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    METHOD AND SYSTEM FOR IMPROVING A CONTROL OF A LIMIT ON WRITING CYCLES OF AN IC CARD
    22.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR IMPROVING A CONTROL OF A LIMIT ON WRITING CYCLES OF AN IC CARD 审中-公开
    用于改善IC卡周期限制控制的方法和系统

    公开(公告)号：WO2012089333A1

    公开(公告)日：2012-07-05

    申请号：PCT/EP2011/006554

    申请日：2011-12-23

    Applicant: STMICROELECTRONICS NV ,  VENEROSO, Amedeo ,  VARONE, Francesco ,  DI STASIO, Vitantonio ,  VASTANO, Pasquale

    Inventor： VENEROSO, Amedeo ,  VARONE, Francesco ,  DI STASIO, Vitantonio ,  VASTANO, Pasquale

    IPC: G06F12/02

    CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7211

    Abstract: The present invention relates to a method and system for controlling a number of writing cycles supported by a cell or portion (11) of a non volatile memory (4) of an IC Card (10), including the steps of -counting write accesses to the memory portion (11) and storing a first counter (21) of the write accesses in another portion (21) of said non volatile memory (4). The method comprises coupling the first counter (21) to a second counter or value (31) associated to a RAM (4) (Random Access Memory) of the IC Card (10), wherein the second counter or value (31) is updated each time the write accesses occur on said cell or portion (11) to be controlled and the first counter (21) is written in the another portion of non volatile memory only when the second counter or value (21) corresponds to a predetermined value.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于控制由IC卡（10）的非易失性存储器（4）的单元或部分（11）支持的写入周期数量的方法和系统，包括以下步骤： - 对 存储器部分（11）并且将所述写入访问的第一计数器（21）存储在所述非易失性存储器（4）的另一部分（21）中。 该方法包括将第一计数器（21）耦合到与IC卡（10）的RAM（4）（随机存取存储器）相关联的第二计数器或值（31），其中第二计数器或值（31）被更新 每当写入访问发生在要被控制的所述单元或部分（11）上时，只有当第二计数器或值（21）对应于预定值时，才将第一计数器（21）写入非易失性存储器的另一部分。

    METHOD AND SYSTEM FOR CALCULATING A CLOCK FREQUENCY OF A CLOCK SIGNAL FOR AN IC CARD
    23.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR CALCULATING A CLOCK FREQUENCY OF A CLOCK SIGNAL FOR AN IC CARD 审中-公开
    用于计算IC卡的时钟信号的时钟频率的方法和系统

    公开(公告)号：WO2012089332A1

    公开(公告)日：2012-07-05

    申请号：PCT/EP2011/006553

    申请日：2011-12-23

    Applicant: STMICROELECTRONICS NV ,  DI STASIO, Vitantonio ,  VARONE, Francesco ,  VENEROSO, Amedeo

    Inventor： DI STASIO, Vitantonio ,  VARONE, Francesco ,  VENEROSO, Amedeo

    IPC: G06K19/07 ,  G07F7/10

    CPC classification number: G06F1/06 ,  G06F1/08 ,  G06K19/07

    Abstract: The present invention relates to a method for calculating a clock frequency (f c1k ) of a clock signal received by an IC Card from a terminal (100) or an internal clock frequency (f c1k ) of a clock signal of the IC Card (140). The method comprises the step of: -receiving a first time-stamp (t s1 ) from the terminal (100); setting a first value (V 1 ) of the timer (220), and starting a timer (220) of the IC Card, when the first time-stamp (t s1 ) is received; receiving a second time-stamp (t S2 ); reading a second value (V 2 ) of the timer (220), when the second time-stamp (t S2 ) is received; and calculating the frequency (f c1k ) comparing a difference between the second (V 2 ) and the first (V 1 ) timer values and a difference between the second (t S2 ) and the first (t s1 ) time stamps.

    Abstract translation: 本发明涉及用于计算由IC卡从IC卡（140）的时钟信号的终端（100）或内部时钟频率（fc1k）接收的时钟信号的时钟频率（fc1k）的方法。 该方法包括以下步骤： - 从终端（100）接收第一时间戳（ts1）; 当接收到第一时间戳（ts1）时，设置定时器（220）的第一值（V1）和启动IC卡的定时器（220） 接收第二个时间戳（tS2）; 当接收到第二时间戳（tS2）时，读取定时器（220）的第二值（V2） 以及计算将所述第二（V2）和所述第一（V1）定时器值之间的差与所述第二（tS2）和所述第一（ts1）时间戳之间的差进行比较的频率（fc1k）。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MOS-TRANSISTOREN
    24.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MOS-TRANSISTOREN 审中-公开
    用于生产MOS晶体管

    公开(公告)号：WO2004004010A1

    公开(公告)日：2004-01-08

    申请号：PCT/DE2003/000835

    申请日：2003-03-14

    Applicant: STMICROELECTRONICS NV ,  GUENTHER, Stefan

    Inventor： GUENTHER, Stefan

    IPC: H01L27/092

    CPC classification number: H01L21/823864 ,  H01L27/0922

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren sowohl zur Herstellung von MOS-Transistoren mit extrem geringen Leckströmen an den pn-Übergängen als auch von Logik/ Schalttransistoren (2) de­ren Gates (3) seitlich mit Spacern (8) begrenzt sind in ei­nem p- Substrat oder einer p-Wanne in n-Substrat (5). Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von MOS-Transistoren mit extrem geringen Leck­strömen zu schaffen und das parallel Logik/ Schalttransisto­ren zulässt. Erreicht wird das dadurch, dass zunächst eine LDD-Ionenimplantation über die Gatekanten durchgeführt wird, um ein LDD-Gebiet (6) zu bilden und anschliessend die Spacer (8) durch einen anisotropen Ätzschritt, der eine hohe Selek­tivität gegenüber den Gate- und Substratmaterialien ein­schliesslich ihrer Abdeckschichten aufweist, entfernt werden bzw. die MOS-Transistoren mit extrem geringen Leckströmen vor der isotropen Spacerherstellung abgedeckt werden, so dass die Spacer (8) nur an den Gatekanten der Logik/ Schalttran­sistoren (2) entstehen aber immer die MOS-Transistoren mit extrem geringen Leckströmen aussschliesslich über das LDD­Gebiet (6) angeschlossen sind und keine (As-) Hochdosisim­plantation in die S/D- Gebiete dieser MOS-Transistoren mit extrem geringen Leckströmen erfolgt.

    Abstract translation: 本发明涉及一种既用于生产MOS晶体管与在pn结非常低的漏电流，以及从逻辑的方法/开关晶体管（2），其是（3）与间隔件（8）在p-基板或横向分隔的栅极 p阱在n型衬底（5）。 本发明的基本目的是提供一种用于制备MOS晶体管具有非常低的漏电流的方法和并行允许逻辑/开关晶体管。 实现的是，在第一的LDD离子注入穿过栅极的边缘，以便形成一个LDD区域执行的事实（6）和随后的间隔件（8）通过各向异性蚀刻步骤包括朝向栅和衬底材料的高选择性 具有其覆盖层被去除，并且MOS晶体管覆盖有各向同性Spacerherstellung之前非常低的漏电流，从而仅在逻辑/开关晶体管的栅极边缘的间隔件（8）（2），但仍造成MOS晶体管具有极 经由LDDGebiet（6）低的漏电流被连接达到专门和无（AS-）是高剂量的注入，这些MOS晶体管的具有非常低的漏电流的S / D区。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTODIODENKONTAKTIERUNG FÜR EINEN TFA-BILDSENSOR
    25.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTODIODENKONTAKTIERUNG FÜR EINEN TFA-BILDSENSOR 审中-公开

    公开(公告)号：WO2003038908A3

    公开(公告)日：2003-05-08

    申请号：PCT/DE2002/004008

    申请日：2002-10-24

    Applicant: STMICROELECTRONICS NV ,  RIEVE, Peter ,  SEIBEL, Konstantin ,  WAGNER, Michael

    Inventor： RIEVE, Peter ,  SEIBEL, Konstantin ,  WAGNER, Michael

    IPC: H01L27/146

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Photodiodenkontaktierung für einen TFA-Bildsensor mit einer Photodiode durch Abscheiden einer Mehrschichtanordnung und einer transparenten leitfähigen Kontaktschicht (13) auf einem ASIC-Schaltkreis, der mit einem Zwischenmetall-Dielektrikum beschichtet worden ist und der in einem photoaktiven Bereich (2) Vias (7) im Pixelraster aufweist, die sich durch das Zwischenmetall-Dielektrikum (5) erstrecken und jeweils mit einer Leiterbahn (8) des CMOS-ASIC-Schaltkreises verbunden sind, wobei auf dem Zwischenmetall-Dielektrikum (5) eine im Pixelraster strukturierte Barriereschicht (6) und auf dieser eine CMOS-Metallisierung (3) angeordnet ist. Durch die Erfindung soll mit einfachen technologischen Mitteln eine Verbesserung der Kenngrössen der Photodiode erreicht werden. Erreicht wird dies dadurch, dass mindestens die auf dem CMOS-ASIC-Schaltkreis (1) befindliche CMOS-Metallisierung (3) im Bereich des photoaktiven Bereiches bis auf die strukturierte Barriereschicht (6) entfernt und dass anschliessend die Mehrschichtanordnung der Photodiode (12) sowie die leitfähige transparente Kontaktschicht (13) auf dem CMOS-ASIC-Schaltkreis (1) aufgebracht wird.

    Methods and apparatus for synchronization of training sequences
    26.
    发明申请
    Methods and apparatus for synchronization of training sequences 有权
    训练序列同步的方法和装置

    公开(公告)号：US20040076246A1

    公开(公告)日：2004-04-22

    申请号：US10364294

    申请日：2003-02-10

    Applicant: STMicroelectronics NV

    Inventor： Yves Vanderperren ,  Wim Dehaene

    IPC: H03D001/00 ,  H04L027/06

    CPC classification number: H04L27/2662 ,  H04L27/2613 ,  H04L27/2657 ,  H04L27/2675

    Abstract: A receiver and a method for receiving a signal comprising a carrier modulated with a known training sequence is described in which an estimate a carrier frequency offset is obtained from an autocorrelation signal by autocorrelation of the part of the received signal containing a known training sequence. The received signal is compensated with the frequency offset obtained to form a compensated received signal, and a timing reference for the received signal is obtained by cross-correlation of the compensated received signal with a known training sequence.

    Abstract translation: 描述了一种用于接收包括用已知训练序列调制的载波的信号的接收机和方法，其中通过对包含已知训练序列的接收信号的部分进行自相关，从自相关信号获得载波频率偏移的估计。 接收到的信号用获得的频率补偿补偿以形成补偿的接收信号，并且通过补偿的接收信号与已知训练序列的互相关来获得接收信号的定时参考。

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