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公开(公告)号：CN106537166B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201580039331.9
申请日：2015-07-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的磁性传感器装置包括：磁场生成部(1)，该磁场生成部(1)配置在片状且包含有磁性成分的被检测物(4)的一个面侧，生成与所述被检测物(4)交叉的交叉磁场；以及磁阻效应元件(3)，该磁阻效应元件(3)配置在所述被检测物(4)与所述磁场生成部(1)之间，其电阻值随着因所述被检测物(4)沿着传送方向被传送而产生的所述交叉磁场在所述传送方向上的分量的变化而变化，所述磁阻效应元件(3)中，在传送方向上相邻的电阻体(32a、32b)桥接连接，所述电阻体(32a、32b)配置成以与所述传送方向正交的方向为轴相对于桥接中心呈线对称，所述磁阻效应元件(3)的桥接中心在所述传送方向上的位置配置在所述磁场生成部(1)在所述传送方向上的中心位置。
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公开(公告)号：CN109075752A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026812.5
申请日：2017-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/343 , G05F3/26 , G07D7/00 , H03K17/687
Abstract: 偏置电流电路(116)包括：将电流源(201)连接到漏极端子和栅极端子的N型MOSFET(202)；及将偏置电流的输出端子(212、213)连接到漏极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(203、204)。偏置电流电路(116)还包括：将漏极端子和源极端子中的任一方及另一方连接到N型MOSFET(202)及N型MOSFET(203、204)的栅极端子的N型MOSFET(205)；及将漏极端子连接到N型MOSFET(203、204)的栅极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(206)。将在提供偏置电流时变成低电平、在停止偏置电流时变成高电平的控制信号输入到N型MOSFET(206)的栅极端子，将控制信号的反转信号输入到N型MOSFET(205)的栅极端子。
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公开(公告)号：CN109073716A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780019973.1
申请日：2017-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的磁传感器装置包括磁体(4)、在面向所述磁体(4)的面的相反侧的面上安装有沿所述磁体(4)的长边方向配置的磁阻效应元件(2)的磁阻效应元件安装体(3)、收纳或保持所述磁体(4)及所述磁阻效应元件安装体(3)的壳体(6)、以及除了所述磁阻效应元件安装体(3)安装有所述磁阻效应元件(2)的面以外覆盖所述壳体(6)的磁屏蔽(7)，所述磁屏蔽(7)覆盖所述壳体(6)中所述磁阻效应元件安装体(3)面向所述磁体(4)的面的位置，或从所述磁阻效应元件安装体(3)面向所述磁体(4)的面的位置起覆盖所述磁体(4)的相反侧的方向。
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公开(公告)号：CN106461742A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580032668.7
申请日：2015-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01D5/16 , G01R33/09 , G01R33/091
Abstract: 本发明的磁传感器装置(100)包括：形成磁场的磁回路(30)、磁阻效应元件(4)以及散热构件(11)。磁阻效应元件(4)输出磁场的变化以作为电阻值的变化，配置于磁回路(30)的传送路径一侧的面(+Z侧的面)。散热构件(11)被配置成与磁回路(30)的传送路径的相反侧(－Z侧)紧密接触。
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公开(公告)号：CN104204835B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380019119.7
申请日：2013-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，在使具有磁性图案的被检测体与磁阻效应元件相隔微小距离的非接触状态下，稳定且灵敏度优异地检测被检测体的磁性图案。磁铁(6)配置于被检测体(5)的传送路径即中空部(2)的一个面，且沿着被检测体(5)的传送方向具有规定长度的磁极。磁性体(8)沿着传送方向与磁铁(6)隔着中空部(2)相对配置，生成与形成于磁性体(8)和磁铁(6)之间的中空部(2)交叉的交叉磁场。各向异性磁阻效应元件(10)配置在磁性体载体(8)的面对中空部(2)的一侧，在传送方向上具有磁敏作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106133543A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580014295.0
申请日：2015-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 信息读取装置(9)在振幅最大值检测部(41)中检测由偏差校正系数计算用信号发生器(7)生成的偏差校正系数计算用信号的检测数据的1个周期内的振幅最大值，在行间加法部(43)中输出规定行数的振幅最大值的相加值，在峰值检测部(45)中使振幅最大值的相加值除以规定行数，输出振幅最大值的峰值，在基准值计算部(47)中根据侧振幅最大值的峰值计算基准值并进行输出，在除法器(48)中使用正数值侧和负数值侧的振幅最大值的峰值和基准值进行检测数据的偏差校正，输出校正偏差后的检测数据。
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公开(公告)号：CN104797952A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380059590.9
申请日：2013-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G06K7/088 , G01R33/0094 , G01R33/10 , G06K7/087
Abstract: 本发明力图简化多个磁性检测元件的输出信号的读取电路，提高磁性图案的读取分辨率。磁性传感器装置由磁性检测元件(11)、以及用于对磁性检测元件(11)以一定方向的磁力线来施加偏置磁场的磁体(13)构成。磁性传感器装置用磁性检测元件对具有磁性图案的介质通过偏置磁场时的磁场变动进行检测以作为电信号，并读取介质的磁性图案。多个磁性检测元件(11)沿与介质的相对移动方向交叉的读取线进行排列。多个读取开关(22)与各磁性检测元件(11)和多个磁性检测元件(11)的共通的输出线(28)相连接。磁性传感器装置包括移位寄存器(23)，该移位寄存器(23)逐一地依次闭合读取开关(22)，将磁性检测元件(11)的输出逐一地依次取出至共通的输出线(28)。
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公开(公告)号：CN104094368A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007289.3
申请日：2013-01-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01F7/02
CPC classification number: H01F7/021
Abstract: 磁路包括：设置成阵列状的短磁铁(1a)和短磁铁(1b)；以及以夹住短磁铁(1a)和短磁铁(1b)的方式设置的磁轭(2a)和磁轭(2b)。短磁铁(1a)和短磁铁(1b)配置为在阵列的排列方向上彼此之间的间隙在规定磁铁间间隙(3)以下。此外，短磁铁(1a)和短磁铁(1b)配置为在磁轭(2a)和磁轭(2b)的一个磁轭一侧具有一个磁极，在另一个磁轭一侧具有另一个磁极。
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公开(公告)号：CN109075753B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201680084693.4
申请日：2016-04-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 传感器读取装置中，具有对来自传感器阵列(11)中所包含的各传感器元件的传感器信号进行放大并输出的功能的IC芯片(10)具备与各传感器元件相连接的多个信道放大器(111‑1～n)。当输出开关(114)导通，IC芯片(10)处于输出状态时，依次切换信道开关(112‑1～n)，从信道放大器(111‑1～n)依次输出传感器放大信号。当输出开关(114)断开，IC芯片(10)处于非输出状态时，使信道放大器(111‑1～n)的运算放大器的偏置电流降低来设为低功耗状态，并降低运算放大器的增益。
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公开(公告)号：CN111602178B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201880085572.0
申请日：2018-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G07D7/026
Abstract: 本发明的静电电容检测装置包括：夹住沿着片状的检测对象物(3)被传送的方向即传送方向的传送路径(5)、且至少一部分相对的第1电极(1)和第2电极(2)；在第1电极(1)与第2电极(2)之间形成电场(9)的振荡电路；检测第1电极(1)与第2电极(2)之间的静电电容的变化的检测电路；形成有振荡电路与检测电路中的至少一方的第1基板(11)和第2基板(12)；形成在第1电极(1)与传送路径(5)之间的绝缘性的第1平板(6)；以及形成在第2电极(2)与传送路径(5)之间的绝缘性的第2平板(7)。
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