公开(公告)号：JP4550182B2

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：JP13955599

申请日：1999-05-20

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： マグリ アンジェロ ,  フリシナ フェッルッチオ

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7802

Abstract: High density MOS technology power device structure, comprising body regions (31A-31D) of a first conductivity type formed in a semiconductor layer (1) of a second conductivity type, characterized in that said body regions comprise at least one plurality of substantially rectilinear and substantially parallel body stripes (32) each joined at its ends to adjacent body stripes (32) by means of junction regions (33), so that said at least one plurality of body stripes (32) and said junction regions (33) form a continuous, serpentine-shaped body region (31A-31D).

公开(公告)号：JP4518599B2

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：JP28845599

申请日：1999-10-08

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： ピッチネッリ エミリアーノ ,  ポウ ダニロ ,  ペッツォーニ ルカ

IPC: H04N7/32 ,  G06T9/00 ,  H04N7/26

CPC classification number: H04N19/186 ,  H04N19/61

公开(公告)号：JP4332328B2

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：JP2002203102

申请日：2002-07-11

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： ジャンフランコ・チェロフォリーニ ,  ジュゼッペ・フェルラ

IPC: H01L21/8247 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/51 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L29/51

Abstract: A method of fabricating a MOS transistor with a controllable and modulatable conduction path through a dielectric gate oxide is disclosed, wherein the transistor structure comprises a dielectric oxide layer (3) formed between two silicon plates (1,2), and wherein the silicon plates (1,2) overhang the oxide layer (3) all around to define an undercut (5) having a substantially rectangular cross-sectional shape. The method comprises the steps of: chemically altering the surfaces of the silicon plates (1,2) to have different functional groups (6,7) provided in the undercut (5) from those in the remainder of the surfaces; and selectively reacting the functional groups (6,7) provided in the undercut (5) with an organic molecule (8) having a reversibly reducible center and a molecular length substantially equal to the width of the undercut (5), thereby to establish a covalent bond to each end of the organic molecule (8).

公开(公告)号：JP4301600B2

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：JP23985798

申请日：1998-08-26

Applicant: エッセ・ティ・ミクロエレクトロニクス・ソシエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータStmicroelectronics S.R.L.

Inventor： ジェルマノ・ニコッリーニ ,  ピエランジェロ・コンファロニエーリ

IPC: H03H11/12 ,  H03M1/08 ,  H03H11/04

CPC classification number: H03H11/126

公开(公告)号：JP4272269B2

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：JP2096398

申请日：1998-02-02

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： ペレッリ アルベルト

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2009508346A

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：JP2008530517

申请日：2006-09-13

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： カルポフ イリヤ ,  ユドン キム ,  ミング ジム ,  シャーム プラサド ティーガプラム ,  ジンウーク リー

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/16 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126

Abstract: ヒータ（２６）に沿って延在するカルコゲナイドメモリ領域（２８）を持つ複数の相変化メモリ装置によって形成した相変化メモリ。 ヒータ（２６）はすべて比較的均一な高さを持つ。 高さの均一性は、エッチングストップ層（１８）および犠牲層（２４）を有する絶縁体における細孔内にヒータを形成することにより生ずる。 犠牲層は化学機械的平坦化のようなエッチング処理により除去する。 エッチングストップ層が繰り返し可能に形成され、ウエハ上のすべてのメモリ装置で共通であるため、ヒータ高さには、かなりの均一性が得られる。 ヒータ高さの均一性の結果として、プログラムされるメモリ特性がより均一となる。

公开(公告)号：JP4187831B2

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：JP20384998

申请日：1998-07-17

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エルSTMicroelectronics S.r.l.

Inventor： エジオ ガルビアティ ,  ジュゼッペ マイオッチ

IPC: H02P6/08 ,  H02M7/48 ,  H02M7/5387 ,  H02P7/06 ,  H03M1/82

CPC classification number: H03M1/825 ,  H02M7/53873

公开(公告)号：JP4176886B2

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：JP30293198

申请日：1998-10-23

Applicant: エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： マルコ アンジェリチ ,  ナディア セリーナ ,  フェステ サンドロ ダッレ ,  マルコ ビアンチェッシ

IPC: G05F1/10 ,  H01L27/04 ,  G05F1/56 ,  G05F3/26 ,  H01L21/822

CPC classification number: G05F3/262 ,  G05F1/561 ,  Y10S323/907

公开(公告)号：JP3955388B2

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：JP11395098

申请日：1998-04-23

Applicant: エスティーミクロエレクトロニクス・エス・アール・エルSTMicroelectronics S.r.l.

Inventor： パオロ・フェラーリ ,  ブルーノ・ムラリ ,  ベネデット・ビグナ

IPC: G11B5/29 ,  G11B5/127 ,  G11B5/265 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39 ,  G11B5/48 ,  G11B5/55

CPC classification number: G11B5/3922 ,  G11B5/2654 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/3183 ,  G11B5/3948 ,  G11B5/3958 ,  G11B5/4886 ,  G11B5/5526 ,  G11B5/553

公开(公告)号：JP2007115243A

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：JP2006272099

申请日：2006-10-03

Applicant: St Microelectron Srl ,  エスティーミクロエレクトロニクス・エス・アール・エルSTMicroelectronics S.r.l.

Inventor： PASOLINI FABIO ,  BINDA IVO

IPC: G06M3/00 ,  G01C22/00

CPC classification number: G01C22/006

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for controlling a highly reliable pedometer based on the use of an inertia sensor and a pedometer for executing the method.
SOLUTION: A method for controlling a pedometer includes the steps of: generating a signal (Az) correlated to the movement of a user of the pedometer; and detecting the walking steps of the user (200-225, 300-320) on the basis of the signal (Az). The method moreover envisages the steps of checking whether sequences of detected walking steps (K-2, K-1, K) satisfy the predetermined conditions of regularity (230, 320, 345); updating a total number of valid walking steps (N
VT , 265, 325, 350) when the conditions of regularity (230, 320, 345) are satisfied; and preventing the updating of the total number of valid walking steps (N
VT ) when the conditions of regularity (230, 320, 345) are not satisfied.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种基于使用用于执行该方法的惯性传感器和计步器来控制高可靠性计步器的方法。 解决方案：一种用于控制计步器的方法包括以下步骤：产生与计步器用户的移动相关的信号（Az）; 以及基于信号（Az）检测用户（200-225,3300-320）的步行步骤。 该方法还设想检查检测到的步行步骤（K-2，K-1，K）的序列是否满足预定的规律条件（230,320,345）的步骤; 当满足规律性条件（230,320,345）时，更新有效步行步骤的总数（N VT ，265,325,350）; 并且当不满足规则性条件（230,320,345）时，阻止更新有效行走步骤的总数（N VT ）。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT