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公开(公告)号：CN105122432B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201480022312.0
申请日：2014-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN102356451B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201080012229.7
申请日：2010-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4402 , C23C16/448 , C23C16/4488 , C23C16/452 , C23C16/45561 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种处理装置。其包括用于对被处理体进行处理的处理容器，其包括：气体供给流路，其至少一部分由金属构成，并且用于将含有卤素的腐蚀性气体向上述处理容器内供给；稳定化反应处理部，其具有能量产生器和障碍物中的至少一种，该能量产生器用于向在上述气体供给流路的金属部分中流过的上述腐蚀性气体供给光能或者热能，该障碍物被设置成通过使在上述气体供给流路的金属部分中流过的上述腐蚀性气体与该障碍物碰撞而产生作用于上述腐蚀性气体的碰撞能量，该稳定化反应处理部用于进行利用上述光能、热能以及碰撞能量之中的至少一种使包含上述腐蚀性气体所含有的卤素和上述金属的化合物稳定化的反应；捕捉部件，其用于对在上述稳定化反应处理部中被稳定化的化合物进行捕捉。
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公开(公告)号：CN101438091B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200680054549.2
申请日：2006-06-02
Applicant: 喜开理株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F17D1/04 , Y10T137/87177 , Y10T137/87885
Abstract: 小型、经济的气体供给单元和气体供给系统。气体供给单元(11A)安装在工作气体输送管路上，并且具有通过流路模块(12—17)连通且控制工作气体的流体控制装置(2—6，9)。气体供给单元具有第一流路模块(14)，包括在流体控制装置内的入口开关阀(4)固定至其一侧，且气体供给单元还具有第二流路模块(17)，包括在流体控制装置内的净化阀(9)固定至其一侧。第一流路模块(14)和第二流路模块(17)在垂直于工作气体的输送方向的方向上层叠。入口开关阀(4)和净化阀(9)设置在质量流控制器(5)和安装表面之间，其中所述质量流控制器(5)安装在工作气体输送管路上，单元(11A)安装在所述安装表面内。
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公开(公告)号：CN101680561A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017711.2
申请日：2008-05-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社富士金
IPC: F16K27/00 , H01L21/02 , F17D1/04 , C23C16/455
CPC classification number: F16K27/003 , Y10T137/598 , Y10T137/87885 , Y10T137/87917
Abstract: 本发明提供一种流体控制装置，能够实现零件数量的削减和组装作业效率的提高。相对的拆卸频率较高的压力显示器(4)通过来自上方的螺钉部件(17)与位于下方的基座块(5)结合。相对的拆卸频率较低的开闭阀(6)在下方具有一体设置的块状主体(6a)。开闭阀(6)的主体(6a)被前后方向上的螺钉部件(18)结合在基座块(5)上。
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公开(公告)号：CN101438091A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200680054549.2
申请日：2006-06-02
Applicant: 喜开理株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: F17D1/04 , Y10T137/87177 , Y10T137/87885
Abstract: 小型、经济的气体供给单元和气体供给系统。气体供给单元(11A)安装在工作气体输送管路上，并且具有通过流路模块(12－17)连通且控制工作气体的流体控制装置(2－6，9)。气体供给单元具有第一流路模块(14)，包括在流体控制装置内的入口开关阀(4)固定至其一侧，且气体供给单元还具有第二流路模块(17)，包括在流体控制装置内的净化阀(9)固定至其一侧。第一流路模块(14)和第二流路模块(17)在垂直于工作气体的输送方向的方向上层叠。入口开关阀(4)和净化阀(9)设置在质量流控制器(5)和安装表面之间，其中所述质量流控制器(5)安装在工作气体输送管路上，单元(11A)安装在所述安装表面内。
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公开(公告)号：CN101409213A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810161356.8
申请日：2008-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 守谷修司
IPC: H01L21/00 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供与现有技术比较，能够减少由气体供给装置产生金属杂质的可能性，实现提高生产率的气体供给装置，半导体制造装置和气体供给装置用部件。气体供给装置1的连接用座体22由耐腐蚀性座体部件22a和金属制座体部件22b构成，其中耐腐蚀性座体部件22a，由对气体具有耐腐蚀性的陶瓷或贵金属构成、并且构成与气体接触的接触气体部；金属制座体部件22b，具有用于嵌合耐腐蚀性座体部件22a的嵌合孔28、并且保护所述耐腐蚀性座体部件22a。
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