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公开(公告)号：CN103360065A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310098827.6
申请日：2013-03-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
CPC classification number: H01L41/1876 , H01G4/018 , H01G4/1245 , H01L28/56 , H01L29/78391 , H01L37/025 , H01L41/0815 , H01L41/318 , H01L41/319 , H03H9/02031 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其制造方法，该PZT系铁电薄膜具备与以往的铁电薄膜同等的介电特性的同时具备更高寿命可靠性。本发明的PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上，其中，铁电薄膜具备：取向控制层，形成于下部电极上且择优晶体取向被控制在（111）面，层厚在45nm～270nm的范围内；及膜厚调整层，形成于取向控制层上且具有与取向控制层的晶体取向相同的晶体取向；在取向控制层与膜厚调整层之间形成界面。
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公开(公告)号：CN103359786A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310085420.X
申请日：2013-03-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C01G25/00 , C04B35/622 , C04B35/491
CPC classification number: H01L41/0805 , H01G4/1245 , H01G4/306 , H01G4/33 , H01L41/0815 , H01L41/1876 , H01L41/29 , H01L41/318 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其制造方法，该PZT系铁电薄膜具备与以往的铁电薄膜同等的介电特性的同时具备更高的寿命可靠性。本发明的PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上，其中，PZT铁电薄膜具备：取向控制层，形成于下部电极上且择优晶体取向被控制在（100）面，层厚在45nm～150nm的范围内；及膜厚调整层，形成于取向控制层上且具有与取向控制层的晶体取向相同的晶体取向；在取向控制层与膜厚调整层之间形成界面。
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公开(公告)号：CN103198923A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210001807.8
申请日：2012-01-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的薄膜电容器的制造方法，抑制薄膜电容器中成为各种特性下降的原因的小丘，并制造泄漏电流特性及绝缘耐压特性优异的薄膜电容器。本发明的薄膜电容器的制造方法中，形成下部电极之后，不进行高于300℃的温度的退火处理而将薄膜形成前躯体溶液涂布于下部电极上，以室温～450℃范围内的预定温度进行干燥，以高于干燥温度的450～800℃范围内的预定温度进行烧成，从涂布至烧成的工序中，进行1次或2次以上从涂布至烧成的工序，或者进行2次以上从涂布至干燥的工序之后，进行1次烧成，初次烧成后形成的介电薄膜的厚度设为20～600nm。优选下部电极的厚度与初次烧成后形成的介电薄膜的厚度之比(下部电极的厚度/介电薄膜的厚度)设为0.10～15.0的范围。
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公开(公告)号：CN103177797A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210552098.2
申请日：2012-12-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 意法半导体公司
Abstract: 本发明提供了一种混合的复合金属氧化物形式的用于形成薄膜的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜(Cu)的复合氧化物B和包含锰(Mn)的复合氧化物C混合到由通式Ba1-xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，其中，复合氧化物B与复合金属氧化物A的摩尔比B/A在0.002＜B/A＜0.05的范围内，且复合氧化物C与复合金属氧化物A的摩尔比C/A在0.002＜C/A＜0.03的范围内。
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