VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON AMORPHEN HALBLEITERSCHICHTEN
    21.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON AMORPHEN HALBLEITERSCHICHTEN 审中-公开
    方法主要产品为非半导体层

    公开(公告)号:WO2012130620A1

    公开(公告)日:2012-10-04

    申请号:PCT/EP2012/054532

    申请日:2012-03-15

    Abstract: Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind Verfahren zur Herstellung von amorphen Halbleiterschichten auf einem Substrat durch Aufbringen einer Halbleiterverbindung der Form E a E' n X m mit einem gewichtsmittleren Molekulargewicht von 330 - 10000 g/mol, wobei E, E' = Si, Ge; X = F, Cl, Br, I, -C 1 -C 12 -Alkyl, -C 1 -C 12 -Aryl, -C 1 -C 12 -Aralkyl, H; m > n+a und a+n ≥ 3, und anschließendes Konvertieren der Halbleiterverbindung in eine amorphe Halbleiterschicht, wobei das Konvertieren durch Behandeln der Halbleiterschicht mit einem, aus einem Wasserstoff-haltigen Prozessgas erzeugten Plasma erfolgt. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung nach dem Verfahren hergestellte Halbleiterschichten, derartige Halbleiterschichten umfassende elektronische und optoelektronische Erzeugnisse.

    Abstract translation: 本发明通过沉积具有重均分子量从330至10,000克/摩尔,化合物半导体EaE'nXm形式涉及用于生产在基材上的无定形半导体层的工艺,其中E,E“=硅,锗; X = F,氯,溴,I,-C 1 -C 12烷基,-C 1 -C 12 - 芳基,-C 1 -C 12 - 芳烷基,H; M> N + a和a + N = 3,然后将化合物半导体转换成非晶半导体层,其中,所述通过与来自含氢工艺气体的等离子体产生的进行处理半导体层转换。 此外,根据制造的半导体层,这样的半导体层的方法本发明涉及综合电子和光电产品。

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