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公开(公告)号：JPWO2020104892A1
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JPIB2019059682
申请日：2019-11-12
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Abstract: 二次電池の駆動を安全に制御する回路を搭載しつつ、筐体の小型化に伴う省スペース化に対応できる構成を実現する。可撓性基板上に充電制御回路を設け、二次電池外表面に貼り付ける。二次電池が有する2端子のうち、少なくとも一方と充電制御回路は電気的に接続し、充電制御を行う。過充電を防ぐために充電回路の出力トランジスタと遮断用スイッチの両方をほぼ同時にオフ状態とする。電池に繋がっている2つの経路を遮断することで過充電を検知した際、素早く充電停止し、過充電による電池へのダメージを低減できる。
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公开(公告)号：JPWO2020100013A1
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JPIB2019059683
申请日：2019-11-12
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H05B33/12 , C07D219/14 , H01L51/50
Abstract: 屈折率の小さい有機化合物を提供することを目的とする。または、屈折率が小さく且つ電子供与性を有する新規有機化合物を提供する。または、発光効率の高いELデバイスを提供する。フッ素原子を含むアリールアミン骨格またはアクリジン骨格を有する有機化合物、および当該有機化合物を用いたELデバイスを提供する。当該ELデバイスは、フッ素原子を含むアリールアミン骨格またはアクリジン骨格を有する有機化合物と当該有機化合物に電子受容性を示す物質とを含む正孔注入層を有することが好ましい。
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公开(公告)号：JPWO2020095148A1
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JPIB2019059245
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G11C5/02 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , G11C29/00
Abstract: 不良のメモリセルの代わりに、別のメモリセルにデータを書き込む半導体装置を提供する。第1回路と、第1回路上に位置する第2回路と、有する半導体装置であって、第1回路は、記憶部に相当し、メモリセルと、冗長メモリセルと、を有し、第2回路は、制御部に相当し、第3回路と、第4回路と、を有する。メモリセルは、第3回路に電気的に接続され、冗長メモリセルは、第3回路に電気的に接続され、第3回路は、第4回路に電気的に接続されている。第4回路は、メモリセル又は冗長メモリセルに書き込むためのデータを第3回路に送信する機能を有し、第3回路は、メモリセルが不良セルであった場合に、メモリセルと第4回路とを非導通状態にし、冗長メモリセルと前記第4回路と導通状態にして、当該データを冗長メモリセルに送信する機能を有する。
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公开(公告)号：JP2021192509A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021122224
申请日：2021-07-27
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09G3/36 , G09G3/3233 , G09G3/20 , G09G3/30 , H03K17/687 , H03K19/00 , H03K19/096 , H01L29/786 , G02F1/133 , H03K19/0175
Abstract: 【課題】新規な構成の半導体装置を提供すること。消費電力が低減された半導体装置を提 供すること。 【解決手段】ゲートとバックゲートとを有するトランジスタにおいて、第1の状態ではゲ ートとバックゲートの双方に入力端子からの信号を与え、第2の状態ではゲートのみに入 力端子からの信号を与えるための回路を設ける構成とする。当該構成とすることで、トラ ンジスタの電流供給能力を動作毎に切り替えることができ、バックゲートに電荷を充電す る分の消費電力を低減することができる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021192440A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021137069
申请日：2021-08-25
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: C07D209/80 , H01L51/50
Abstract: 【課題】新規有機化合物または発光素子用材料を提供する。 【解決手段】陽極と陰極との間に、アントラセン骨格を有する第1の有機化合物と、下記一般式(G1)で表される第2の有機化合物と、を含む発光素子。 (但し、一般式(G1)中、Ar1は置換または無置換の炭素数6乃至30の芳香族炭化水素基を表し、Ar2は置換または無置換の炭素数6乃至100の芳香族炭化水素基を表す。また、R1乃至R5はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6の飽和炭化水素基、炭素数3乃至6の環状飽和炭化水素基及び置換または無置換の炭素数6乃至13の芳香族炭化水素基のいずれかを表し、R6乃至R9はそれぞれ独立に水素、炭素数1乃至6の飽和炭化水素基及び炭素数3乃至6の環状飽和炭化水素基のいずれかを表す。) 【選択図】なし
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2021192368A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021129661
申请日：2021-08-06
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor： 西戸 祐典
Abstract: 【課題】ガラスフリットと重なる第1金属層のパターンに関わらず、気密性の高い封止体 及び有機電界発光装置を提供すること。 【解決手段】共通電源供給ラインとガラスフリットが重なる領域に、第2金属層を設ける 。第2金属層がレーザ光を吸収、反射するため、ガラスフリットを一様に加熱することが できる。そのため、クラックの生じにくい低融点ガラスで被封止体を封止することができ る。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021192366A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021127424
申请日：2021-08-03
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Abstract: 【課題】表示装置の特性を劣化させる原因である、封止領域より侵入する水分や酸素の量 を減らした信頼性の高い表示装置と、その作製方法を提供する。 【解決手段】第1の基板上に形成された下地膜と、下地膜上に形成された、一層が有機樹脂材料を有する絶縁層と、絶縁層上に形成された、複数の発光素子から成る表示部と、下地膜及び前記絶縁層の端部を覆う封止膜と、表示部を囲むように形成されたシール材と、シール材により前記第1の基板に固着された第2の基板と、を有することを特徴とする表示装置。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6979504B2
公开(公告)日：2021-12-15
申请号：JP2020192258
申请日：2020-11-19
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP6979499B2
公开(公告)日：2021-12-15
申请号：JP2020164270
申请日：2020-09-30
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , H01L27/10
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公开(公告)号：JPWO2020079539A1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JPIB2019058629
申请日：2019-10-10
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H03K17/00 , H01L29/786 , H01L27/1156 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L27/10 , H03M1/12
Abstract: 新規な構成の半導体装置を提供すること。センサと、センサのセンサ信号が入力されるアンプ回路と、アンプの出力信号が入力され、当該出力信号に応じた電圧を保持するサンプルホールド回路と、電圧に応じたサンプルホールド回路の出力信号が入力されるアナログデジタル変換回路と、インターフェース回路と、を有する。インターフェース回路は、センサ信号をアンプ回路に入力し、アンプ回路の出力信号をサンプルホールド回路に保持する第1の制御期間と、サンプルホールド回路に保持した電圧をアナログデジタル変換回路に出力して得られるデジタル信号をインターフェース回路に出力する第2の制御期間と、を切り替えて制御する機能を有する。アナログデジタル変換回路は、第1の制御期間において、デジタル信号の出力を停止するよう切り替えられる。第1の制御期間は、第2の制御期間より長い。
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