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公开(公告)号：JP5677678B2
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：JP2011123328
申请日：2011-06-01
Inventor： ジョン フン リ， , ジョン フン リ， , ラクロイク ヤベス， , ラクロイク ヤベス， , ヒョン スウ ユン， , ヒョン スウ ユン， , ヨン ジュ リ， , ヨン ジュ リ，
CPC classification number: H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/01322 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JP2015500573A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2014547101
申请日：2012-12-13
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/42
Abstract: 半導体素子及びそれを製造する方法を開示する。一実施例に係る発光ダイオードの製造方法は、窒化ガリウム基板上に第1の窒化ガリウム層、窒化ガリウム層に比べて狭いバンドギャップを有する犠牲層、及び第2の窒化ガリウム層を形成し、第2の窒化ガリウム層及び犠牲層を貫通する溝を形成し、第2の窒化ガリウム層上に窒化ガリウム系列の各半導体層を成長させることによって半導体積層構造体を形成し、前記半導体積層構造体上に支持基板を形成し、前記犠牲層をエッチングすることによって前記半導体積層構造体から前記窒化ガリウム基板を除去することを含む。溝を用いて犠牲層をエッチングするので、支持基板にダメージを与えずに半導体積層構造体から分離することができる。
Abstract translation: 它公开了一种半导体装置及其制造方法。 制造发光二极管，根据一个实施例的方法中，氮化镓衬底上的第一氮化镓层，以形成牺牲层，并具有一个带隙比氮化镓层窄的第二氮化镓层，所述 形成凹槽穿透所述第二氮化镓层和牺牲层，由第二氮化镓层上的氮化镓系列的各个半导体层生长，以形成半导体层叠构造，其特征在于，所述半导体层叠结构上 在支撑基板上形成，并通过蚀刻牺牲层除去所述半导体层叠结构的氮化镓衬底。 由于使用凹槽蚀刻牺牲层，可以从半导体层叠结构，而不会损坏支撑衬底分离。
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公开(公告)号：JP2014529200A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2014534485
申请日：2012-10-08
Inventor： ジュン ヨン パク， , ジュン ヨン パク， , デ ウン ス， , デ ウン ス， , ボ ラミ アイ ジャン， , ボ ラミ アイ ジャン， , ヒ チュル ジュン， , ヒ チュル ジュン， , キュ ホ イ， , キュ ホ イ， , チャン フン キム， , チャン フン キム，
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/483 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本発明は、発光ダイオードパッケージに関する。本発明によると、成長基板と、成長基板の一側表面上に備えられたパッシベーション層と、本体部と壁部を備えており、壁部は本体部上に備えられたパッケージ基板と、を含み、少なくとも本体部、壁部及びパッシベーション層の間の空間は外部と密閉される発光ダイオードパッケージが提供される。
Abstract translation: 本发明涉及一种发光二极管封装件。 根据本发明包括在生长衬底和设置在生长衬底钝化层的一个侧表面包括主体部分和壁部，所述壁部和设置于所述主体部分的封装基板，该 至少所述主体部，所述壁部与所述钝化层之间的空间是与设置在外部的发光二极管封装体密封。
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24.发明专利GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开基于GaN的化合物半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014179654A
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：JP2014117745
申请日：2014-06-06
Applicant: Seoul Viosys Co Ltd , ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , Postech Foundation , ポステック・ファウンデーション
Inventor： LEE JONG-LAM
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical type GaN light emitting element capable of improving characteristics of a horizontal type light emitting element by a metal protection film layer and a metal support layer.SOLUTION: A thick metal protection film layer 1100 of 10 micron or more is formed on the side surface and/or the lower surface of a vertical type GaN-LED, so that an element can be protected from an external impact and chip separation can be easily performed. And also, a metal substrate is used instead of a sapphire substrate so that heat that is generated at the time of element operation can be easily released, thereby suitable for use in a high output element. Thus, an element having improved optical output characteristics can be manufactured. A metal support layer 1900 is formed so that a phenomenon such that the element is distorted at the time of chip separation or damaged by an impact can be prevented. A p-type electrode 1200 is partially formed in a network on a p-GaN 1300, so that radiation of photon formed in an active layer 1400 toward an n-GaN layer 1500 can be maximized.
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够通过金属保护膜层和金属支撑层改善水平型发光元件的特性的垂直型GaN发光元件。解决方案：10微米的厚金属保护膜层1100或 在垂直型GaN-LED的侧面和/或下表面上形成更多的元素，从而可以保护元件免受外部冲击，并且可以容易地进行芯片分离。 而且，使用金属基板代替蓝宝石基板，能够容易地释放元件运转时产生的热量，适合用于高输出元件。 因此，可以制造具有改善的光输出特性的元件。 形成金属支撑层1900，从而可以防止在芯片分离时或元件被冲击损坏时元件变形的现象。 p型电极1200部分地形成在p-GaN 1300上的网络中，使得在有源层1400中形成的朝向n-GaN层1500形成的光子的辐射可以最大化。
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25.发明专利Plant cultivation device for producing ginseng having high content of ginsenoside 有权用于生产具有甘氨酸高含量金山的植物培养装置
公开(公告)号：JP2014155492A
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：JP2014026686
申请日：2014-02-14
Inventor： KOO JONG HYEON , SON YOUNG HWAN , LEE SEONG MIN , YI JAE SEON , YOO KIL SUN , PARK JUNG YOUL
CPC classification number: A01G7/04 , A01G7/045 , Y02P60/146
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plant cultivation device for producing ginseng having high content of ginsenoside.SOLUTION: A plant cultivation device comprises: a guide rail provided along a longer direction of a ginseng cultivation bed on an upper portion of the ginseng cultivation bed; a movable part which is connected to the guide rail and moves on the guide rail; an arm part in which one end is connected to the movable part and the other end extends in a variable length from the movable part toward a ginseng cultivation space on the ginseng cultivation bed; and an ultraviolet ray irradiating section which is connected to the other end of the arm part and irradiates the ginseng cultivation bed with ultraviolet rays in a specific period of a ginseng cultivation period or a ginseng harvest period.
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于生产具有高含量人参皂甙的人参的植物培养装置。解决方案：一种植物培养装置，包括：沿人参栽培床的较长方向沿人参栽培床上部设置的导轨 ; 可移动部分，其连接到导轨并在导轨上移动; 臂部，其一端与可动部连接，另一端从可动部朝向人参栽培台上的人参培养空间延伸; 以及紫外线照射部，其连接到所述臂部的另一端，并且在人参栽培期间或人参收获期间的特定时间内照射所述人参栽培床的紫外线。
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Patent Agency Ranking26.发明专利Light-emitting element having plurality of nonpolar light-emitting cells, and method for manufacturing the same 审中-公开具有非极性发光单元的多重性的发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014140084A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：JP2014096268
申请日：2014-05-07
Inventor： KIM KWANG CHOONG , SEO WON CHEOL , KIM DAEWON , KAL DAE SUNG , YE KYUNG HEE
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/32 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting element having a plurality of nonpolar light-emitting cells, and a method for manufacturing the same.SOLUTION: A light-emitting element includes: a substrate; a plurality of nonpolar or semipolar light-emitting cells which are formed in the upper part of the substrate so as to be separated from each other and have a first conductivity type upper semiconductor layer, an active layer and a second conductivity type lower semiconductor layer; a material layer covered with the first conductivity type upper semiconductor layer of the light-emitting cell; an insulating layer which is arranged on the light-emitting cell and fills in a gap between the material layers; at least one wire which electrically connects the light-emitting cells each other under the insulating film; and an interlayer insulating layer which covers at least one wire and is interposed between the substrate and the light-emitting cell.
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有多个非极性发光单元的发光元件及其制造方法。解决方案：发光元件包括：基板; 多个非极性或半极性发光单元，形成在基板的上部，以便彼此分离并具有第一导电型上半导体层，有源层和第二导电类型下半导体层; 覆盖有发光单元的第一导电型上半导体层的材料层; 绝缘层，其布置在所述发光单元上并填充所述材料层之间的间隙; 在所述绝缘膜之下使所述发光单元彼此电连接的至少一根线; 以及覆盖至少一根导线并插入在基板和发光单元之间的层间绝缘层。
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公开(公告)号：JP2014103397A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：JP2013238523
申请日：2013-11-19
Inventor： CHOI JOO WON , KIM CHANG YEON , HEO JEONG HUN , KIM YOUNG WUG , HONG SU YOUN , RYU SANG WAN
IPC: H01L21/3063 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02032 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate recycling method and a recycled substrate.SOLUTION: The substrate recycling method comprises: preparing a substrate having a surface separated from an epitaxial layer; etching the substrate surface using electrochemical etching; and using chemical etching, dry etching, or chemical mechanical polishing techniques to remove the surface etched using electrochemical etching.
Abstract translation: 要解决的问题：提供基板回收方法和再循环基板。解决方案：基板回收方法包括：制备具有与外延层分离的表面的基板; 使用电化学蚀刻蚀刻衬底表面; 并使用化学蚀刻，干蚀刻或化学机械抛光技术去除使用电化学蚀刻蚀刻的表面。
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公开(公告)号：JP2015509663A
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2014558673
申请日：2013-02-18
Applicant: ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , 三菱化学株式会社
Inventor： キム，チャンヨン , チョ，デソン , ナム，キボン , キム，ヨンウ , ユ，ジョンキュン , 下山 謙司 , 謙司 下山 , 隆秀 城市 , 隆秀 城市 , 栗原 香 , 香 栗原
IPC: H01L33/32 , H01L21/205 , H01L21/306 , H01L33/22
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/387 , H01L33/44
Abstract: 本発明では、高効率発光ダイオード、及びその製作方法を開示する。前記発光ダイオードは、支持基板上に配置されているとともに、窒化ガリウム系p型半導体層と、窒化ガリウム系活性層と、窒化ガリウム系n型半導体層とを含む半導体積層構造と、前記支持基板と前記半導体積層構造との間に配置された反射層とを含み、前記半導体積層構造は、円錐台形状を有する複数の凸部と、前記凸部の頂面上に形成された微小な錐体とを含む。この構成によって、低い転位密度を有する前記半導体積層構造の光取り出し効率を向上させることができる。
Abstract translation: 在本发明中，高效率的发光二极管，并公开了其制造的方法。 与被布置在支撑衬底，氮化镓基p型半导体层，和一个氮化镓基有源层，半导体多层结构，包括基于氮化镓的n型半导体层，并且在支撑基底上的发光二极管 和所述半导体多层结构，并且设置在所述半导体层叠结构，多个具有截锥形状，形成的凸部的顶表面上的非常小的锥形的突起之间的反射层 包括。 这种安排可以提高具有低位错密度的半导体多层结构的光提取效率。
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公开(公告)号：JP2015504242A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2014547096
申请日：2012-12-12
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091
Abstract: 半導体素子及びそれを製造する方法を開示する。一つの実施例として、導電性基板と、この基板上に位置する窒化ガリウム系列の半導体積層体とを含む発光ダイオードが提供される。前記半導体積層体は、半極性半導体層の活性層を含むことができる。その結果、発光効率が改善された発光ダイオードを提供することができる。
Abstract translation: 它公开了一种半导体装置及其制造方法。 作为一个实例，一个导电性基体，提供了包括GaN串接位于衬底上的一个半导体堆的发光二极管。 半导体堆叠可以包括半极性半导体层的有源层。 其结果，有可能提供一种发光二极管的发光效率提高。
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公开(公告)号：JP2014120776A
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：JP2013256795
申请日：2013-12-12
Inventor： LEE JIN WOONG , KIM KYOUNG WAN , YOON YEO JIN , KIM YE SEUL , KIM TAE KYOON
CPC classification number: H01L33/382 , H01L24/05 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/05558 , H01L2224/05644 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting diode, and a method for manufacturing the same.SOLUTION: A light-emitting diode comprises: a semiconductor laminate structure including a first semiconductor layer, an active layer and a second semiconductor layer on a substrate; a conductive substrate formed on the semiconductor laminate structure; and an electrode formed through ohmic contact with the conductive substrate. The electrode is provided with a laser groove which is formed penetrating from the electrode to a part of the conductive substrate by subjecting the electrode and the conductive substrate to laser scribing. Thereby, the light-emitting diode can be locally thermally transferred with the use of a laser, and accordingly has an effect of making the electrode form an ohmic contact and thereby lowering an operation voltage and reducing a heating value.
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种发光二极管及其制造方法。解决方案：发光二极管包括：半导体层叠结构，包括第一半导体层，有源层和第二半导体层， 基质; 形成在所述半导体层叠结构上的导电基板; 以及通过与导电基板欧姆接触形成的电极。 电极设置有激光槽，该激光槽通过对电极和导电基板进行激光划线而从电极穿透到导电基板的一部分。 因此，可以通过使用激光来局部地热转印发光二极管，因此具有使电极形成欧姆接触从而降低操作电压并降低发热值的效果。
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