公开(公告)号：CN108169313B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201810120320.9

申请日：2018-02-07

Applicant: 中南大学

Inventor： 朱文辉 ,  王彦 ,  李祉怡 ,  吴厚亚 ,  王福亮

IPC: G01N27/48 ,  G01N27/416

Abstract: 本发明为一种电镀液交换电流密度和阴极转移系数的表征与标定方法，采用线性扫描伏安法测定，本发明还提供了一种TSV电镀添加剂扩散系数的表征与标定方法，采用计时安培分析法测试，本发明利用电化学工作站，设计上述简单的测试方法，方便、有效地获得电镀液交换电流密度、阴极转移系数与添加剂扩散系数。

公开(公告)号：CN108169313A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201810120320.9

申请日：2018-02-07

Applicant: 中南大学

Inventor： 朱文辉 ,  王彦 ,  李祉怡 ,  吴厚亚 ,  王福亮

IPC: G01N27/48 ,  G01N27/416

Abstract: 本发明为一种电镀液交换电流密度和阴极转移系数的表征与标定方法，采用线性扫描伏安法测定，本发明还提供了一种TSV电镀添加剂扩散系数的表征与标定方法，采用计时安培分析法测试，本发明利用电化学工作站，设计上述简单的测试方法，方便、有效地获得电镀液交换电流密度、阴极转移系数与添加剂扩散系数。

公开(公告)号：CN103500715A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310461814.0

申请日：2013-09-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  陈云 ,  韩雷 ,  李军辉

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/48091

Abstract: 本发明公开了一种抗侧摆三维引线成弧方法，通过在三维空间的劈刀运动,形成真正意义上三维大跨度弧线，其最终的引线构型不仅仅在XOZ平面，而是分布在整个XYZ空间上，且引线在XOY平面上的投影关于两个焊点之间的连线的中点成中心对称。使得引线上三个折点的残余应力除了可以形成抵抗XOZ平面内变形的弯矩Mx1、Mx2和Mx3外，也能形成抵抗XOY平面内变形的弯矩Mz1、Mz2和Mz3。通过二者组合，使得引线可以抵御来自空间任意方向的外力和变形，形成稳定的、抗侧摆的三维大跨度弧线。

公开(公告)号：CN101372066B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810143325.X

申请日：2008-10-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  邹长辉 ,  乔家平

IPC: B06B1/06 ,  B23K20/10

Abstract: 本发明公开了一种压电式超声换能器驱动电源，包括主控制器、采样电路、调整电路和驱动电路；所述的采样电路和调整电路从压电式超声换能器获取信号，其输出端接所述的主控制器；所述的主控制器接收外部控制发来的信号，并通过驱动电路连接压电式超声换能器；所述的主控制器包括鉴相单元、控制单元、直接数字式频率合成器、调幅限幅单元；所述的鉴相单元接所述采样电路的输出信号；所述的鉴相单元、控制单元、直接数字式率频合成器和调幅限幅单元依次串联后输出信号给所述的驱动电路。与基于DSP和其他控制器的超声电源相比，本发明具有锁相速度快、精度高、输出功率可编程调节等优点。

公开(公告)号：CN101764069A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN201010005521.8

申请日：2010-01-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 李军辉 ,  王瑞山 ,  王福亮 ,  隆志力 ,  韩雷

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种用于微电子系统级封装的堆叠芯片悬臂柔性层键合的方法，底层芯片(2)粘接在基板(1)上，上层芯片(3)通过银胶或合金工艺粘接在底层芯片(2)，叠加的上层芯片(3)形成悬臂，上层芯片(3)的I/O焊盘(4)通过微小引线(8)与基板的引脚连接，实现IC封装互连，在键合过程中通过施加高频超声能(5)和键合压力(6)将互连焊球焊接到芯片焊盘(4)上，超声能和键合压力是通过微小焊接劈刀(9)传递能量，在所述的焊盘(4)底层与所述的上层芯片(3)之间设置一层柔性聚合物(7)。本发明减小键合过程冲击，使得多形态能量在键合界面平稳响应、界面结合充分，从而有效地提高悬臂键合的键合强度和SiP封装可靠性。

公开(公告)号：CN101083217A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200610031729.0

申请日：2006-05-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 李军辉 ,  韩雷 ,  王福亮 ,  钟掘

IPC: H01L21/607 ,  B23K20/10 ,  B29C65/08

CPC classification number: H01L2224/16

Abstract: 一种热声倒装键合实验台，包括超声倒装焊具系统和加热系统，本发明对粗铝线键合机和金线键合机的超声传能系统的劈刀工具进行改造，把引线键合的尖端劈刀，改为平端劈刀，使超声焊具系统能与倒装芯片大面积接触，加热系统为金线键合机的加热系统，对热声倒装焊接加热，温度范围为室温－400℃，输入超声功率为0－15W，频率60KHz，压力0－1200g，键合时间5－500ms。本发明使超声倒装焊具系统和加热系统协调工作，降低了焊接的功率，提高了焊接的效率。

公开(公告)号：CN101075569A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200610031671.X

申请日：2006-05-18

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  韩雷 ,  钟掘 ,  广明安

IPC: H01L21/607 ,  H01L21/60 ,  B23K20/10

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种键合参数加载方法，本发明通过监测换能器驱动电流和电压信号，获得换能器的功率信号，再根据统计的功率信号曲线，确定改变键合参数的临界点Tcritical，在临界点Tcritical以前的键合I阶段输入小超声功率、大键合压力；在临界点Tcritical以后的键合II阶段输入大超声功率、小键合压力。这种通过改变键合参数加载过程，提高了键合强度和可靠性，使得能量的输入符合键合界面的实际消耗规律。

公开(公告)号：CN119859830A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411923555.3

申请日：2024-12-25

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  曾毅

IPC: C25D5/08 ,  C25D3/38 ,  C25D21/14

Abstract: 本发明公开了一种T型热电偶及其电化学喷射沉积制造方法，该方法包括沉积铜康斜柱、更换电镀液、沉积铜斜柱和合并斜柱几个步骤。本发明利用电化学喷射沉积工艺完成对T型热电偶中康铜电极和铜电极的增材制造，可实现丝径为百微米以内的热电偶的制造，有效地解决了目前技术中该尺度热电偶难以加工的技术难题，便于推广使用。

公开(公告)号：CN109628968B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910091137.5

申请日：2019-01-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 王彦 ,  王福亮 ,  陈卓 ,  何虎 ,  李军辉

IPC: C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  C25D3/38 ,  C25D17/00

Abstract: 本发明提供了一种TSV快速填充方法与装置，TSV快速填充方法包括如下步骤：预处理：将含TSV盲孔的硅片保持开口向上在金属纳米粒子悬浮液中放置20小时以上；取出所述硅片，在200‑500℃下加热15‑60min；电镀铜：将加热后的硅片进行电镀铜，至TSV盲孔被完全填充。TSV快速填充装置，包括电镀阳极、电镀阴极、电镀电源、电镀液和超声变幅杆。预处理后TSV孔中预先沉积有金属纳米粒子，再用上述TSV快速填充装置进行电镀铜，加快了铜的沉积速度，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN109502648A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811505321.1

申请日：2018-12-10

Applicant: 中南大学

Inventor： 王福亮 ,  唐子锴 ,  杨祎

IPC: C01G39/06 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01G39/06 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明公开了一种超声辅助的二硫化钼纳米片物理剥离装置，包括底座、三维微动台、载物片以及超声变幅杆，三维微动台设置于所述底座上；载物片设置于所述三维微动台上；超声变幅杆设置在所述载物片的上方且与底座上的支撑架固定连接，所述超声变幅杆的输出端对准所述载物片，所述三维微动台与所述载物片之间设有通过压力传感变送器与示波器电性连接的压电传感器，所述超声变幅杆与超声电源电性连接。本发明还公开了一种使用上述装置的剥离方法。本发明利用变幅杆末端的超声提供切向力，通过酒精液滴的介质将剪切力均匀地传递到二硫化钼表面，并使得厚度3nm-30nm的纳米片脱离块体材料，完成直接物理剥离，具有简单、高效且剥离效率高等优点。