公开(公告)号：CN102237401A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110113377.4

申请日：2011-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  申在光 ,  吴在浚 ,  金钟燮 ,  崔赫洵 ,  洪起夏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供了具有轻掺杂漏极(LDD)区的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。该HEMT包括：源极；漏极；栅极；沟道提供层，用于形成至少二维电子气(2DEG)沟道；以及沟道形成层，至少该2DEG沟道将要形成在沟道形成层中，其中沟道提供层包括具有不同极化率的多个半导体层，沟道提供层的部分是凹陷，多个半导体层中的位于最上层之下的一个层是蚀刻缓冲层，也是用于提供沟道的层。

公开(公告)号：CN101685077A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910174231.3

申请日：2009-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪起夏 ,  崔赫洵 ,  金钟燮 ,  申在光

IPC: G01N27/12

CPC classification number: G01N29/036 ,  G01N2291/0257 ,  Y10S977/957

Abstract: 本发明提供了一种使用薄膜感测部件的化学传感器，所述化学传感器可包括：第一电极，在基底上；感测部件，覆盖基底上的第一电极；多个第二电极，在感测部件的表面上，暴露感测部件的表面。化学传感器可构造为当将被感测的化合物被吸附到感测部件上时测量电特性的变化。还提供一种包括化学传感器的阵列的化学传感器阵列。

公开(公告)号：CN101256837A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810074198.2

申请日：2008-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  朴祥珍 ,  李晟熏 ,  朴星一 ,  金钟燮 ,  崔正达 ,  崔奇焕 ,  沈载星 ,  文承炫

IPC: G11C16/14 ,  H01L27/115

Abstract: 提供一种操作非易失性存储器装置执行擦除操作的方法。所述方法包括：将包括直流(DC)脉冲和DC微扰脉冲的组合脉冲施加于非易失性存储器装置，以执行擦除操作。

公开(公告)号：CN113555427B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202011409970.9

申请日：2020-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴在浚 ,  金钟燮

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种高电子迁移率晶体管及制造该高电子迁移率晶体管的方法。该高电子迁移率晶体管包括提供在耗尽形成层上的栅电极。栅电极包括被配置为与耗尽形成层形成欧姆接触的第一栅电极以及被配置为与耗尽形成层形成肖特基接触的第二栅电极。

公开(公告)号：CN115621297A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210423574.4

申请日：2022-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永焕 ,  全祐彻 ,  金钟燮

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管包括：沟道层；势垒层，在沟道层上并具有比沟道层的能带隙大的能带隙；在势垒层上的栅极结构；源电极和漏电极，在势垒层上彼此间隔开且栅极结构在其之间；场板，电连接到源电极并在栅极结构之上延伸；以及与势垒层和漏电极接触的场分散层。场分散层可以朝栅极结构延伸。

公开(公告)号：CN115207099A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202111419130.5

申请日：2021-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊溶 ,  黃瑄珪 ,  金钟燮 ,  朴俊赫

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 提供了一种功率器件及制造该功率器件的方法。该功率器件可以包括沟道层、在沟道层的相应侧的源极和漏极、在沟道层上在源极和漏极之间的栅极、覆盖源极、漏极和栅极的钝化层、以及在钝化层中的多个场板。所述多个场板可以具有不同的厚度。所述多个场板可以具有不同的宽度、不同的图案形状、或者不同的宽度和不同的图案形状两者。

公开(公告)号：CN115148793A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210041130.4

申请日：2022-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄瑄珪 ,  金钟燮

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件和制造该功率半导体器件的方法，其中该方法包括：在基板上形成沟道分离图案；在基板和沟道分离图案上形成钝化层；同时形成穿透钝化层的栅极孔、源极孔和漏极孔；以及同时形成栅电极图案、源电极图案和漏电极图案。栅电极图案可以形成在沟道分离图案上。栅电极图案的侧表面和沟道分离图案的侧表面可以具有台阶差。

公开(公告)号：CN114496968A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202110589669.9

申请日：2021-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永焕 ,  金钟燮 ,  吴在浚 ,  丁秀真 ,  黄瑄珪

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种半导体器件封装和/或制造该半导体器件封装的方法。该半导体器件封装可以包括：半导体器件，包括在半导体器件的上表面上的多个电极焊盘；引线框架，包括接合到所述多个电极焊盘的多个导电构件；以及模制件，在所述多个导电构件之间。

公开(公告)号：CN113555427A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202011409970.9

申请日：2020-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴在浚 ,  金钟燮

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种高电子迁移率晶体管及制造该高电子迁移率晶体管的方法。该高电子迁移率晶体管包括提供在耗尽形成层上的栅电极。栅电极包括被配置为与耗尽形成层形成欧姆接触的第一栅电极以及被配置为与耗尽形成层形成肖特基接触的第二栅电极。

公开(公告)号：CN112993028A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011107929.6

申请日：2020-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁秀真 ,  金钟燮 ,  金俊溶 ,  朴永焕 ,  朴俊赫 ,  申东澈 ,  吴在浚 ,  黄瑄珪 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。