一种石墨烯多孔纳米复合材料的交流电学性能预测方法

    公开(公告)号:CN110531188B

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN201910750297.6

    申请日:2019-08-14

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于有效介质法的取向一致的石墨烯‑聚合物多孔纳米复合材料的交流导电性和介电性预测方法。本发明所述预测方法包括以下五个步骤:步骤一:测试组分材料的几何参数和电学性能、步骤二:制备石墨烯‑聚合物多孔纳米复合材料试样、步骤三:等效交流导电性和介电性预测模型的建立、步骤四:材料参数的计算和提取并得到完整的预测模型、步骤五:预测曲线的获取与预测模型的校验。本发明重点考虑了孔隙率,石墨烯含量,石墨烯长细比,石墨烯间的最大夹角,渗流阈值等微观结构和/或参数对产品电学性能的影响,重新建立了预测模型。该模型经校验后,发现预测结果更加逼近于实验值。

    一种超高温陶瓷材料腐蚀测试设备

    公开(公告)号:CN118090578B

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202410426532.5

    申请日:2024-04-10

    Applicant: 中南大学

    Inventor: 李萌璞 李杨

    Abstract: 本发明公开了一种超高温陶瓷材料腐蚀测试设备,包括固定座,固定座上设置有一对连接块,两个连接块间设置有测试组件,测试组件包括两个连接块间转动连接的测试罩,测试罩一端卡设有试样,测试罩另一端通过滑块滑动连接有移动罩,移动罩卡设在试样自由端,移动罩和测试罩上共同滑动卡设有顶罩,顶罩通过调整组件连接有横梁,横梁通过转动组件与固定座上设置的立柱连接,测试罩和移动罩自由端均连接有端管。本发明中设置的测试组件可对待测陶瓷试样进行不同方法的测试,根据测试方法的不同选取不同规格的试样,略微改变操作步骤即可使装置以不同方式对高温陶瓷进行腐蚀测试,从而降低了试验成本,提高了装置的普适性。

    一种超高温陶瓷材料腐蚀测试设备

    公开(公告)号:CN118090578A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410426532.5

    申请日:2024-04-10

    Applicant: 中南大学

    Inventor: 李萌璞 李杨

    Abstract: 本发明公开了一种超高温陶瓷材料腐蚀测试设备,包括固定座,固定座上设置有一对连接块,两个连接块间设置有测试组件,测试组件包括两个连接块间转动连接的测试罩,测试罩一端卡设有试样,测试罩另一端通过滑块滑动连接有移动罩,移动罩卡设在试样自由端,移动罩和测试罩上共同滑动卡设有顶罩,顶罩通过调整组件连接有横梁,横梁通过转动组件与固定座上设置的立柱连接,测试罩和移动罩自由端均连接有端管。本发明中设置的测试组件可对待测陶瓷试样进行不同方法的测试,根据测试方法的不同选取不同规格的试样,略微改变操作步骤即可使装置以不同方式对高温陶瓷进行腐蚀测试,从而降低了试验成本,提高了装置的普适性。

    一种可重构超表面单元以及低RCS微带天线

    公开(公告)号:CN115966911A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202211651863.6

    申请日:2022-12-21

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本申请属于超表面技术领域,涉及一种可重构超表面单元以及低RCS微带天线。可重构超表面单元为平面结构,包括:第一贴片以及第二贴片;第一贴片为矩形条状结构,第二贴片为矩形环状结构,第一贴片的两端分别设在第二贴片上其中两条边的中点;第二贴片上另外两条边的中点上均设有可变电阻;还包括:四个矩形条状结构的第三贴片;其中两个第三贴片的一个对应端分别与一个可变电阻的两端相连,另一个对应端向第一贴片的方向垂直延伸并与第一贴片具有间隙;另外两个第三贴片的一个对应端分别与另一个可变电阻的两端相连,另一个对应端向第一贴片的方向垂直延伸并与第一贴片具有间隙。本申请能够实现RCS缩减动态可调。

    一种链珠状碳化硅纳米材料、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN112661159B

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202110040499.9

    申请日:2021-01-13

    Applicant: 中南大学

    Inventor: 李杨 庞亮 肖鹏

    Abstract: 本发明属于碳化硅纳米材料领域,具体提供一种链珠状碳化硅纳米材料、制备方法及其应用。本专利采用液相法制备前驱体溶液,再通过静电纺丝对溶液在静电力的作用下进行拉拔抽丝获得一维SiC预制体纤维膜,最后通过热处理去除杂质并结晶获得大规模连续一维SiC纳米材料。本发明制备具有链珠状分级结构的一维SiC纳米材料,是作为结构单元或复合组元的优质原料。它所具备的电学性能,在能量存储和转化、传感、光电子以及场辐射等方面具有巨大的应用价值。链珠状的分级结构,有望用于作为基体增强相来提高材料的机械性能。

    一种SiCW-C-AlPO4-莫来石抗氧化涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN109853026A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910085908.X

    申请日:2019-01-29

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种SiCW-C-AlPO4-莫来石抗氧化涂层的制备方法,包括如下步骤:1)按质量比SiC晶须:C-AlPO4粉体:莫来石粉体=1:(1~3):(6~8),加入异丙醇经超声震荡、电磁搅拌后得悬浮液A;2)向悬浮液A中加入碘单质,经超声震荡、电磁搅拌后得悬浮液B;3)将悬浮液B置于水热釜内,电磁搅拌速度控制在150~300r/min,然后以基体试样为阴极、石墨电极为阳极进行电泳沉积即得SiCW-C-AlPO4-莫来石涂层。该方法设备简单,成本低,周期短;制备温度低,对基体损伤小,避免高温涂覆引起的相变和脆裂,有利于提高基体和涂层的结合力,为复杂表面、多孔基体上涂层制备提供了保障。

    一种SiC晶须与C-AlPO4粉末协同改性莫来石涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN109721347A

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201910032041.1

    申请日:2019-01-14

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及一种SiC晶须与C-AlPO4粉末协同改性莫来石涂层的制备方法,选用C/SiC复合材料为基体,通过化学气相沉积法制备SiC内涂层,后在SiC内涂层包覆C/SiC复合材料上采用溶胶-凝胶结合空气喷涂工艺制备SiC晶须与C-AlPO4粉末协同改性莫来石涂层前驱体,最终通过烧结即可获得SiC晶须与C-AlPO4粉末协同改性莫来石涂层。该方法改善了传统溶胶-凝胶工艺制备的涂层容易开裂、分布不均匀、结合强度不高等缺点,并可以满足微米级涂层厚度地控制,具有制备工艺简单,制备成本低,制备效率高,可满足大型构件、异性构件制备等诸多优势,便于大规模产业化应用,具有广阔的发展前景。

    一种次氯酸根离子荧光探针及其合成方法和应用

    公开(公告)号:CN103173213A

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201310074867.7

    申请日:2013-03-11

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种次氯酸根离子的荧光探针及其制备方法和用途。合成方法包括以下步骤:1)以甲苯和正丁醇的混合溶液为溶剂,加入摩尔比为1:1.8~2.2的3,4-二羟基-3-环丁烯-1,2-二酮(方酸)、3-N,N-二乙氨基苯酚,加热回流,反应8~12小时;过滤,用甲醇洗涤反应沉淀,干燥得中间产物方酸染料;2)氮气保护下,以甲苯为溶剂,加入的上述方酸染料和Lawesson试剂,加热回流,反应6~24小时,减压蒸馏除去溶剂,用硅胶柱层析得到荧光探针。本发明的探针合成过程简单;对次氯酸根具有很高的选择性及灵敏度,具有良好的应用前景。

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