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公开(公告)号：CN106653851B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201610948671.X
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽。第一鳍型图案具有下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部。第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。
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