公开(公告)号：CN117156851A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310603261.1

申请日：2023-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  林浚熙 ,  权烔辉 ,  金鹤善 ,  孙洛辰 ,  李洋熙 ,  李周炫

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20

Abstract: 一种半导体器件包括：外围电路区域，包括第一衬底、第一衬底上的电路元件、电连接到电路元件的第一互连结构、以及第一外围区域绝缘层至第四外围区域绝缘层；以及存储单元区域，包括在外围电路区域上并具有第一区域和第二区域的第二衬底、堆叠在第一区域上的栅电极、覆盖栅电极的单元区域绝缘层、穿过栅电极的沟道结构、以及电连接到栅电极和沟道结构的第二互连结构。外围电路区域还包括第一下保护层至第四下保护层，第一下保护层、第二下保护层、第三下保护层和第四下保护层中的至少一个包括氢扩散阻挡层，该氢扩散阻挡层被配置为抑制单元区域绝缘层中包括的氢元素扩散到电路元件并且包括氧化铝。

公开(公告)号：CN112802522A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202011259565.3

申请日：2020-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 ,  金容锡 ,  李仟颜 ,  山田悟 ,  林浚熙

IPC: G11C13/00

Abstract: 提供了电阻式存储器装置和操作电阻式存储器的方法。所述电阻式存储器装置包括存储器单元阵列、控制逻辑、电压生成器和读出电路。存储器单元阵列包括连接到位线的存储器单元。每个存储器单元包括用于存储数据的可变电阻元件。控制逻辑接收读取命令并且基于读取命令生成用于生成多个读取电压的电压控制信号。电压生成器基于电压控制信号向位线顺序地施加读取电压。读出电路连接到位线。控制逻辑通过控制读出电路将响应于多个读取电压而从存储器单元顺序地输出的电流的值与参考电流顺序地进行比较，来确定存储在存储器单元中的数据的值。

公开(公告)号：CN110391332A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910306629.1

申请日：2019-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 ,  姜昌锡 ,  金容锡 ,  金森宏治 ,  金熙中 ,  林浚熙

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/1157

Abstract: 提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法。半导体器件的一个例子包括：交替重复设置在半导体衬底上的层间绝缘层和水平结构；在半导体衬底上在与半导体衬底的上表面垂直的方向上延伸且在与半导体衬底的上表面平行的第一水平方向上延伸的分离结构；以及设置在分离结构之间的竖直结构。每个水平结构包括多个半导体区域，每一个水平结构的多个半导体区域包括在远离对应竖直结构的侧表面的方向上顺序地布置并且具有不同导电类型的第一半导体区域以及第二半导体区域。

公开(公告)号：CN109087994A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810603206.1

申请日：2018-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李吉镐 ,  高宽协 ,  朴日穆 ,  林浚熙

IPC: H01L43/08

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括第一导线、与第一导线交叉的第二导线以及在第一导线和第二导线之间的交叉点处的存储单元。每个存储单元包括磁隧道结图案、与磁隧道结图案串联连接的双向开关图案以及在磁隧道结图案和双向开关图案之间的导电图案。