを除く領域で、且つ中央領域33からみてネジ穴形成位置より遠い領域の高さを基準面に一致させている。 【選択図】図3
Abstract translation: 要解决的问题：能够容易地与形成第二波导的第二波导形成体的平面法兰结构中的外部电路连接变形。解决方案：形成第二波导管30的第二波导形成体32的端面32b 包括第二波导30b的开口，并且将由预定标准的凸缘结构规定的突起宽度的中心区域33的高度定义为第二波导30b的孔的参考表面。 在中心区域33的外侧并具有由凸缘结构规定的螺纹孔形成位置的区域中，设置凹部32e，其比在法兰结构体中使用的螺钉205的螺纹部的长度更深地凹入。 螺纹孔32d设置用于穿过在凹部32e内的螺纹孔形成位置处应连接的外部电路200以及从凹部32e除去的区域中的高度，而不是螺纹孔形成位置 中央区域33与参考表面匹配。选择图：图3
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公开(公告)号：JPWO2013018674A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：JP2013526869
申请日：2012-07-27
Applicant: 株式会社村田製作所
IPC: H04B1/44
CPC classification number: H03H11/02 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/642 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01L2223/6611 , H01L2223/6644 , H01L2223/6672 , H01L2224/48091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01P1/201 , H01Q1/50 , H03H7/0115 , H03H7/1708 , H03H7/1775 , H03H7/463 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078 , H04B1/0458 , H04B1/18 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 高周波モジュール(10)は、外部回路基板(300)上にワイヤボンディングによって実装した半導体チップ素子(20)を備える。半導体チップ素子(20)には、能動素子であるFET群によって実現されるスイッチ形成部(101)、パワーアンプ形成部(102)、ローノイズアンプ形成部(103)が形成されている。さらに、半導体チップ素子(20)には、キャパシタ(121,122,123)を形成する平板電極が形成されている。外部回路基板(300)と半導体チップ素子20とを接続する導電性ワイヤ(211,212,213)は、インダクタとしても機能する。これにより、インダクタとキャパシタとを備える受動素子群が形成される。その結果、必要な伝送特性を得ながら小型化が可能な高周波モジュールを提供することができる。
Abstract translation: 高频模块（10）包括安装在由引线接合在外部电路板（300）（20）的半导体芯片元件。 一种半导体芯片，装置（20）中，由FET组实现的开关形成部分是有源元件（101），功率放大器形成部（102），所述低噪声放大器形成部（103）形成。 此外，半导体芯片装置（20），所形成的形成电容器（121，122，123）的平板电极。 连接到外部电路板（300）和半导体芯片元件20（211，212，213）还起到作为电感器的导线。 因此，包括一个电感器和电容器无源元件组形成。 其结果，能够提供一种能够同时获得所需的传输特性的小型化的高频模块。
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公开(公告)号：JP3958351B2
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：JP2006535679
申请日：2006-06-12
Applicant: 松下電器産業株式会社
CPC classification number: H01P1/201 , H01P1/203 , H05K1/0219 , H05K1/0237 , H05K2201/09236 , H05K2201/09781
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