公开(公告)号：TW200844669A

公开(公告)日：2008-11-16

申请号：TW096143726

申请日：2007-11-19

Applicant: ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 裘朶卡斯 瑪利 多明尼克斯 史托卓傑 STOELDRAIJER, JUDOCUS MARIE DOMINICUS ,  艾利克 羅洛夫 路普斯塔 LOOPSTRA, ERIK ROELOF ,  海茵 梅爾 莫德 MULDER, HEINE MELLE ,  提姆瑟 法蘭西斯 參格 SENGERS, TIMOTHEUS FRANCISCUS ,  佛利克 安德利安 史托菲爾絲 STOFFELS, FREERK ADRIAAN ,  勞倫提斯 卡瑞納 喬瑞斯馬 JORRITSMA, LAURENTIUS CATRINUS ,  雷納 瑪麗亞 强布洛特 JUNGBLUT, REINER MARIA

IPC: G03F ,  H01L

CPC classification number: G03F7/70891 ,  G03F7/70108 ,  G03F7/70216

Abstract: 在一微影裝置中,使用一照明模式執行一校正照射程序,該照明模式經配置以使得加熱投影系統中靠近其一光瞳平面之一元件之選定部分,該選定部分在生產曝光期間為相對未經加熱的。該校正照射程序目的在於改良該投影系統之光學元件加熱之非均一性及/或減少一相位梯度。

Abstract in simplified Chinese: 在一微影设备中,使用一照明模式运行一校正照射进程,该照明模式经配置以使得加热投影系统中靠近其一光瞳平面之一组件之选定部分,该选定部分在生产曝光期间为相对未经加热的。该校正照射进程目的在于改良该投影系统之光学组件加热之非均一性及/或减少一相位梯度。

公开(公告)号：TW200841133A

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：TW097101015

申请日：2008-01-10

Applicant: ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 亨利卡斯 喬漢斯 馬莉亞 梅捷 MEIJER, HENDRICUS JOHANNES MARIA ,  麥可 喬賽夫 瑪堤斯 瑞肯 RENKENS, MICHAEL JOZEF MATHIJS

IPC: G03F

CPC classification number: G03F7/70933 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70858

Abstract: 本發明揭示一種元件製造方法,其包括:使一微影投影裝置之一真空腔室內之壓力至一溫度穩定化壓力範圍;在一時間段內將該真空腔室內之該壓力保持於該溫度穩定化壓力範圍內,以穩定化該真空腔室中之溫度;將該真空腔室內之該壓力降低至一生產壓力範圍;藉由一輻射系統來產生一輻射光束;圖案化該輻射光束;及經由該真空腔室將該經圖案化之輻射光束投影至在一基板上之一輻射敏感材料層的一目標部分上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种组件制造方法,其包括:使一微影投影设备之一真空腔室内之压力至一温度稳定化压力范围;在一时间段内将该真空腔室内之该压力保持于该温度稳定化压力范围内,以稳定化该真空腔室中之温度;将该真空腔室内之该压力降低至一生产压力范围;借由一辐射系统来产生一辐射光束;图案化该辐射光束;及经由该真空腔室将该经图案化之辐射光束投影至在一基板上之一辐射敏感材料层的一目标部分上。

公开(公告)号：TW200841119A

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：TW096148773

申请日：2007-12-19

Applicant: ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 法拉帝莫 維塔拉維屈 依法諾 IVANOV, VLADIMIR VITALEVICH ,  凡丁 葉弗真葉米希 白尼 BANINE, VADIM YEVGENYEVICH ,  康士坦汀 尼可拉威屈 卡士李 KOSHELEV, KONSTANTIN NIKOLAEVICH

IPC: G03B ,  B01J

CPC classification number: H05G2/001 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70916

Abstract: 本發明揭示一種輻射源,其具有一陽極及一陰極,用以在該陽極與該陰極之間之一放電空間中產生一放電。一電漿形成於該輻射源中,該電漿產生諸如EUV輻射之電磁輻射。該輻射源包括一第一活化源,用以將一第一能量脈衝引導至該輻射源中之一在該放電空間附近的第一光點上,以產生一觸發該放電之主要電漿通道。該輻射源亦具有一第二活化源,用以將一第二能量脈衝引導至該輻射源中之一在該放電空間附近的第二光點上,以產生一額外電漿通道。藉由在同一放電期間引導該第二能量脈衝,來實現主要電漿電流之捷徑(shortcutting),該捷徑又可減少所產生之快速離子之量。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种辐射源,其具有一阳极及一阴极,用以在该阳极与该阴极之间之一放电空间中产生一放电。一等离子形成于该辐射源中,该等离子产生诸如EUV辐射之电磁辐射。该辐射源包括一第一活化源,用以将一第一能量脉冲引导至该辐射源中之一在该放电空间附近的第一光点上,以产生一触发该放电之主要等离子信道。该辐射源亦具有一第二活化源,用以将一第二能量脉冲引导至该辐射源中之一在该放电空间附近的第二光点上,以产生一额外等离子信道。借由在同一放电期间引导该第二能量脉冲,来实现主要等离子电流之捷径(shortcutting),该捷径又可减少所产生之快速离子之量。

公开(公告)号：TW200837507A

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：TW096146867

申请日：2007-12-07

Applicant: ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 朗諾 法藍西斯克斯 赫曼 修格斯 HUGERS, RONALD FRANCISCUS HERMAN

IPC: G03F ,  G03B ,  H01L

CPC classification number: G03F9/7026 ,  G03F7/70625

Abstract: 為偵測一基板是否在一散射計之焦平面中,在該散射計之光學系統之背部焦平面之前方與之後方偵測高於一預定値之輻射的橫截面面積。在該背部焦平面之前方及之後方的偵測位置應較佳沿經反射輻射之路徑與該背部焦平面等距,以使得一簡單比較將確定該基板是否在該散射計之該焦平面中。

Abstract in simplified Chinese: 为侦测一基板是否在一散射计之焦平面中,在该散射计之光学系统之背部焦平面之前方与之后方侦测高于一预定値之辐射的横截面面积。在该背部焦平面之前方及之后方的侦测位置应较佳沿经反射辐射之路径与该背部焦平面等距,以使得一简单比较将确定该基板是否在该散射计之该焦平面中。

公开(公告)号：TW200834254A

公开(公告)日：2008-08-16

申请号：TW096146375

申请日：2007-12-05

Applicant: ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 馬登 馬瑞司 瓊恩 威賀默思 凡 赫本 VAN HERPEN, MAARTEN MARINUS JOHANNES WILHELMUS ,  華特 安東 索爾 SOER, WOUTER ANTHON

IPC: G03F

CPC classification number: G03F7/70916 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70175 ,  H05G2/003 ,  H05G2/005

Abstract: 本發明揭示一種具有自我遮蔽電極之輻射源。發源於該等電極之碎屑得以減少。自該等電極至極紫外線(EUV)光學器件之路徑被該等電極自身之部分阻斷(稱為自我遮蔽)。此可顯著減少電極產生之碎屑之量。在一實施例中,一個或兩個污染物障壁可用以防止碎屑到達光學元件之不在兩個電極之遮蔽下的部分。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种具有自我屏蔽电极之辐射源。发源于该等电极之碎屑得以减少。自该等电极至极紫外线(EUV)光学器件之路径被该等电极自身之部分阻断(称为自我屏蔽)。此可显着减少电极产生之碎屑之量。在一实施例中,一个或两个污染物障壁可用以防止碎屑到达光学组件之不在两个电极之屏蔽下的部分。

公开(公告)号：TW200827939A

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：TW096136890

申请日：2007-10-02

Applicant: ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V. ,  卡爾塞斯(SMT)半導體製造科技公司 CARL ZEISS SMT AG

Inventor： 馬坦 馬納斯 喬哈奈 懷慕斯 凡 賀潘 VAN HERPEN, MAARTEN MARINUS JOHANNES WILHELMUS ,  凡丁 葉弗真葉米希 白尼 BANINE, VADIM YEVGENYEVICH ,  喬漢斯 皮德斯 漢利克斯 戴 卡斯特 DE KUSTER, JOHANNES PETERUS HENRICUS ,  瓊斯 赫柏特 喬瑟菲那 莫斯 MOORS, JOHANNES HUBERTUS JOSEPHINA ,  魯卡斯 亨利克斯 瓊斯 史蒂芬斯 STEVENS, LUCAS HENRICUS JOHANNES ,  巴斯提安 希鐸 沃斯契利恩 WOLSCHRIJN, BASTIAAN THEODOOR ,  悠里 維克特羅齊 賽德尼克夫 SIDELNIKOV, YURII VICTOROVITCH ,  馬克 修伯特斯 羅倫茲 凡 德 佛登 VAN DER VELDEN, MARC HUBERTUS LORENZ ,  渥特 安東 索爾 SOER, WOUTER ANTON ,  克特 潔莉森 GIELISSEN, KURT ,  托瑪斯 斯丹 STEIN, THOMAS

IPC: G03F

CPC classification number: G03F7/70925 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70908 ,  G03F7/70916

Abstract: 本發明揭示一種經組態以將經圖案化之輻射光束投影至基板之目標部分上的微影裝置。該裝置包括:第一輻射劑量偵測器與第二輻射劑量偵測器,每一偵測器包含一個二次電子發射表面,該表面經組態以接收輻射通量共且由於該輻射通量之接收而發射二次電子,當相對於一輻射透射方向檢視時,該第一輻射劑量偵測器係相對於該第二輻射劑量偵測器而位於上游;及一連接至每一偵測器之計量器,其用以偵測由自各別電子發射表面之二次電子發射所產生的電流或電壓。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种经组态以将经图案化之辐射光束投影至基板之目标部分上的微影设备。该设备包括:第一辐射剂量侦测器与第二辐射剂量侦测器,每一侦测器包含一个二次电子发射表面,该表面经组态以接收辐射通量共且由于该辐射通量之接收而发射二次电子,当相对于一辐射透射方向视图时,该第一辐射剂量侦测器系相对于该第二辐射剂量侦测器而位于上游;及一连接至每一侦测器之计量器,其用以侦测由自各别电子发射表面之二次电子发射所产生的电流或电压。

公开(公告)号：TWI295408B

公开(公告)日：2008-04-01

申请号：TW093130592

申请日：2004-10-08

Applicant: ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 馬皆爾 亨利卡斯 馬里亞 畢恩 BEEMS, MARCEL HENDRIKUS MARIA ,  英捷博特斯 安東尼 法蘭西思 范 德 保齊 VAN DER PASCH, ENGELBERTUS ANTONIUS FRANSISCUS

IPC: G03F

CPC classification number: G03F7/70775

Abstract: 本發明係關於一種微影裝置，其包括一用於提供輻射之一投影光束之輻射系統；一用於將該投影光束投影至一基板之一目標部分上的投影系統；一可移動物件；移位構件，其用於在大體上第一方向及一不同於該第一方向之第二方向上相對於該投影系統來移動該可移動物件；及測量構件，其用於測量該可移動物件在第三方向上之位移，該第三方向大體上垂直於該第一方向且垂直於該第二方向。根據本發明之微影裝置之特徵在於該測量構件包括一編碼器系統。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种微影设备，其包括一用于提供辐射之一投影光束之辐射系统；一用于将该投影光束投影至一基板之一目标部分上的投影系统；一可移动对象；移位构件，其用于在大体上第一方向及一不同于该第一方向之第二方向上相对于该投影系统来移动该可移动对象；及测量构件，其用于测量该可移动对象在第三方向上之位移，该第三方向大体上垂直于该第一方向且垂直于该第二方向。根据本发明之微影设备之特征在于该测量构件包括一编码器系统。

公开(公告)号：TW200813653A

公开(公告)日：2008-03-16

申请号：TW096125279

申请日：2007-07-11

Applicant: ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 海可 維特 寇可 KOK, HAICO VICTOR ,  亞銳 喬翰 凡 德 席斯 VAN DER SIJS, ARIE JOHAN

IPC: G03F ,  G01J

CPC classification number: G03F7/7085 ,  G01J1/04 ,  G01J1/0425 ,  G01J1/4228 ,  G01J1/58

Abstract: 本發明提供一種輻射感測器,其包括:一輻射接收器,其定位於投影系統之最終元件之一焦平面中;一透射性板,其在面向該投影系統之一側處支撐該輻射接收器;一量子轉換層,其用以吸收入射於該透射性板上之第一波長之光及再輻射一第二波長之光;一光纖塊,其具有複數個光纖;及一輻射偵測器。在該輻射感測器中,該複數個光纖朝向該輻射偵測器導引由該量子轉換層再輻射之光。輻射感測器可用作一微影裝置中之基板位準感測器。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种辐射传感器,其包括:一辐射接收器,其定位于投影系统之最终组件之一焦平面中;一透射性板,其在面向该投影系统之一侧处支撑该辐射接收器;一量子转换层,其用以吸收入射于该透射性板上之第一波长之光及再辐射一第二波长之光;一光纤块,其具有复数个光纤;及一辐射侦测器。在该辐射传感器中,该复数个光纤朝向该辐射侦测器导引由该量子转换层再辐射之光。辐射传感器可用作一微影设备中之基板位准传感器。

公开(公告)号：TW200807183A

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：TW096122345

申请日：2007-06-21

Applicant: ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 溫 提波 泰爾 TEL, WIM TJIBBO ,  佛利克 安德利安 史托菲爾絲 STOFFELS, FREERK ADRIAAN ,  羅倫提斯 卡特利納斯 喬力斯瑪 JORRITSMA, LAURENTIUS CATRINUS ,  塔莫 優特狄克 UITTERDIJK, TAMMO ,  瓊斯 威爾莫斯 德 克拉克 DE KLERK, JOHANNES WILHELMUS

IPC: G03F

CPC classification number: G03B27/72 ,  G03B27/53 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70891

Abstract: 本發明揭示一種用於一微影程序的降低波前像差之方法,因而該降低係基於欲加以列印的選擇圖案以及用於曝光的選擇照明模式。一微影裝置之一投影系統的前波像差得到測量並藉由計算該投影系統之光學元件的調整以及將計算的調整應用於該投影系統而加以降低。調整之該計算係基於與如在曝露輻射敏感層期間出現的該投影系統之一光瞳中的輻射强度之一空間分佈之强度相關的資訊,並且係限於相對較高輻射通量之投影透鏡之光瞳區域中的像差。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于一微影进程的降低波前像差之方法,因而该降低系基于欲加以打印的选择图案以及用于曝光的选择照明模式。一微影设备之一投影系统的前波像差得到测量并借由计算该投影系统之光学组件的调整以及将计算的调整应用于该投影系统而加以降低。调整之该计算系基于与如在曝露辐射敏感层期间出现的该投影系统之一光瞳中的辐射强度之一空间分布之强度相关的信息,并且系限于相对较高辐射通量之投影透镜之光瞳区域中的像差。

公开(公告)号：TW200807180A

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：TW096121660

申请日：2007-06-15

Applicant: ASML荷蘭公司 ASML NETHERLANDS B. V.

Inventor： 安東尼 蓋斯頓 馬利 凱爾斯 KIERS, ANTOINE GASTON MARIE ,  艾瑞 傑佛瑞 丹 伯夫 DEN BOEF, ARIE JEFFREY ,  史蒂芬 卡盧司 賈可布 安東尼 凱基 KEIJ, STEFAN CAROLUS JACOBUS ANTONIUS

IPC: G03F ,  G02B

CPC classification number: G01N21/21 ,  G01N21/956 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/7085

Abstract: 對兩束正交偏振光束在自一基板繞射時進行同時量測以確定該基板之性質。經由兩個非偏振分光器,一非偏振分光器相對於另一非偏振分光器旋轉90�,傳遞具有在正交方向上偏振之輻射之線性偏振光源。接著,組合光束在向穿過一非偏振分光器之前自一基板繞射,且在由一CCD照相機量測之前穿過一移相器及一Wollaston稜鏡。以此方式,可藉此量測該兩個偏振光束之多個相位步進之相位及强度,且可確定該等光束之偏振狀態。若將該移相器調為零(亦即,不具有相移),則該基板之格柵使其參數藉由同一偵測器系統同時藉由TE及TM偏振光而得以量測。

Abstract in simplified Chinese: 对两束正交偏振光束在自一基板绕射时进行同时量测以确定该基板之性质。经由两个非偏振分光器,一非偏振分光器相对于另一非偏振分光器旋转90�,传递具有在正交方向上偏振之辐射之线性偏振光源。接着,组合光束在向穿过一非偏振分光器之前自一基板绕射,且在由一CCD照相机量测之前穿过一移相器及一Wollaston棱镜。以此方式,可借此量测该两个偏振光束之多个相位步进之相位及强度,且可确定该等光束之偏振状态。若将该移相器调为零(亦即,不具有相移),则该基板之格栅使其参数借由同一侦测器系统同时借由TE及TM偏振光而得以量测。