Abstract:
Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind Verfahren zur Herstellung von amorphen Halbleiterschichten auf einem Substrat durch Aufbringen einer Halbleiterverbindung der Form E a E' n X m mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 330 - 10000 g/mol, wobei E, E' = Si, Ge; X = F, Cl, Br, I, -C 1 -C 12 -Alkyl, -C 1 -C 12 -Aryl, -C 1 -C 12 -Aralkyl, H; m > n+a und a+n ≥ 3, und anschließendes Konvertieren der Halbleiterverbindung in eine amorphe Halbleiterschicht, wobei das Konvertieren durch Behandeln der Halbleiterschicht mit einem, aus einem Wasserstoff-haltigen Prozessgas erzeugten Plasma erfolgt. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung nach dem Verfahren hergestellte Halbleiterschichten, derartige Halbleiterschichten umfassende elektronische und optoelektronische Erzeugnisse.
Abstract translation:本发明通过沉积具有重均分子量从330至10,000克/摩尔,化合物半导体EaE'nXm形式涉及用于生产在基材上的无定形半导体层的工艺,其中E,E“=硅,锗; X = F,氯,溴,I,-C 1 -C 12烷基,-C 1 -C 12 - 芳基,-C 1 -C 12 - 芳烷基,H; M> N + a和a + N = 3,然后将化合物半导体转换成非晶半导体层,其中,所述通过与来自含氢工艺气体的等离子体产生的进行处理半导体层转换。 此外,根据制造的半导体层,这样的半导体层的方法本发明涉及综合电子和光电产品。
Abstract:
The present invention relates to suspensions which have a very low salt content and contain at least one precipitated silica, a process for producing them and also their use.
Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft lagerstabile Produktsysteme mit hoher Latenz und guter mechanischer Stabilität, welche u. a. für Prämixformulierungen geeignet sind. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Formulierungen sowie deren Verwendung.