公开(公告)号：CN104347425A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410378435.X

申请日：2014-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  具本荣 ,  金男奎 ,  宋宇彬 ,  李炳赞 ,  郑秀珍

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可包括：并列形成在衬底上的第一鳍部和第二鳍部；第一抬升式掺杂区，其形成在第一鳍部上，并具有第一掺杂浓度的杂质；第二抬升式掺杂区，其形成在第二鳍部上；以及第一桥，其将第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区彼此连接。本发明还公开了制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104103687A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410136127.6

申请日：2014-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  权兑昱 ,  郑秀珍 ,  金永弼 ,  李炳赞 ,  具本荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：鳍，在基板上；栅电极，在基板上交叉鳍；源/漏极，形成在栅电极的两侧的至少一个上，并包括第一膜和第二膜；以及应力膜，布置在基板上的隔离膜与源/漏极之间，并形成在鳍的侧表面上。

公开(公告)号：CN104681408B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201410685562.4

申请日：2014-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴栽永 ,  姜盛晧 ,  金基哲 ,  李善英 ,  李汉基 ,  具本荣

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/34 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在基板中形成多个第一凹进区，该基板具有在多个第一凹进区之间的突出的有源区，该突出的有源区具有上表面和侧壁；在多个第一凹进区中形成器件隔离膜，该器件隔离膜暴露出突出的有源区的侧壁的上部分和上表面；以及在突出的有源区的暴露表面上进行第一等离子体处理，其中该等离子体处理利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在小于或等于大约700℃的温度下进行。

公开(公告)号：CN110010689A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910193855.3

申请日：2014-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  具本荣 ,  金男奎 ,  宋宇彬 ,  李炳赞 ,  郑秀珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可包括：并列形成在衬底上的第一鳍部和第二鳍部；第一抬升式掺杂区，其形成在第一鳍部上，并具有第一掺杂浓度的杂质；第二抬升式掺杂区，其形成在第二鳍部上；以及第一桥，其将第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区彼此连接。本发明还公开了制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103972290B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201410042203.7

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  金兼 ,  尹洪植 ,  具本荣 ,  金煜济

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：位于衬底上的栅极图案；位于所述栅极图案下方的多沟道有源图案，所述多沟道有源图案跨越所述栅极图案并且具有不与栅极图案重叠的第一区域和与栅极图案重叠的第二区域；沿着所述第一区域的外周位于所述多沟道有源图案中的扩散层，所述扩散层包括具有一定浓度的杂质；以及位于所述多沟道有源图案上的垫片，所述垫片在所述第一区域的各侧表面上延伸而不在所述第一区域的上表面上延伸。本发明同样描述了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN107068680A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710063574.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  李泰宗 ,  金泫升 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  朴起宽 ,  朴美善

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：在衬底的有源区上的栅线；在栅线两侧于有源区中的一对源/漏区域；在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及在栅线和接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物。多层结构绝缘间隔物可以包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于接触插塞的第二表面，第二表面与氧化物层的第一表面相反。

公开(公告)号：CN107068537A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610978132.0

申请日：2016-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  朴起宽 ,  金真范 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  李泰宗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/423 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L21/0214 ,  C23C16/44 ,  H01L21/0226 ,  H01L29/42364

Abstract: 本文中提供材料层、包括材料层的半导体器件、以及形成材料层和半导体器件的方法。形成SiOCN材料层的方法可包括：将硅源供应至基底上，将碳源供应至所述基底上，将氧源供应至所述基底上，将氮源供应至所述基底上，和将氢供应至所述基底上。当根据本发明构思的方法形成材料层时，可形成具有高的对湿蚀刻的耐受性和/或良好的电特性的材料层，并且所述材料层可甚至当在低温下实施所述方法时形成。

公开(公告)号：CN104681408A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410685562.4

申请日：2014-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴栽永 ,  姜盛晧 ,  金基哲 ,  李善英 ,  李汉基 ,  具本荣

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/34 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供进行表面处理工艺的方法和半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在基板中形成多个第一凹进区，该基板具有在多个第一凹进区之间的突出的有源区，该突出的有源区具有上表面和侧壁；在多个第一凹进区中形成器件隔离膜，该器件隔离膜暴露出突出的有源区的侧壁的上部分和上表面；以及在突出的有源区的暴露表面上进行第一等离子体处理，其中该等离子体处理利用包含惰性气体和氢气中至少一个的等离子体气体在小于或等于大约700℃的温度下进行。

公开(公告)号：CN103972290A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410042203.7

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  金兼 ,  尹洪植 ,  具本荣 ,  金煜济

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/13067

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：位于衬底上的栅极图案；位于所述栅极图案下方的多沟道有源图案，所述多沟道有源图案跨越所述栅极图案并且具有不与栅极图案重叠的第一区域和与栅极图案重叠的第二区域；沿着所述第一区域的外周位于所述多沟道有源图案中的扩散层，所述扩散层包括具有一定浓度的杂质；以及位于所述多沟道有源图案上的垫片，所述垫片在所述第一区域的各侧表面上延伸而不在所述第一区域的上表面上延伸。本发明同样描述了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN103972099A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410025155.0

申请日：2014-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴栽永 ,  车知勋 ,  白在职 ,  具本荣 ,  文康薰 ,  尹普彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/66795

Abstract: 本发明描述了一种制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括提供鳍状物和多个栅极，该鳍状物形成为从衬底突出，该栅极形成在鳍状物上以与所述鳍状物相交；在所述鳍状物内在相应栅极的至少一侧上形成第一凹陷；在所述第一凹陷的表面上形成氧化物层；以及通过去除所述氧化物层将第一凹陷扩展到第二凹陷中。还公开了相关的器件。