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公开(公告)号:TWI668772B
公开(公告)日:2019-08-11
申请号:TW102146588
申请日:2013-12-17
Applicant: 荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO , 漢高公司 , HENKEL AG & CO. KGAA
Inventor: 范登布蘭德 傑洛恩 , VAN DEN BRAND, JEROEN , 斯利哈 亞休克 , SRIDHAR, ASHOK , 海肯斯 安賈 , HENCKENS, ANJA , 德瑞森 剛瑟 , DREEZEN, GUNTHER
IPC: H01L21/60
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公开(公告)号:TWI666450B
公开(公告)日:2019-07-21
申请号:TW104113398
申请日:2015-04-27
Applicant: 荷蘭商荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 沙地海恩瑪納尼 哈美德 , SADEGHIAN MARNANI, HAMED , 卡美爾 葛利登F I , KRAMER, GEERTEN FRANS IJSBRAND , 范登杜爾 登尼斯C , VAN DEN DOOL, TEUNIS CORNELIS
IPC: G01Q10/00
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公开(公告)号:TWI664734B
公开(公告)日:2019-07-01
申请号:TW102122061
申请日:2013-06-21
Applicant: 比利時商愛美科公司 , IMEC , 荷蘭應用自然科學研究組織 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO , 比利時魯汶天主教大學 , KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN
Inventor: 南格 馬諾伊 , NAG, MANOJ , 史多德 席倫 , STEUDEL, SOEREN
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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公开(公告)号:TW201841322A
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:TW107105597
申请日:2018-02-14
Applicant: 荷蘭商荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 凡亥克 吉拉德斯 T. , VAN HECK, GERARDUS TITUS , 巴應克 馬可 , BARINK, MARCO , 迪寇克 瑪格瑞塔 M. , DE KOK, MARGARETHA MARIA
IPC: H01L23/498 , H05K1/02
Abstract: 本揭示有關於一種可撓電子電路及製造方法。具有多數導電線路之一可撓基材具有一剛性電子組件。該組件包含在兩側上之電接頭。該等導電線路透過一弧形段與該等接頭連接,該弧形段起源於該等接頭之各側但部份地渦旋環繞該組件而沿著分開該等接頭之一中心線接近該組件。
Abstract in simplified Chinese: 本揭示有关于一种可挠电子电路及制造方法。具有多数导电线路之一可挠基材具有一刚性电子组件。该组件包含在两侧上之电接头。该等导电线路透过一弧形段与该等接头连接,该弧形段起源于该等接头之各侧但部份地涡旋环绕该组件而沿着分开该等接头之一中心线接近该组件。
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245.用以判定多層半導體裝置之第一裝置層和第二裝置層之間的疊置或對準錯誤之系統與方法 审中-公开
Simplified title: 用以判定多层半导体设备之第一设备层和第二设备层之间的叠置或对准错误之系统与方法公开(公告)号:TW201831894A
公开(公告)日:2018-09-01
申请号:TW107101279
申请日:2018-01-12
Applicant: 荷蘭商荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 納法洛帕瑞德斯 維爾雷塔 , NAVARRO PAREDES, VIOLETA , 范艾斯 馬汀 H. , VAN ES, MAARTEN HUBERTUS , 沙地海恩瑪納尼 哈美德 , SADEGHIAN MARNANI, HAMED
Abstract: 本文獻係有關於一種使用原子力顯微系統判定多層半導體裝置之第一裝置層和第二裝置層之間的疊置或對準錯誤之方法。該系統包含包括一探針的一掃描頭。該探針包括一懸臂樑與一探針尖端。該方法包含:使該探針尖端與該半導體裝置彼此相對移動以便用該探針尖端掃描該半導體裝置的該表面,其中,該探針尖端在掃描期間間歇地或連續地與該表面接觸。在掃描期間,信號施加致動器施加一聲音輸入信號至該基板,且用一尖端位置偵測器監控該探針尖端的運動以便取得將會被分析用以映射在不同裝置層中之次表面結構的一輸出信號。該信號施加致動器包括一剪力波致動器以在該基板中施加一剪力聲波。該輸出信號表示該探針尖端的扭轉偏折。本文獻進一步描述一種系統。
Abstract in simplified Chinese: 本文献系有关于一种使用原子力显微系统判定多层半导体设备之第一设备层和第二设备层之间的叠置或对准错误之方法。该系统包含包括一探针的一扫描头。该探针包括一悬臂梁与一探针尖端。该方法包含:使该探针尖端与该半导体设备彼此相对移动以便用该探针尖端扫描该半导体设备的该表面,其中,该探针尖端在扫描期间间歇地或连续地与该表面接触。在扫描期间,信号施加致动器施加一声音输入信号至该基板,且用一尖端位置侦测器监控该探针尖端的运动以便取得将会被分析用以映射在不同设备层中之次表面结构的一输出信号。该信号施加致动器包括一剪力波致动器以在该基板中施加一剪力声波。该输出信号表示该探针尖端的扭转偏折。本文献进一步描述一种系统。
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公开(公告)号:TWI632553B
公开(公告)日:2018-08-11
申请号:TW104104504
申请日:2015-02-11
Applicant: 比利時商愛美科公司 , IMEC VZW , 荷蘭應用科學研究院 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 曼尼 克里斯 喬夫 瑞亞 , MYNY, KRIS JEF RIA , 吉林克 喬溫 , GELINCK, GERWIN , 吉諾 傑 , GENOE, JAN
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公开(公告)号:TWI606598B
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:TW101117965
申请日:2012-05-21
Applicant: 荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 楊 愛德華 威廉 愛爾伯特 , YOUNG, EDWARD WILLEM ALBERT
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H02S40/00 , H01L27/301 , H01L31/0504 , Y02E10/50 , Y02P70/521
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248.判定疊覆誤差的方法、製造多層半導體裝置的製造方法與系統及藉此製成的半導體裝置 审中-公开
Simplified title: 判定叠覆误差的方法、制造多层半导体设备的制造方法与系统及借此制成的半导体设备公开(公告)号:TW201729004A
公开(公告)日:2017-08-16
申请号:TW105136106
申请日:2016-11-07
Applicant: 荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 庫柏爾 史蒂芬 , KUIPER, STEFAN , 范茲韋格 艾文 J. , VAN ZWET, ERWIN JOHN , 包馬爾 史蒂芬 M. B. , BAUMER, STEFAN MICHAEL BRUNO , 沙地海恩瑪納尼 哈美德 , SADEGHIAN MARNANI, HAMED
CPC classification number: H01L22/12 , G03F7/70633 , H01L22/20
Abstract: 本文件描述一種在製造一多層半導體裝置時判定一疊覆誤差的方法。該半導體裝置的製造包含形成一疊材料層,包含沉積至少二接續的半導體材料之圖案化層,該等圖案化層包含一第一圖案化層具有一第一標記元件及一第二圖案化層具有一第二標記元件。該疊覆誤差的判定包含判定該第一和第二標記元件相對於彼此的相對位置,而來判定該第一圖案化層和第二圖案化層之間的疊覆誤差。此外一顯像步驟會在該第一和第二圖案化層的至少一者上進行,用以判定該各別的第一和第二標記元件與一被該各別的第一和第二圖案化層包含的裝置圖案之一圖案特徵的相對位置。
Abstract in simplified Chinese: 本文档描述一种在制造一多层半导体设备时判定一叠覆误差的方法。该半导体设备的制造包含形成一叠材料层,包含沉积至少二接续的半导体材料之图案化层,该等图案化层包含一第一图案化层具有一第一标记组件及一第二图案化层具有一第二标记组件。该叠覆误差的判定包含判定该第一和第二标记组件相对于彼此的相对位置,而来判定该第一图案化层和第二图案化层之间的叠覆误差。此外一显像步骤会在该第一和第二图案化层的至少一者上进行,用以判定该各别的第一和第二标记组件与一被该各别的第一和第二图案化层包含的设备图案之一图案特征的相对位置。
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公开(公告)号:TWI582741B
公开(公告)日:2017-05-11
申请号:TW102139514
申请日:2013-10-31
Applicant: 校際微電子中心 , IMEC , 荷蘭TNO自然科學組織公司 , NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO
Inventor: 傑諾 珍 , GENOE, JAN
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3225 , G02F1/13 , G09G3/2003 , G09G3/2018 , G09G3/2025 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , G09G3/3266 , G09G3/36 , G09G3/3648 , G09G2300/08 , G09G2310/027 , G09G2310/0286 , G09G2310/061 , G09G2320/0247 , G09G2320/043 , G09G2330/02
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公开(公告)号:TWI553935B
公开(公告)日:2016-10-11
申请号:TW099126379
申请日:2010-08-06
Inventor: 凡摩爾 安東尼斯 馬利亞 伯納德斯 , VAN MOL, ANTONIUS MARIA BERNARDUS , 威爾森 瓊安妮 莎拉 , WILSON, JOANNE SARAH , 范嘉禎 , FAN, CHIA CHEN , 立夫卡 赫伯特 , LIFKA, HERBERT , 詠 愛德華 威廉 艾伯特 , YOUNG, EDWARD WILLEM ALBERT , 安卓森 海若尼默斯A J M , ANDRIESSEN, HIERONYMUS A. J. M.
CPC classification number: H01L51/5206 , G02F1/155 , H01L51/003 , H01L51/5212 , H01L51/5221 , H01L51/5225 , H01L51/5228 , H01L2227/326 , H01L2251/5361
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