公开(公告)号：TWI309497B

公开(公告)日：2009-05-01

申请号：TW095106348

申请日：2006-02-24

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 長谷川守仁 HASEGAWA, MORIHITO

IPC: H02M

CPC classification number: H02M3/158 ,  H02M2001/008 ,  Y10T307/406 ,  Y10T307/469

Abstract: 一種能夠防止可聽見之噪聲之因在相關之切換頻率之間之差異之起之產生及防止在輸入電力源連波電壓上之增加的比較器-控制型DC-DC變換器的控制電路和控制方法是被揭露。一個相位比較器輸出一個對應於在一個輸出訊號與一個延遲訊號之間之相位差的比較-結果訊號。一個延遲電路對應於該比較-結果訊號來執行一個用於調整延遲時間之量的回饋控制。而且,在規定之延遲時間自一個輸出訊號之降緣被輸入之時起的通過之後,該延遲電路輸出一個延遲訊號。於一個在規定之時間之通過之後的時間處,一個致使該延遲訊號之周期與該輸出訊號之周期彼此一致且使在該延遲訊號與該輸出訊號之間之相位差成零的時間延遲是被得到。

Abstract in simplified Chinese: 一种能够防止可听见之噪声之因在相关之切换频率之间之差异之起之产生及防止在输入电力源连波电压上之增加的比较器-控制型DC-DC变换器的控制电路和控制方法是被揭露。一个相位比较器输出一个对应于在一个输出信号与一个延迟信号之间之相位差的比较-结果信号。一个延迟电路对应于该比较-结果信号来运行一个用于调整延迟时间之量的回馈控制。而且,在规定之延迟时间自一个输出信号之降缘被输入之时起的通过之后,该延迟电路输出一个延迟信号。于一个在规定之时间之通过之后的时间处,一个致使该延迟信号之周期与该输出信号之周期彼此一致且使在该延迟信号与该输出信号之间之相位差成零的时间延迟是被得到。

公开(公告)号：TWI307129B

公开(公告)日：2009-03-01

申请号：TW095120596

申请日：2006-06-09

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 新城嘉昭 SHINJO, YOSHIAKI ,  下別府祐三 SHIMOBEPPU, YUZO ,  手代木和雄 TESHIROGI, KAZUO ,  吉本和浩 YOSHIMOTO, KAZUHIRO

IPC: H01L

CPC classification number: B32B37/04 ,  B29C63/0056 ,  B29C65/16 ,  B29C65/1635 ,  B29C65/1658 ,  B29C65/7891 ,  B29C66/1122 ,  B29C66/225 ,  B29C66/232 ,  B29C66/45 ,  B29C66/71 ,  B29C66/723 ,  B29C66/7392 ,  B29C66/744 ,  B29C66/81267 ,  B29C66/82423 ,  B29C66/8266 ,  B29C66/8322 ,  B29C66/8362 ,  B32B38/0004 ,  B32B2037/1072 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/27 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  Y10T156/1052 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  B29K2079/08 ,  B29K2063/00 ,  B29K2067/003

Abstract: 一種薄膜接合方法,用以接合晶粒接合薄膜,且不會產生任何破損。使用一薄膜放置滾筒以及一薄膜接合滾筒,將晶粒接合薄膜擠壓而緊靠著一上面接含有表面保護膠帶的晶圓。而且,具有預定形狀的一雷射光束是照射至此兩滾筒之間的區域上。同時旋轉式地移動薄膜放置滾筒以及薄膜接合滾筒,根據兩者的移動,將雷射光束掃描於晶圓上。受雷射光束照射而熔化的一部分晶粒接合薄膜,受到跟隨薄膜放置滾筒的薄膜接合滾筒之擠壓,而緊靠著晶圓,以便將晶粒接合薄膜接合至晶圓。由於晶粒接合薄膜是藉由雷射光束將其熔化而接合至晶圓的,所以,即使晶圓很薄且强度減弱,仍可以使晶圓免於因表面保護膠帶的熱伸縮而產生破損。

Abstract in simplified Chinese: 一种薄膜接合方法,用以接合晶粒接合薄膜,且不会产生任何破损。使用一薄膜放置滚筒以及一薄膜接合滚筒,将晶粒接合薄膜挤压而紧靠着一上面接含有表面保护胶带的晶圆。而且,具有预定形状的一激光光束是照射至此两滚筒之间的区域上。同时旋转式地移动薄膜放置滚筒以及薄膜接合滚筒,根据两者的移动,将激光光束扫描于晶圆上。受激光光束照射而熔化的一部分晶粒接合薄膜,受到跟随薄膜放置滚筒的薄膜接合滚筒之挤压,而紧靠着晶圆,以便将晶粒接合薄膜接合至晶圆。由于晶粒接合薄膜是借由激光光束将其熔化而接合至晶圆的,所以,即使晶圆很薄且强度减弱,仍可以使晶圆免于因表面保护胶带的热伸缩而产生破损。

公开(公告)号：TWI306635B

公开(公告)日：2009-02-21

申请号：TW094146177

申请日：2005-12-23

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 玉川道昭 TAMAGAWA, MICHIAKI ,  南澤正榮 MINAMIZAWA, MASAHARU

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/433 ,  H01L23/055 ,  H01L23/373 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一種半導體裝置具有高可靠性和優異散熱及一種用於以低成本製造該裝置的方法。一個半導體元件和一個作為散熱元件的蓋體是經由一個含焊錫碳元件來被黏接,該碳元件具有一個結構為,外側焊錫層是形成於該藉由把焊鍚灌注至一個碳燒結體內來被形成之含焊錫碳燒結體的表面上。藉由利用該燒結體於在該半導體元件與該蓋體之間的會合處,於半導體元件之熱產生期間的熱應力能夠在確保高散熱時被舒緩。藉由把便宜的焊錫灌注至該燒結體內,該燒結體與該等外側焊錫層能夠被牢固地黏接。該等外側焊錫層、該半導體元件與該蓋體能夠被牢固地黏接。因此,具有高可靠性與優異散熱的半導體裝置能夠以低成本實現。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备具有高可靠性和优异散热及一种用于以低成本制造该设备的方法。一个半导体组件和一个作为散热组件的盖体是经由一个含焊锡碳组件来被黏接,该碳组件具有一个结构为,外侧焊锡层是形成于该借由把焊钖灌注至一个碳烧结体内来被形成之含焊锡碳烧结体的表面上。借由利用该烧结体于在该半导体组件与该盖体之间的会合处,于半导体组件之热产生期间的热应力能够在确保高散热时被舒缓。借由把便宜的焊锡灌注至该烧结体内,该烧结体与该等外侧焊锡层能够被牢固地黏接。该等外侧焊锡层、该半导体组件与该盖体能够被牢固地黏接。因此,具有高可靠性与优异散热的半导体设备能够以低成本实现。

公开(公告)号：TWI306547B

公开(公告)日：2009-02-21

申请号：TW092103939

申请日：2003-02-25

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 八尾輝芳 TERUYOSHI YAO ,  淺井了 SATORU ASAI

IPC: G03F ,  H01L

CPC classification number: G03F7/70941 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70591

Abstract: 於假想領域(2)及(3)形成作為副圖案之虛設圖案。但假想領域(2)及(3)僅形成主圖案時之開口率分別為60%、90%。假想領域(2)中之虛設圖案係邊長0.15���m之正方形遮光圖案,假想領域(3)中之虛設圖案係邊長0.2���m之正方形遮光圖案。又,假想領域(2)及(3)之開口率皆設定於30%。如使用此光罩進行曝光,於感光體的曝光光可照射的範圍內,無論於哪一點,因局部光斑所產生的光量幾乎相同。結果,即使產生線寬變動,光罩全體變動的幅度皆相同。

Abstract in simplified Chinese: 于假想领域(2)及(3)形成作为副图案之虚设图案。但假想领域(2)及(3)仅形成主图案时之开口率分别为60%、90%。假想领域(2)中之虚设图案系边长0.15���m之正方形遮光图案,假想领域(3)中之虚设图案系边长0.2���m之正方形遮光图案。又,假想领域(2)及(3)之开口率皆设置于30%。如使用此光罩进行曝光,于感光体的曝光光可照射的范围内,无论于哪一点,因局部光斑所产生的光量几乎相同。结果,即使产生线宽变动,光罩全体变动的幅度皆相同。

公开(公告)号：TWI306291B

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：TW095104709

申请日：2006-02-13

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 渡邊直行 WATANABE, NAOYUKI

IPC: H01L ,  H04N

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/73 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一種半導體裝置,該裝置包括一半導體元件、一透明構件,其與該半導體元件隔開一指定的長度,並且面對該半導體元件、一密封構件,其密封該透明構件之一邊緣表面以及半導體元件的一邊緣部分、以及一衝擊吸收構件,其設置於透明構件的邊緣表面以及密封構件之間,並且緩和該透明構件所接收之來自於密封構件或是半導體元件的一應力。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备,该设备包括一半导体组件、一透明构件,其与该半导体组件隔开一指定的长度,并且面对该半导体组件、一密封构件,其密封该透明构件之一边缘表面以及半导体组件的一边缘部分、以及一冲击吸收构件,其设置于透明构件的边缘表面以及密封构件之间,并且缓和该透明构件所接收之来自于密封构件或是半导体组件的一应力。

公开(公告)号：TWI305038B

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：TW095112825

申请日：2006-04-11

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 西村隆雄 NISHIMURA, TAKAO ,  平岡哲也 HIRAOKA, TETSUYA

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/49589 ,  H01L23/49503 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0695

Abstract: 一種半導體裝置,該裝置能夠防止電極接頭與一晶粒襯墊之間的接觸,並且能夠確實實行將線路結合到該等電極接頭。形成一被動組件,以致於使各個電極接頭之垂直高度高於一元件部分的高度。更具體而言,該等電極接頭之各個橫剖面面積係稍微大於元件部分的橫剖面面積。所以,各個電極接頭之一上方部分與下方部分係稍微高於元件部分(自該元件部分突出)。被動組件係透過一黏著劑加以固定,以致於使該元件部分位於高位置部分上,以便使其幾乎與一基板表面平行。此外,各電極接頭之一部分(底部部分)係位於各個凹陷部分中的空間中。因此,在各個電極接頭以及晶粒襯墊之間係形成一預定的空間。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备,该设备能够防止电极接头与一晶粒衬垫之间的接触,并且能够确实实行将线路结合到该等电极接头。形成一被动组件,以致于使各个电极接头之垂直高度高于一组件部分的高度。更具体而言,该等电极接头之各个横剖面面积系稍微大于组件部分的横剖面面积。所以,各个电极接头之一上方部分与下方部分系稍微高于组件部分(自该组件部分突出)。被动组件系透过一黏着剂加以固定,以致于使该组件部分位于高位置部分上,以便使其几乎与一基板表面平行。此外,各电极接头之一部分(底部部分)系位于各个凹陷部分中的空间中。因此,在各个电极接头以及晶粒衬垫之间系形成一预定的空间。

公开(公告)号：TWI305021B

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：TW095108765

申请日：2006-03-15

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 生雲雅光 IKUMO, MASAMITSU ,  依田博行 YODA, HIROYUKI ,  渡邊英二 WATANABE, EIJI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一種半導體裝置包含多數個設在一半導體基材之指定位置的電極層、一藉由選擇性暴露該等電極層的指定區域在該半導體基材上所形成的有機絕緣薄膜、及用於外部連接的突出電極,該等突出電極係形成在該等電極層的指定區域。該有機絕緣薄膜位於該等突出電極周圍附近的厚度係大於該有機絕緣薄膜位在該等突出電極之間的厚度。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含多数个设在一半导体基材之指定位置的电极层、一借由选择性暴露该等电极层的指定区域在该半导体基材上所形成的有机绝缘薄膜、及用于外部连接的突出电极,该等突出电极系形成在该等电极层的指定区域。该有机绝缘薄膜位于该等突出电极周围附近的厚度系大于该有机绝缘薄膜位在该等突出电极之间的厚度。

公开(公告)号：TWI314429B

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：TW095106369

申请日：2006-02-24

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 松井弘之 MATSUI, HIROYUKI ,  松木浩久 MATSUKI, HIROHISA ,  大竹幸喜 OTAKE, KOKI

IPC: H05K ,  B23K

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025

Abstract: 本發明揭露一種回流裝置,其中甲酸用於清潔處理目標上之焊料電極的表面。此回流裝置包括一處理室;甲酸引入機構,用於提供含有甲酸之常壓氣體至此處理室;以及遮蔽構件,其係由抗甲酸之具有抗腐蝕性的材料製成。此遮蔽構件係設置在此處理室之回流處理組件及此處理室的內壁之間。取代遮蔽構件,或除了遮蔽構件之外,此回流裝置可包括用於分解殘餘甲酸的加熱器。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种回流设备,其中甲酸用于清洁处理目标上之焊料电极的表面。此回流设备包括一处理室;甲酸引入机构,用于提供含有甲酸之常压气体至此处理室;以及屏蔽构件,其系由抗甲酸之具有抗腐蚀性的材料制成。此屏蔽构件系设置在此处理室之回流处理组件及此处理室的内壁之间。取代屏蔽构件,或除了屏蔽构件之外,此回流设备可包括用于分解残余甲酸的加热器。

公开(公告)号：TWI313057B

公开(公告)日：2009-08-01

申请号：TW095118094

申请日：2006-05-22

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 手代木和雄 TESHIROGI, KAZUO ,  下別府祐三 SHIMOBEPPU, YUZO ,  吉本和浩 YOSHIMOTO, KAZUHIRO ,  新城嘉昭 SHINJO, YOSHIAKI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L23/3128 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一種半導體元件之製造方法來達成,該方法包括:(i)設置一透明構件之步驟,該透明構件係設置在半導體基板之一主要表面上,該半導體基板上形成有多數半導體組件;(ii)第一分割步驟,對應該半導體組件之指定區域來分割該透明構件;(iii)第二分割步驟,對應該半導體組件之外部構形來分割該透明構件;以及(iv)分割該半導體基板之分割步驟,將該半導體基板分割成對應該透明構件之分割位置的該半導體組件。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件之制造方法来达成,该方法包括:(i)设置一透明构件之步骤,该透明构件系设置在半导体基板之一主要表面上,该半导体基板上形成有多数半导体组件;(ii)第一分割步骤,对应该半导体组件之指定区域来分割该透明构件;(iii)第二分割步骤,对应该半导体组件之外部构形来分割该透明构件;以及(iv)分割该半导体基板之分割步骤,将该半导体基板分割成对应该透明构件之分割位置的该半导体组件。

公开(公告)号：TWI310219B

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：TW094113117

申请日：2005-04-25

Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

Inventor： 橋見一生 HASHIMI, KAZUO ,  佐藤豪一 SATO, HIDEKAZU

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814

Abstract: 一種半導體元件之製造方法,包括下述步驟:在半導體基板上形成一介電膜;(b)藉由乾式處理蝕刻該介電膜;以及(c)在指定溫度條件下,供應經熱分解之原子氫至該半導體基板,以去除由於該乾式處理在該半導體基板中所產生的受損層。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件之制造方法,包括下述步骤:在半导体基板上形成一介电膜;(b)借由干式处理蚀刻该介电膜;以及(c)在指定温度条件下,供应经热分解之原子氢至该半导体基板,以去除由于该干式处理在该半导体基板中所产生的受损层。