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公开(公告)号：CN1203444A
公开(公告)日：1998-12-30
申请号：CN98102092.5
申请日：1998-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7684 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/76819
Abstract: 形成半导体器件接触塞的方法,包括在绝缘层上形成导电层填充接触孔的步骤。该方法还包括:在形成接触塞之后,通过深腐蚀或CMP工艺腐蚀导电层,平面化—腐蚀绝缘层上表面和接触塞,直到暴露绝缘层的上表面。或者用CMP工艺同时平面化—腐蚀导电层和绝缘层,以形成接触塞并平面化绝缘层的上表面。
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公开(公告)号：CN109427794B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201810940714.9
申请日：2018-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种包括绝缘覆盖结构的半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：在衬底上垂直层叠的多个栅电极；绝缘覆盖结构，其位于所述多个栅电极上。所述绝缘覆盖结构可以包括第一上表面和第二上表面。所述第一上表面和所述衬底之间的第一距离可以大于所述第二上表面和衬底之间的第二距离。所述第一上表面可以不与所述第二上表面重叠。该半导体器件可以包括存储单元垂直结构，其穿过所述第一上表面、所述多个栅电极和所述绝缘覆盖结构。所述存储单元垂直结构可以与所述第二上表面间隔开。该半导体器件可以包括位线，其与所述存储单元垂直结构电连接。
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公开(公告)号：CN107301946B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201710243397.0
申请日：2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种用于从基板去除粒子的清洁装置。该清洁装置包括：第一清洁单元，包括将第一化学液体和第一喷雾供应到基板的第一双喷嘴，第一喷雾包括溶解第一化学液体的第一液体；以及第二清洁单元，包括将不同于第一化学液体的第二化学液体和第二喷雾供应到基板的第二双喷嘴，第二喷雾包括溶解第二化学液体并且与第一液体相同的第二液体。
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公开(公告)号：CN115696914A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210811805.9
申请日：2022-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：包括单元区和外围区的基板、基板的单元区上的下电极、下电极的表面上的介电层、介电层上的硅锗层、堆叠在硅锗层上的金属板图案和抛光停止层图案、以及物理接触硅锗层的上表面的上接触插塞。上接触插塞可以具有比抛光停止层图案的上表面更远离基板的上表面。上接触插塞可以与金属板图案和抛光停止层图案间隔开。
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公开(公告)号：CN115206914A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210370873.6
申请日：2022-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体器件包括：第一衬底；电路元件，在第一衬底上；下互连线，电连接到电路元件；第二衬底，在下互连线上；栅电极，彼此间隔开并沿垂直于第二衬底的上表面的第一方向堆叠在第二衬底上；沟道结构，贯穿栅电极，沿第一方向延伸，以及分别包括沟道层；贯通孔，沿第一方向延伸并将栅电极或沟道结构中的至少一个电连接到电路元件；绝缘区域，围绕贯通孔的侧表面；以及过孔焊盘，在第一方向上位于贯通孔与至少一条下互连线之间，并且在第二方向上与第二衬底间隔开，第二方向平行于第二衬底的上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104347717B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201410372950.7
申请日：2014-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。
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公开(公告)号：CN109256370A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810762262.X
申请日：2018-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体器件可以包括：基板，包括单元阵列区域和TSV区域；绝缘层，设置在基板上并在TSV区域上具有凹陷区域；电容器，在单元阵列区域的绝缘层上；虚设支撑图案，设置在TSV区域的绝缘层上并且当在平面图中看时与凹陷区域交叠；以及TSV电极，穿过虚设支撑图案和基板。
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公开(公告)号：CN108231689A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711281149.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L21/823475 , H01L21/3212 , H01L21/7684 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823425 , H01L21/823437 , H01L23/5226 , H01L29/66545 , H01L21/823871 , H01L27/092 , H01L27/1104 , H01L27/1116
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开的栅电极；在所述栅电极上形成封盖图案；形成填充相邻栅电极之间的空间的层间电介质层；在所述层间电介质层上形成具有开口的硬掩模，所述开口选择性地暴露第二封盖图案至第四封盖图案；使用所述硬掩模作为蚀刻掩模在所述第二栅电极和第三栅电极之间以及所述第三栅电极和第四栅电极之间的所述层间电介质层中形成孔；在所述孔中形成阻挡层和导电层；执行第一平坦化以暴露所述硬掩模；执行第二平坦化以暴露所述阻挡层的覆盖第二封盖图案至第四封盖图案的部分；以及执行第三平坦化以完全暴露所述第一封盖图案至第四封顶图案。
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公开(公告)号：CN105990445A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610147006.0
申请日：2016-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。
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公开(公告)号：CN1941310B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200610139968.8
申请日：2006-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/7684 , H01L27/10873 , H01L27/10885
Abstract: 一种制作自对准接触焊盘的方法，包括：在半导体衬底上形成导电线和覆盖层的叠层，并形成覆盖叠层的侧壁的间隔层和填充叠层之间的间隙并暴露覆盖层的顶部的绝缘层；刻蚀覆盖层以形成波纹状凹槽；以与覆盖层的材料不同的材料形成多个第一刻蚀掩模以填充波纹状凹槽，而不覆盖绝缘层顶部；以及形成具有开口区的第二刻蚀掩模，所述开口区暴露出第一刻蚀掩模的一些以及绝缘层中位于第一刻蚀掩模之间的那部分。
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