公开(公告)号：KR100044834B1

公开(公告)日：1991-10-07

申请号：KR1019880003459

申请日：1988-03-29

Applicant: 쌍신전자통신주식회사

Inventor： 장광현

IPC: H01F27/30

公开(公告)号：KR1019890000030B1

公开(公告)日：1989-03-06

申请号：KR1019850007832

申请日：1985-10-21

Applicant: 쌍신전자통신주식회사

Inventor： 장광현

IPC: H05K9/00

Abstract: This invention relates to a method for shielding inductance coils in a delay circuit or filter from the influences of electromagnetic waves and physical forces. A base plate (1) mounts coils (6,7,8) respectively connecting to capacitors (2,3,4) and is covered with a shielding (16) that is solidly secured to the base plate whose grounding terminal connecting to the shield, the coils being molded for firm fixing before being covered with the shield.

Abstract translation: 本发明涉及一种从电磁波和物理力的影响中对延迟电路或滤波器中的电感线圈进行屏蔽的方法。 基板（1）安装分别连接到电容器（2,3,4）的线圈（6,7,8），并且被牢固地固定到基板上的屏蔽层（16）覆盖，所述屏蔽层的接地端子连接到屏蔽 ，线圈被模制成牢固固定，然后被屏蔽罩覆盖。

公开(公告)号：KR2019880003733Y1

公开(公告)日：1988-10-15

申请号：KR2019850014720

申请日：1985-11-05

Applicant: 쌍신전자통신주식회사

Inventor： 장광현

IPC: H05K9/00

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR101862753B1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：KR1020170048206

申请日：2017-04-14

Applicant: 쌍신전자통신주식회사

Inventor： 정장용 ,  윤선미 ,  김종성

IPC: H01Q9/04 ,  H01Q5/10

CPC classification number: H01Q9/0414 ,  H01Q1/38 ,  H01Q5/10

Abstract: 다중대역적층마이크로스트립패치안테나가개시된다. 본발명에따른다중대역적층마이크로스트립패치안테나는, 설정된두께의원형또는상하좌우대칭의다각형으로이루어지며, 상면에전도성물질이도포되고, 하면에설정된넓이및 깊이의홈이형성된제1 유전체; 설정된두께의원형또는상하좌우대칭의다각형으로이루어지며, 상면및 하면에전도성물질이도포된제2 유전체; 및제2 유전체의상단에제1 유전체의하단을마주하여적층한후, 제1 유전체및 제2 유전체를관통하여고정시키는복수의피딩핀을포함하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR3005598050000S

公开(公告)日：2010-05-03

申请号：KR3020100008154

申请日：2010-02-25

Applicant: 쌍신전자통신주식회사

Designer： 안종석

公开(公告)号：KR100614110B1

公开(公告)日：2006-08-22

申请号：KR1020040019603

申请日：2004-03-23

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  이호선

IPC: H03H9/56

Abstract: 통과대역 특성과 저지대역 특성을 동시에 만족시키며 크기를 축소하는 것이 가능하고 대량생산이 가능하여 제조원가를 크게 낮추는 것이 가능하도록, 복수의 체적탄성파 공진기를 직렬 및/또는 병렬로 배열 연결하여 이루어지는 체적탄성파 여파기와, 체적탄성파 여파기를 패키징하는 저온 동시소성 세라믹 공법으로 제조하는 패키지부재와, 패키지부재의 내부에 설치되고 체적탄성파 여파기와 병렬로 연결되는 하나이상의 고주파 공진기를 포함하는 저지대역 특성을 개선한 체적탄성파 여파기 모듈을 제공한다.
고주파 공진기는 패키지부재의 내부에 인쇄 등의 방법으로 형성되고, 인덕터, 캐패시터 등에서 하나이상을 선택하여 단독으로 또는 조합하여 고주파 공진기와 연결하여 설치한다.
체적탄성파 여파기, 고주파 공진기, 저온 동시소성 세라믹, 캐패시터, 저지대역, 통과대역, 보상, 인덕터

公开(公告)号：KR100613649B1

公开(公告)日：2006-08-21

申请号：KR1020040019604

申请日：2004-03-23

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  이호선

IPC: H03H9/56

Abstract: 통과대역의 특성이 저하되지 않으면서 광대역화가 가능하고 집적화 및 소형화가 가능하도록, 복수의 체적탄성파 공진기를 직렬 및/또는 병렬로 배열 연결하여 이루어지는 체적탄성파 여파기와, 체적탄성파 여파기를 패키징하는 저온 동시소성 세라믹 공법으로 형성되는 패키지부재와, 패키지부재의 내부에 설치되고 체적탄성파 여파기와 연결되는 하나이상의 고주파 공진기를 포함하는 광대역 체적탄성파 여파기 모듈을 제공한다.
체적탄성파 여파기, 고주파 공진기, 저온 동시소성 세라믹, 캐패시터, 저지대역, 통과대역, 광대역, 인덕터

公开(公告)号：KR1020040089914A

公开(公告)日：2004-10-22

申请号：KR1020030023758

申请日：2003-04-15

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  김흥래 ,  여기봉 ,  이영수

IPC: H03H9/56

CPC classification number: H03H9/56 ,  H01L41/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

Abstract: PURPOSE: A FBAR(Film Bulk Acoustic wave Resonator) device and a fabricating method thereof are provided to improve c-axis orientation and a resonant characteristic of a piezoelectric layer by forming a thin bottom electrode and the piezoelectric layer on an etch stop layer. CONSTITUTION: An etch stop layer(10) corresponding to an edge of an acoustic reflection layer is fabricated by depositing an oxide of predetermined thickness or a nitride of predetermined thickness on a substrate. A bottom electrode(20) is formed by depositing conductive materials on the etch stop layer. A piezoelectric layer(30) is formed by depositing piezoelectric materials on a part of the bottom electrode and a part of the etch stop layer. A top electrode(40) is formed by depositing conductive materials on a part of the piezoelectric layer and a part of the etch stop layer.

Abstract translation: 目的：提供一种FBAR（薄膜体声波谐振器）装置及其制造方法，以通过在蚀刻停止层上形成薄的底部电极和压电层来改善压电层的c轴取向和谐振特性。 构成：通过将预定厚度的氧化物或预定厚度的氮化物沉积在衬底上来制造对应于声反射层的边缘的蚀刻停止层（10）。 通过在蚀刻停止层上沉积导电材料形成底部电极（20）。 通过在底部电极的一部分和蚀刻停止层的一部分上沉积压电材料来形成压电层（30）。 顶部电极（40）通过在导电材料的一部分上沉积导电材料和蚀刻停止层的一部分而形成。

公开(公告)号：KR1020030054244A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：KR1020010084380

申请日：2001-12-24

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  김흥래 ,  여기봉 ,  이영수

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/173

Abstract: PURPOSE: A chip type resonator and a fabricating method thereof are provided to reduce a size of the resonator by using a photo-etching method and a deposition method to form a lower electrode, an upper electrode, and a piezoelectric layer. CONSTITUTION: A chip type resonator includes a substrate(2), an acoustically reflective layer(4), a lower electrode(6), a piezoelectric layer(10), an upper electrode(8), a couple of upper and lower lead lines(18,16), and a package member(20). The acoustically reflective layer is formed on the substrate. The lower electrode is formed on the acoustically reflective layer by using a conductive material. The piezoelectric layer is formed on the substrate and the lower electrode by using a piezoelectric material. The upper electrode is formed on the piezoelectric layer by using the conductive material. The upper lead line and the lower lead line are connected to the upper electrode and the lower electrode, respectively. The package member is used for covering the lower electrode, the upper electrode, and the piezoelectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种片式谐振器及其制造方法，通过使用光蚀刻法和沉积法形成下电极，上电极和压电层来减小谐振器的尺寸。 构成：芯片型谐振器包括基板（2），声反射层（4），下电极（6），压电层（10），上电极（8），上引线和下引线 （18,16）和包装件（20）。 在基板上形成声反射层。 下电极通过使用导电材料形成在声反射层上。 通过使用压电材料在基板和下电极上形成压电层。 上电极通过使用导电材料形成在压电层上。 上引线和下引线分别连接到上电极和下电极。 封装构件用于覆盖下电极，上电极和压电层。

公开(公告)号：KR1020030019761A

公开(公告)日：2003-03-07

申请号：KR1020010053065

申请日：2001-08-30

Applicant: 쌍신전자통신주식회사

Inventor： 공명선

IPC: G01N27/40 ,  C08F120/00

Abstract: PURPOSE: A humidity sensor with a polymer film is provided to reduce humidity efficiently, and to improve water resistance by manufacturing the dehumidifying film through cross-linking with forming quaternary ammonium salts. CONSTITUTION: A humidity sensor has a dehumidifying film, an electrode electrically contacted to the dehumidifying film, an electrode snap fixing the electrode, and a terminal connecting the electrode to the outer unit. The dehumidifying film is formed by mixing vinyl monomer including a tertiary amine group, vinyl monomer including salt, primary copolymer by copolymerization of 1 or more than two vinyl comonomers, vinyl monomer including an alkyl halide group and secondary copolymer by copolymerization of 1 or more than two vinyl comonomers. The dehumidifying film is used for the humidity sensor by forming quaternary ammonium salts with cross-linking.

Abstract translation: 目的：提供具有聚合物膜的湿度传感器，以有效降低湿度，并通过与形成季铵盐的交联制造除湿膜来改善耐水性。 构成：湿度传感器具有除湿膜，与除湿膜电接触的电极，固定电极的电极卡扣以及将电极连接到外部单元的端子。 除湿膜通过将1个或2个以上的乙烯基共聚单体共聚而成的包含叔胺基的乙烯基单体，包括盐的乙烯基单体，一次共聚物，通过共聚合1或更多的乙烯基单体 两种乙烯基共聚单体。 通过形成交联的季铵盐，除湿膜用于湿度传感器。