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公开(公告)号:CN104545991A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410250316.6
申请日:2014-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: A61B5/0095 , A61B8/4477 , A61B8/5246
Abstract: 提供一种用于光声图像和超声图像的宽带超声探测器。该宽带超声探测器包括:布置在基板上的第一超声换能器阵列和第二超声换能器阵列;以及激光装置,其包括被配置为将激光照射到诊断对象上的激光照射器,其中第一超声换能器阵列接收从被激光照射的诊断对象产生的第一超声波,而且第二超声换能器阵列向诊断对象发送高频带宽超声波并接收由诊断对象反射的第二超声波。
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公开(公告)号:CN101552184B
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN200810161724.9
申请日:2008-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L21/48 , H01L23/48 , H01L23/522
CPC classification number: C23C14/16 , C23C14/022 , C23C14/5806 , H01L21/30655 , H01L2924/0002 , Y10T428/24917 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供基板结构及其形成方法与太赫装置及其制造方法。形成基板结构的方法可包括:蚀刻基板,以形成具有垂直表面的蚀刻部分;在整个基板或者基板的部分上形成扩散材料层;对扩散材料层进行退火处理,以形成向下、朝着蚀刻部分的表面扩散的籽晶层;以及在籽晶层上形成金属层。因此,基板的蚀刻部分的表面特性由于籽晶层而增强,因此,可以在蚀刻部分的垂直表面上形成具有改进粘合性且厚度均匀的金属层。
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公开(公告)号:CN100555499C
公开(公告)日:2009-10-28
申请号:CN200610146735.0
申请日:2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01H1/0036 , H01H2057/006 , H01P1/127
Abstract: 提供一种向下类型微电子机械系统(MEMS)开关以及制造其的方法。向下类型MEMS开关包括:形成在基片中的第一和第二空腔;形成在第一和第二空腔的上部分的第一和第二激励器;形成在基片的上表面上并且不与第一和第二空腔重叠的第一和第二固定线;和与第一固定线和第二固定线相隔预定距离,但是当驱动第一激励器和第二激励器时能够接触第一固定线和第二固定线的接触垫。在制造RF信号线之后制造通过压电被向下激励的接触垫,从而该接触垫与RF信号线共享一层。
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公开(公告)号:CN101026053A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200610146735.0
申请日:2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01H1/0036 , H01H2057/006 , H01P1/127
Abstract: 提供一种向下类型微电子机械系统(MEMS)开关以及制造其的方法。向下类型MEMS开关包括:形成在基片中的第一和第二空腔;形成在第一和第二空腔的上部分的第一和第二激励器;形成在基片的上表面上并且不与第一和第二空腔重叠的第一和第二固定线;和与第一固定线和第二固定线相隔预定距离,但是当驱动第一激励器和第二激励器时能够接触第一固定线和第二固定线的接触垫。在制造RF信号线之后制造通过压电被向下激励的接触垫,从而该接触垫与RF信号线共享一层。
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