公开(公告)号：JP2005236279A

公开(公告)日：2005-09-02

申请号：JP2005015792

申请日：2005-01-24

Applicant: Asm America Inc ,  エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

Inventor： WEEKS THOMAS M ,  BARNETT LEWIS C ,  JACOBS LOREN R ,  WOOD ERIC R ,  HALPIN MICHAEL W

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/00 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/68728 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/68792 ,  Y10T29/41

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate support assembly where a substrate holder support section is securely fixed to a rotating shaft with respect to a force applied to a rotative direction. SOLUTION: The substrate holder support section (spider) 10 has a plurality of support arms 12 extended toward the radial outside and upper side from a central socket 14 that supports the lower side of the substrate holder such as susceptor. The support assembly 8 comprises an elbow-shaped retention member 22 having an engagement section and a fixed section 32, and the engagement section is inserted in an opening 26 if positions of a socket opening section 26 and the cutout section of a shaft 20 are aligned to form a path. By engaging both the socket opening 26 and the cutout section of the shaft 20, the spider socket 14 is fixed to the shaft 20, thereby enabling the prevention of rotation between both, namely, revolving slide. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种基板支撑组件，其中基板保持器支撑部分相对于施加到旋转方向的力牢固地固定到旋转轴。 解决方案：衬底保持器支撑部分（蜘蛛）10具有从支撑诸如基座的衬底保持器的下侧的中心插座14朝向径向外侧和上侧延伸的多个支撑臂12。 支撑组件8包括具有接合部分和固定部分32的肘形保持构件22，并且如果插座开口部分26和轴20的切口部分的位置对准，则接合部分插入开口26中 形成路径。 通过将插座开口26和轴20的切口部分相接合，将蜘蛛座14固定在轴20上，从而能够防止两者之间的旋转，即旋转滑块。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2012054613A

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：JP2011265240

申请日：2011-12-02

Applicant: Asm America Inc ,  エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

Inventor： BAUER MATTHIAS ,  CHANTAL ARENA ,  BERTRAM RONALD ,  TOMMASINI PIERRE ,  CODY NILES ,  BRABANT PAUL ,  JOSEPH ITALIANO ,  JACOBSON PAUL ,  KEITH DORAN WEEKS

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chemical vapor deposition method using trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit a Si-containing film over a selected region of a mixed substrate.SOLUTION: A dopant source may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit the doped Si-containing film. This selective deposition method is useful in a variety of applications, such as semiconductor manufacturing.

Abstract translation: 要解决的问题：提供使用丙硅烷和含卤素蚀刻剂源（例如氯）的化学气相沉积方法以在混合基板的选定区域上选择性沉积含Si膜。 解决方案：掺杂剂源可以与丙硅烷和蚀刻剂源混合以选择性沉积掺杂的含Si膜。 这种选择性沉积方法在诸如半导体制造的各种应用中是有用的。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012033944A

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：JP2011203559

申请日：2011-09-16

Applicant: Asm America Inc ,  エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

Inventor： PIERRE TOMMASINI ,  CODY NILES ,  CHANTAL ARENA

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To solve such a problem that poor planarization in a multilayer process of semiconductor device fabrication may induce problems in a photolithography process, especially poor planarization at the initial deposition step tends to be amplified through higher layers in semiconductor device fabrication, and to provide a deposition method of a blanket layer in the initial stage of semiconductor device fabrication process where this point is improved.SOLUTION: The blanket deposition method of an SiGe film 30 includes a step for mixing silicon source, germanium source and etchant in order to form a gaseous precursor mixture. Furthermore, the gaseous precursor mixture is made to flow on a substrate 10 under conditions of chemical vapor deposition, and a blanket layer 30 exhibiting excellent planarity is deposited by a method of depositing epitaxial SiGe on the substrate 10 regardless of whether there is a pattern or not.

Abstract translation: 解决的问题为了解决半导体器件制造的多层工艺中的平坦化不良可能在光刻工艺中引起问题的问题，特别是在初始沉积步骤中特别差的平坦化趋向于通过半导体器件中的较高层放大 并且在半导体器件制造工艺的初始阶段提供覆盖层的沉积方法，其中改进了这一点。 解决方案：SiGe膜30的覆盖沉积方法包括用于混合硅源，锗源和蚀刻剂以形成气态前体混合物的步骤。 此外，使气态前体混合物在化学气相沉积的条件下在衬底10上流动，并且通过在衬底10上沉积外延SiGe的方法沉积表现出优异平面性的覆盖层30，而不管是否存在图案或 不。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009076907A

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：JP2008237865

申请日：2008-09-17

Applicant: Asm America Inc ,  エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

Inventor： THOMAS SHAWN ,  TOMASINI PIERRE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  Y10T428/2462

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stressor for engineered strain on a channel and a forming method thereof. SOLUTION: A semiconductor substrate has recesses filled with heteroepitaxial silicon-containing material with different portions having different impurity concentrations. Strained layers can fill recessed source/drain regions in a graded, bottom-up fashion. Layers can also line recess sidewalls with one concentration of strain-inducing impurity and fill the remainder to the recess with a lower concentration of the impurity. In the latter case, the sidewall liner can be tapered. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供通道上工程应变的应力器及其形成方法。 解决方案：半导体衬底具有填充有不同部分具有不同杂质浓度的异质外延含硅材料的凹槽。 应变层可以以分级，自下而上的方式填充凹陷的源极/漏极区域。 层也可以用一个浓度的应变诱导杂质排列凹陷侧壁，并将剩余部分填充到具有较低浓度杂质的凹部。 在后一种情况下，侧壁衬套可以是锥形的。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007314884A

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：JP2007164121

申请日：2007-06-21

Applicant: Asm America Inc ,  エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

Inventor： WENGERT JOHN F ,  JACOBS LOREN R ,  HALPIN MICHAEL W ,  FOSTER DERRICK W ,  VAN DER JEUGD CORNELIS A ,  VYNE ROBERT M ,  HAWKINS MARK R

IPC: C23C16/46 ,  B01J3/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/48 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/687

CPC classification number: C23C16/45502 ,  B01J3/006 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68785

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process chamber capable of withstanding high temperature, low pressure processes, and having improved wafer temperature uniformity and gas flow characteristics. SOLUTION: The chamber has a vertical-lateral lenticular cross-section with a wide horizontal dimension and a shorter vertical dimension between biconvex upper and lower walls 12, 14. A central horizontal support plate 40 is provided between two lateral side rails 16, 18 of the chamber. The support plate segregates the process chamber into an upper region and a lower region 66, 68, with purge gas being introduced through the lower tube into the lower region to prevent unwanted deposition therein. A temperature compensation ring surrounds the susceptor and is constructed of a material absorbing heat at an efficiency higher than the case of the chamber walls. A gas injector includes a plurality of independently controlled channels disposed laterally across the chamber, the channels merging at an outlet of the injector to allow mixing of the adjacent longitudinal edges of the separate flows well before reaching the wafer. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够耐受高温，低压工艺并具有改进的晶片温度均匀性和气体流动特性的处理室。 解决方案：腔室具有在双凸面上下壁12,14之间具有宽水平尺寸和较短垂直尺寸的垂直横向双凸透镜横截面。中央水平支撑板40设置在两个侧向侧轨道16之间 ，18室。 支撑板将处理室分离成上部区域和下部区域66,68，其中吹扫气体通过下部管道被引入下部区域中，以防止其中不希望的沉积。 温度补偿环围绕基座并且由以比室壁的情况高的效率吸收热量的材料构成。 气体喷射器包括多个独立控制的通道，横向设置在腔室上，通道在喷射器的出口处汇合，以允许在到达晶片之前将单独流动的相邻纵向边缘混合。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007073536A

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：JP2006329742

申请日：2006-12-06

Applicant: Asm America Inc ,  エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

Inventor： HALPIN MICHAEL W

IPC: H01K1/18 ,  H05B3/06 ,  A21B1/00 ,  F24C7/00 ,  H01J1/94 ,  H01J1/98 ,  H01J19/42 ,  H01J19/48 ,  H01K1/24 ,  H01K3/00 ,  H01K5/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H05B3/00 ,  H05B3/44

CPC classification number: H01K1/24 ,  C23C16/481 ,  H01K1/18 ,  H01K3/00 ,  H01K5/02 ,  H05B3/0047

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a service life of a lamp, mostly on a lamp filament, for use in a semiconductor processing reactor in which a high energy radiation heating is conducted. SOLUTION: The lamp is provided with a supporting part 42 which is improved so that a lamp filament 14 can be placed in a lamp sleeve in an axial direction. The supporting part 42 as shown in a drawing is a spiral coil having a central part of a small diameter contacting the filament 14. At both ends of a filament contacting part, the coil is expanded to a larger diameter so that it contacts an inner wall of a quartz sleeve which houses the filament 14. Therefore, the supporting part 42 appears in an H shape in a side view. The lamp filament 14 is also provided with an expansion compensating part 74 on both sides of the central part 72. A filament wire of the expansion compensating part 74 is wound and becomes a coil of a larger diameter as compared with the coil in the central part 72 and of a wider gap between winding wires. The expansion compensating part 74 is preferably elastic in compression and thus a heat expansion of the filament 14 while in operation can be absorbed and a short circuit of the filament 14 can be prevented throughout neighboring wires. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提高大多数在灯丝上的灯的使用寿命，用于其中进行高能量辐射加热的半导体处理反应器中。 解决方案：灯具设置有支撑部分42，其被改进，使得灯丝14能够沿轴向方向放置在灯套筒中。 如图所示的支撑部分42是具有与灯丝14接触的小直径的中心部分的螺旋线圈。在灯丝接触部分的两端，线圈膨胀成更大的直径，使得线圈接触内壁 容纳灯丝14的石英套筒。因此，支撑部件42以侧视图呈现为H形。 灯丝14在中央部72的两侧也设置有膨胀补偿部74.与中心部的线圈相比，膨胀补偿部74的细丝被卷绕成为较大直径的线圈 并且绕组线之间的间隙较宽。 膨胀补偿部74优选为弹性的压缩状态，因此能够吸收灯丝14在运转中的热膨胀，能够防止灯丝14的短路。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2006511934A

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：JP2004557681

申请日：2003-12-09

Applicant: アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェInteruniversitair Micro−Elektronica Centrum Vzw ,  エイエスエム・アメリカ・インコーポレイテッドAsm America Inc.

Inventor： ジェリー・チェン ,  ツァイ・ウィルマン ,  マッティ・カイマックス ,  ヤン−ウィレム・メース

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/471 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/51 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本発明は、集積回路の中に誘電体スタックを形成する方法を提供し、（ｉ）半導体基板上に高−ｋ誘電体層を形成するステップと、（ｉｉ）高−ｋ誘電体層を有する半導体基板を、プラズマ化学気相成長方法（ＰＥＣＶＤ）またはプラズマ原子層化学気相成長法（ＰＥＡＬＣＶＤ）において、窒素含有気相反応物およびケイ素含有気相反応物で処理するステップとを含む。 さらに、本発明は、（ｉ）少なくとも高―ｋ材料を含む高―ｋ誘電体層と、（ｉｉ）少なくともケイ素および窒素を含む誘電体層と、（ｉｉｉ）前記高―ｋ誘電体層と前記誘電体層の間に配設された中間層とを含む集積回路中の誘電体スタックを提供し、前記中間層は前記高―ｋ材料、ケイ素および窒素を含む。

公开(公告)号：JP2004080001A

公开(公告)日：2004-03-11

申请号：JP2003165881

申请日：2003-06-11

Applicant: Asm America Inc ,  エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

Inventor： RAAIJMAKERS IVO

IPC: B25J9/10 ,  B25J13/08 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/681

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a system and a method for accurately positioning a substrate by detecting and correcting deviations of a wafer and the other substrate from respective reference positions during the carriage of them by a robot. SOLUTION: The system includes at least two fixed reference points 302, 304. The reference points 302, 304 are allowed to have fixed positional relation with a working tool or an end effector 224. When a robot arm moves the end effector 224 and the substrate 210 along a passage, a camera 306 captures images of the edge of the substrate 210, and the reference points 302, 304. Two or more cameras 306 can also be arranged. Then the computer can calculate the positional drift of the substrate 210 from its expected or center position on the end effector 224, on the basis of these read result and the drift can be corrected in subsequent robot arm movement. COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：JP5335992B2

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：JP2012509857

申请日：2010-04-30

Applicant: エイエスエム・アメリカ・インコーポレイテッドAsm America Inc.

Inventor： アグガーワル，ラビンダー・ケイ ,  ハロ，ロバート・シー

IPC: G01K7/02 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: G01K7/02 ,  G01K7/04

Abstract: An improved thermocouple assembly for providing a temperature measurement is provided. The thermocouple assembly includes a sheath having a measuring tip, a support member received within the sheath, and first and second wires disposed within the support member. An end of each of the first and second wires are fused together to form a thermocouple junction therebetween. A recessed region is formed in a distal end of the support member, and the thermocouple junction is fixedly located at the base of the recessed region such that the recessed region maintains the thermocouple junction in a substantially fixed position relative to the measuring tip of the sheath.

公开(公告)号：JP2012522901A

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：JP2012504786

申请日：2010-04-06

Applicant: エイエスエム・アメリカ・インコーポレイテッドAsm America Inc.

Inventor： シェロ，エリック ,  ターホスト，ヘルベルト ,  バーギース，モヒス ,  ホワイト，カール ,  モーリス，ダン

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45591 ,  H01L21/0228 ,  Y10T137/85938

Abstract: 反応器は、反応チャンバ（１６）及び排気アッセンブリ（１８）に作動的に接続されたガス供給システム（１４）を含むハウジングを有する。 ガス供給システムは、少なくとも一つのプロセスガスを反応チャンバに提供する複数のガスラインを含む。 ガス供給システムは更に少なくとも一つのプロセスガスを収容するミキサ（２０）を含む。 ミキサは、プロセスガスを放散するように構成されたディフューザ（２２）に作動的に接続される。 ディフューザは、反応チャンバの上面（２４）に直接的に取り付けられ、それによって、それらの間にディフューザ容積を形成する。 ディフューザは、プロセスガスが反応チャンバに導入される前にディフューザ容積を通過する際にプロセスガスに流れ制限を提供するように構成された少なくとも一つの分配表面を含む。 反応チャンバは、半導体基板が処理のために配置される反応空間を画定する。 排気アッセンブリは、反応していないプロセスガスを引き込むために反応チャンバに作動的に接続され、反応空間から放出する。
【選択図】図２