公开(公告)号：CN108573925A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810192341.1

申请日：2018-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁正吉 ,  宋昇珉 ,  金成玟 ,  朴雨锡 ,  裴金钟 ,  裴东一

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。形成包括一个或多个牺牲层和堆叠在衬底上的一个或多个半导体层的堆叠结构。在所述堆叠结构上形成包括虚设栅极和虚设间隔件的虚设栅极结构。使用虚设栅极结构蚀刻堆叠结构以形成第一凹部。蚀刻一个或多个牺牲层。去除虚设间隔件。间隔件膜形成在所述虚设栅极、所述一个或多个半导体层和所述一个或多个牺牲层上。使用虚设栅极和间隔件膜来蚀刻半导体层和间隔件膜以形成第二凹部。形成形成在虚设栅极上的外部间隔件和形成在一个或多个牺牲层上的内部间隔件。在所述第二凹部中形成源极/漏极区。

公开(公告)号：CN107527859A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710441952.0

申请日：2017-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乔治·A·凯特尔 ,  吴暻锡 ,  金成玟

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76205 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了用于制造半导体装置的方法，具体地，涉及在制造期间填充半导体结构中的空腔的方法。在半导体上沉积例如聚硅氮烷的第一材料的层，并经受第一热过程以改变其化学成分，例如，将其改变为二氧化硅。然后对其进行回蚀，并重复沉积和热过程的循环。也可以在第一循环之后的一个或更多个循环中重复回蚀，并且可以在一个或更多个循环中执行可以增大一个或更多个沉积层的密度的第二热过程。

公开(公告)号：CN104810402A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510034190.3

申请日：2015-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宪宗 ,  金成玟 ,  金秉瑞 ,  朴善钦 ,  裵贤俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明构思提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一鳍区域；第二鳍区域；隔离绝缘层，使第一鳍区域与第二鳍区域隔离并具有岛形状；第一栅极，交叉第一鳍区域；第二栅极，交叉第二鳍区域；以及第三栅极，覆盖隔离绝缘层的侧壁和顶表面并交叉隔离绝缘层。

公开(公告)号：CN100479159C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200410038585.2

申请日：2004-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  金成玟 ,  朴东健 ,  吕京奂

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/772 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/33 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76289 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/802

Abstract: 一种集成电路器件包括衬底。外延图形在衬底上，且其中形成有一对杂质扩散区和布置在一对杂质扩散区和衬底之间的一对空隙区。一对杂质扩散区的各个至少部分地重叠一对空隙区的各个。栅电极在一对杂质扩散区的各个之间的外延图形上。

公开(公告)号：CN101123256A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710139012.2

申请日：2007-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹恩贞 ,  李成泳 ,  金旻相 ,  金成玟

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  H01H2059/0045 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种存储器件及形成存储器件的方法，该器件包括：基底；第一电极，在相对于基底的垂直方向上延伸；第二电极，在相对于基底的垂直方向上延伸，第二电极通过电极间隙与第一电极分隔开。第三电极设置成在电极间隙中沿着垂直方向延伸，第三电极通过第一间隙与第一电极分隔开，第三电极通过第二间隙与第二电极分隔开，第三电极可弹性地变形，使得第三电极偏斜以穿过第一间隙在第一弯曲位置与第一电极电连接，穿过第二间隙在第二弯曲位置与第二电极电连接，并在静止位置与第一电极和第二电极隔离。

公开(公告)号：CN110890425B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN201910628288.X

申请日：2019-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金孝珍 ,  河大元

IPC: H10D30/62 ,  H10D62/10

Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括：鳍结构，包括顺序堆叠在衬底上的应力结构和半导体区域。半导体器件包括鳍结构的一部分上的场绝缘层。半导体器件包括鳍结构上的栅电极。此外，应力结构包括氧化物。

公开(公告)号：CN110858581B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN201910658647.6

申请日：2019-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  河大元

IPC: H10D80/30 ,  H01L21/98 ,  H10D84/83

Abstract: 一种器件包括：下半导体衬底；下栅极结构，在下半导体衬底上，下栅极结构包括下栅电极；下层间绝缘膜，在下半导体衬底上；上半导体衬底，在下层间绝缘膜上；上栅极结构，在上半导体衬底上；以及上层间绝缘膜，在下层间绝缘膜上，上层间绝缘膜覆盖上半导体衬底的侧壁。上栅极结构包括在第一方向上延伸的上栅电极以及沿上栅电极的侧壁延伸的栅极侧墙。上栅电极包括在第一方向上延伸的长侧壁以及在第二方向上延伸的短侧壁。栅极侧墙在上栅电极的长侧壁上，而未设置在上栅电极的短侧壁上。

公开(公告)号：CN118782631A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202311478800.X

申请日：2023-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，可包括：衬底；下图案，其在第一方向上从衬底延伸；沟道图案，其设置在下图案上；源极/漏极图案，其设置在沟道图案的侧面上；第一栅极结构和第二栅极结构，其在与第一方向交叉的第二方向上延伸并围绕沟道图案的相应部分；以及分离结构，其设置在第一栅极结构和第二栅极结构之间，并且包括在第一方向上延伸的第一部分和从第一部分朝向沟道图案突出的第二部分，其中，第一栅极结构包括从沟道图案的相应部分顺序地堆叠的第一导电图案和第二导电图案，并且第二导电图案在第二方向上的长度等于或大于第二部分在第二方向上的长度。

公开(公告)号：CN118676113A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311428925.1

申请日：2023-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一沟道图案，彼此相邻；第一栅电极，与第一沟道图案之一重叠；第一源/漏图案，在第一沟道图案之间；以及第一有源接触部，与第一源/漏图案中的每一个的侧表面接触。第一源/漏图案中的每一个的侧表面的晶面是{100}面之一。

公开(公告)号：CN111799255B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202010569036.7

申请日：2018-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  裵金钟

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；多个鳍，包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述多个鳍中的每一个在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及多个沟槽，包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽及第四沟槽，所述多个沟槽中的每一个形成在所述多个鳍中的相邻的鳍之间，其中所述第一沟槽的第一宽度及所述第三沟槽的第三宽度的变化小于第一变化，其中所述第二沟槽的第二宽度及所述第四沟槽的第四宽度的变化小于第二变化，且其中所述第二变化大于所述第一变化。