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公开(公告)号：CN109712664A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811152590.4
申请日：2018-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，其包括设置在衬底上的第一存储单元和位于第一存储单元上方的第二存储单元；连接到第一存储单元的第一字线和连接到第二存储单元的第二字线，第二字线设置在第一字线上方；以及字线缺陷检测电路，其被配置为在将第一电压施加到第一字线时监测泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。电压发生器被配置为当泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时，将与第一电压不同的第二电压施加到第二字线以对第二存储单元进行编程。
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公开(公告)号：CN108122588A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711203890.6
申请日：2017-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴商秀
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/28 , G11C16/30 , G11C2211/5621 , G11C2211/5622 , G11C2211/5625 , G11C2211/5642 , G11C2211/5644 , G11C16/16
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元的单元阵列；电压生成器，配置为向选择的存储器单元的字线提供编程电压或验证电压；页缓冲器，配置为通过位线传送要编程在选择的存储器单元中的写入数据，并且基于验证电压感测选择的存储器单元是否被编程为目标状态；以及控制逻辑，配置为控制电压生成器，使得在编程操作期间以循环为单元将编程电压和验证电压提供给字线，控制逻辑包括循环状态电路，其被配置为从页缓冲器的感测结果检测与目标状态关联的状态通过循环的值，并且基于该值来确定编程操作是否成功，每个状态通过循环是这样的编程循环，其后对应于与其关联的目标状态的存储器单元的编程状态已提升到与其关联的目标状态。
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公开(公告)号：CN103680637A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310397588.4
申请日：2013-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/04
CPC classification number: G06F11/1068
Abstract: 提供一种具有异常字线检测器的闪存系统及其异常字线检测方法。用于闪存系统的闪存控制器包括：ECC电路，接收从闪存读取的第一页数据和第二页数据，并分别对第一页数据中的失败位的第一数量以及第二页数据中的失败位的第二数量进行计数；异常字线检测器，被构造为将失败位的第一数量与失败位的第二数量进行比较以推导第一页数据与第二页数据之间的失败位改变率，并响应于失败位改变率来产生异常字线检测信号；控制单元，响应于异常字线检测信号来控制闪存的操作。
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公开(公告)号：CN118486351A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311781893.3
申请日：2023-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了非易失性存储器件以及控制非易失性存储器件的方法。在一些实施例中，一种非易失性存储器件包括：电压发生器，所述电压发生器被配置为生成开关源电压；多个高电压开关电路，所述多个高电压开关电路被分组成多个开关组，并且被配置为基于所述开关源电压来生成多个开关控制信号；导电路径，所述导电路径被配置为将所述开关源电压从所述电压发生器传送到所述多个高电压开关电路；多个高电压开关，所述多个高电压开关被配置为基于所述多个开关控制信号来传送高电压；以及控制电路，所述控制电路被配置为相对于所述多个开关组中的每一个开关组独立地控制所述多个开关控制信号的转换时序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110880519B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910500928.9
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。
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公开(公告)号：CN111415953B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202010004290.2
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
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公开(公告)号：CN109308929B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201810722252.3
申请日：2018-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 为了操作包括多个NAND串的存储器设备，当选择的字线的电压增加时，使多个NAND串中未选择的NAND串浮置，以使得未选择的NAND串的沟道电压升高。当选择的字线的电压降低时，使未选择的NAND串的沟道电压放电。当选择的字线的电压增加时，可以通过使未选择的NAND串浮置以使得未选择的NAND串的沟道电压的升高与选择的字线的电压的增加一起发生来降低负载，当选择的字线的电压降低时，可以通过在选择的字线的电压降低时使未选择的NAND串的升高的沟道电压放电来降低负载。通过这样降低选择的字线的负载，可以缩短电压建立时间并提高存储器设备的操作速度。
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公开(公告)号：CN116137174A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211386405.4
申请日：2022-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器件及其操作方法。所述非易失性存储器件包括第一片、第二片、地址替换电路和地址译码器，所述第一片包括多个存储块，所述第二片包括多个存储块，所述地址替换电路从外部控制器接收第一输入地址，所述第一输入地址对应于所述第一片的多个存储块中的第一存储块并且基于所述第一输入地址和坏块信息输出替换地址，所述地址译码器基于所述替换地址控制与所述第二片的多个存储块之中的第二存储块连接的字线，所述字线对应于所述替换地址。所述第一片的所述第一存储块为坏块。
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公开(公告)号：CN108335711B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201711426789.7
申请日：2017-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08
Abstract: 一种非易失性存储器件执行包括以下步骤的方法：使得非易失性存储器件的就绪/忙碌信号引脚指示非易失性存储器件处于预充电忙碌状态，其中非易失性存储器件不能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作；将一个或多个字线预充电电压施加到非易失性存储器件的多条字线中的一条或多条选定的字线以对选定的字线进行预充电；以及在预充电操作的至少一部分之后，使得就绪/忙碌信号引脚从指示预充电忙碌状态转变为指示非易失性存储器件处于就绪状态，其中非易失性存储器件能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作。
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