公开(公告)号：US20140339399A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：US14362761

申请日：2012-12-10

Applicant: SOCIETE FRANCAISE DE DETECTEURS INFRAROUGES-SOFRADIR

Inventor： Eric Sanson

IPC: H03F3/08

CPC classification number: H03F3/087 ,  G01J1/46 ,  G01S3/784 ,  H01L27/1443 ,  H04N5/33

Abstract: An electromagnetic radiation detection circuit includes a photodetector transforming the received electromagnetic radiation into an electric current. A bias circuit is connected to the photodetector. An amplifying circuit has an input terminal coupled to the photodetector. An amplifying transistor has a first low-impedance electrode forming the input terminal of the amplifying circuit and a second low-impedance electrode coupled to an output terminal of the detection circuit. The transistor is configured to conduct the current applied on the first electrode. A high-impedance electric load is connected to the second electrode to deliver a voltage representative of the electric current originating from the photodetector.

Abstract translation: 电磁辐射检测电路包括将所接收的电磁辐射变换为电流的光电检测器。 偏置电路连接到光电检测器。 放大电路具有耦合到光电检测器的输入端。 放大晶体管具有形成放大电路的输入端的第一低阻抗电极和耦合到检测电路的输出端的第二低阻抗电极。 晶体管被配置为传导施加在第一电极上的电流。 高阻抗电负载连接到第二电极以传递表示源自光电检测器的电流的电压。

公开(公告)号：US20130119503A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13678015

申请日：2012-11-15

Applicant: Societe Francaise de Detecteurs Infrarouges - Sofradir

Inventor： Fabien CHABUEL ,  Laurent RUBALDO

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14652 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1013 ,  H01L31/103

Abstract: The substrate includes successively a first semiconductor layer having a first bandgap energy, a semiconductor buffer layer, a second semiconductor layer having a first bandgap energy different from the first bandgap energy. Two photodetectors sensitive to two different colors are formed respectively on the first and second semiconductor layers. A first biasing pad electrically connects the first semiconductor layer to a first biasing circuit. A second biasing pad electrically connects the second semiconductor layer to a second biasing circuit. The first biasing pad is devoid of electrical contact with the second semiconductor layer.

Abstract translation: 衬底连续地包括具有第一带隙能的第一半导体层，半导体缓冲层，具有不同于第一带隙能的第一带隙能的第二半导体层。 分别在第一和第二半导体层上形成对两种不同颜色敏感的两个光电检测器。 第一偏置焊盘将第一半导体层电连接到第一偏置电路。 第二偏压板将第二半导体层电连接到第二偏置电路。 第一偏置焊盘与第二半导体层没有电接触。

公开(公告)号：WO2015132539A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/FR2015/050553

申请日：2015-03-06

Applicant: SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES - SOFRADIR

Inventor： MAILLART, Patrick

IPC: G01J1/46

CPC classification number: G01J1/46 ,  H02J7/0021 ,  H02J7/345

Abstract: Le circuit de détection de rayonnement lumineux comporte un photodétecteur (1). Le photodétecteur (1) est couplé à trois condensateurs (C1, C2, C3) par l'intermédiaire de trois interrupteurs. Les condensateurs (C1, C2, C3) sont montés en parallèles de manière à former une charge capacitive (4) dont la valeur de capacité électrique évolue en fonction des ouvertures/fermetures des interrupteurs. Cette configuration permet de stabiliser la tension présente sur la borne de sortie (S) du circuit de détection pour une plus large gamme d'illumination subie par le photodétecteur (1).

Abstract translation: 本发明涉及一种包括光检测器（1）的光线检测电路。 光检测器（1）通过三个开关耦合到三个电容器（C1，C2，C3）。 电容器（C1，C2，C3）并联安装以形成电容性负载（4），其电容值根据开关是否接通而变化。 所述配置使得可以稳定存在于检测电路的输出端子（S）上的电压，从而使光检测器进行更宽的照明范围。

公开(公告)号：WO2015132538A1

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/FR2015/050552

申请日：2015-03-06

Applicant: SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES - SOFRADIR

Inventor： TERME, Jean-Christophe ,  KESSLER, Antoine

IPC: G01J5/06 ,  F25B9/02 ,  F25D19/00

CPC classification number: G01J5/061 ,  F25B9/02 ,  F25D19/006

Abstract: Un dispositif de détection de rayonnement infrarouge comporte un circuit de détection (1) du rayonnement infrarouge muni d'au moins un photodétecteur. Un circuit de lecture (2) est connecté électriquement au circuit de détection (1) et il est configuré pour traiter le signal émis par le circuit de détection (1). Un refroidisseur de Joule-Thomson vient refroidir une table froide (3) connectée thermiquement et mécaniquement au circuit de détection (1) et au circuit de lecture (2). La table froide (3) comportant une cavité interne (7) alimentée en mélange gazeux. Un orifice de détente (5) du mélange gazeux est disposé à une entrée de la cavité interne (7). Une sortie du compresseur (6) vient alimenter l'orifice de détente (5) en un mélange gazeux. L'entrée du compresseur (6) reçoit le mélange gazeux détendu en provenance d'une sortie de la cavité interne (7).

Abstract translation: 用于检测红外辐射的装置包括用于检测配备有至少一个光电检测器的红外辐射的电路（1）。 读取电路（2）电连接到检测电路（1），并且被配置为处理由检测电路（1）发射的信号。 焦耳汤姆森冷却器冷却冷热板（3），该冷板（3）热和机械连接到检测电路（1）和读电路（2）。 冷板（3）包括供应有气体混合物的内部空腔（7）。 用于膨胀气体混合物的孔口（5）被放置在内部空腔（7）的入口处。 压缩机（6）的出口向膨胀孔（5）供应气体混合物。 压缩机（6）的入口容纳来自内腔（7）的出口的膨胀气体混合物。

公开(公告)号：WO2014041262A3

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：PCT/FR2013000245

申请日：2013-09-17

Applicant: SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES SOFRADIR

Inventor： CHABUEL FABIEN ,  RUBALDO LAURENT

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/103

CPC classification number: H01L31/1013 ,  H01L31/1032

Abstract: According to the invention, the substrate (3) sequentially comprises a first semiconductor layer (5) having a first band gap energy, a buffer semiconductor layer (6) a second semiconductor layer (7) having a second band gap energy different from the first band gap energy. Two photo-detectors (1, 2) sensitive to two different colors are respectively formed by means of the first and second semiconductor layers (5, 7). The first semiconductor layer (5) comprises two main opposite surfaces. The first main surface is covered by the second semiconductor layer (7). The second main surface is covered or not by a passivation film (4) having a thickness equal to or lower than 3 μm.

Abstract translation: 根据本发明，衬底（3）依次包括具有第一带隙能量的第一半导体层（5），具有不同于第一带隙能量的第二带隙能量的第二半导体层（7）的缓冲半导体层（6） 带隙能量。 通过第一和第二半导体层（5,7）分别形成对两种不同颜色敏感的两个光电检测器（1,2）。 第一半导体层（5）包括两个主要相对表面。 第一主表面被第二半导体层（7）覆盖。 第二主表面被厚度等于或小于3μm的钝化膜（4）覆盖或不覆盖。

公开(公告)号：WO2013114012A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：PCT/FR2013/000031

申请日：2013-01-30

Applicant: SOCIETE FRANCAISE DE DETECTEURS INFRAROUGES - SOFRADIR

Inventor： SANSON, Eric

IPC: G06T1/20

CPC classification number: G06T1/20 ,  G01J1/4228

Abstract: Une matrice de pixel est organisée en lignes de pixels (L). Chaque pixel est soit dans un premier état soit dans un deuxième état. La matrice contient majoritairement des pixels dans le deuxième état. Chaque ligne (L) de pixels est testée afin de déterminer si elle contient ou non un pixel dans un premier état. Le résultat de ce test pour chaque ligne est inscrit dans un récepteur (3). Les lignes (L) possédant au moins un pixel dans le premier état sont analysées plus finement afin de déterminer la position de ce ou de ces pixels dans la ligne (L).

Abstract translation: 像素矩阵以像素（L）的行组织。 每个像素处于第一状态或第二状态。 主要包含第二状态的像素。 对每行（L）像素进行测试，以确定其是否包含处于第一状态的像素。 每行的这个测试的结果被写入接收器（3）。 更精细地分析具有第一状态中的至少一个像素的行（L），以便确定行（L）中的这些或这些像素的位置。

公开(公告)号：US20190181875A1

公开(公告)日：2019-06-13

申请号：US15777608

申请日：2016-11-10

Applicant: SOCIETE FRANCAISE DE DETECTEURS INFRARAOUGES - SOFRADIR

Inventor： Gilbert DECAENS

IPC: H03M1/16

CPC classification number: H03M1/162 ,  H03M1/168

Abstract: The analog-to-digital converter includes a first stage in which a voltage to be converted is applied to the input of a first comparator. The first comparator delivers, on a first digital output, a first digital result representative of the comparison between the voltage to be converted and the comparison voltage. The first digital output is connected to a calculator of a first intermediate voltage. A second comparator compares the first intermediate voltage with the comparison voltage and delivers a second digital result on a second digital output terminal. The second digital output terminal is connected to a second calculator of residual voltage that is a function of the voltage to be converted, of first and second voltages and of the first and second digital results. The first calculator is formed by the second calculator.

公开(公告)号：US10222267B2

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：US15282696

申请日：2016-09-30

Applicant: SOCIÉTÉ FRANçAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES—SOFRADIR ,  UNIVERSITÉ GRENOBLE ALPES

Inventor： Pierre Cassaigne ,  Alexis Lenain ,  Sébastien Gravier ,  Georges Kapelski

IPC: G01J5/06 ,  H01L31/024 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/103 ,  C22C5/04 ,  C22C16/00 ,  C22C19/07 ,  C22C38/00 ,  C22C38/08 ,  C22C38/10 ,  C22C38/22 ,  C22C38/30 ,  C22C38/32 ,  C22C38/36 ,  C22C38/38 ,  C22C38/54 ,  C22C45/00 ,  C22C45/10 ,  H01L27/144

Abstract: The detection device comprises a cold finger which performs the thermal connection between a detector and a cooling system. The cold finger comprises at least one side wall at least partially formed by an area made from the amorphous metal alloy. Advantageously, the whole of the cold finger is made from the amorphous metal alloy.

公开(公告)号：US10072978B2

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：US15124079

申请日：2015-03-06

Applicant: SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES—SOFRADIR

Inventor： Patrick Maillart

IPC: H01J40/14 ,  G01J1/46 ,  H02J7/00 ,  H02J7/34

CPC classification number: G01J1/46 ,  H02J7/0021 ,  H02J7/345

Abstract: The circuit of detection of light radiation includes a photodetector. The photodetector is coupled to three capacitors by means of three switches. The capacitors are parallel mounted to form a capacitive load whose value of electrical capacity changes as a function of the openings/closures of the switches. This configuration allows to stabilize the voltage present on the output terminal in the detection circuit for a wider range of illumination sustained by photodetector.

公开(公告)号：US09922933B2

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：US14837331

申请日：2015-08-27

Applicant: SOCIETE FRANCAISE DE DETECTEURS INFRAROUGES-SOFRADIR

Inventor： Olivier Chevrier ,  Emmanuel Carrere ,  Nicolas Pere-Laperne

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/02 ,  H01L21/08 ,  H01L21/10 ,  H01L27/146 ,  C30B9/12 ,  C30B25/18

CPC classification number: H01L23/544 ,  C30B9/12 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02411 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/08 ,  H01L21/101 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14669 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14696 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of positioning elements or additional technological levels on the incident surface of an infrared detector of hybridized type, said detector being formed of a detection circuit comprising an array network of photosensitive sites for the wavelength ranges of interest, hybridized on a read circuit, said detection circuit resulting from the epitaxial growth of a detection material on a substrate, comprising forming within the detection circuit indexing patterns by marking of the growth substrate.