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公开(公告)号：CN117148117A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311408188.9
申请日：2023-10-27
Applicant: 中诚华隆计算机技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Chiplet故障自动检测修复方法及系统，涉及芯粒故障诊断技术领域，包括步骤：S1：传感器阵列和监控电路实时采集每个芯粒的温度T、功耗P、工作频率F、工作负载L、实时电压V，每个芯粒形成一个特征向量；S2：将形成的特征向量输入至训练好的改进隔离森林模型进行故障判断，若异常分数 大于设定阈值则进入步骤S3，否则结束；S3：每个芯粒集成BIST自检测电路实现故障芯粒定位及修复；S4：结束。本申请通过改进隔离森林模型进行故障判断，结合芯粒特定进行异常分数计算，通过集成BIST自检测电路实现故障芯粒定位及修复，大大增强了自动化程度，提升了故障判断效率及准确率。
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公开(公告)号：CN116841804B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311120287.7
申请日：2023-09-01
Applicant: 中诚华隆计算机技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于Chiplet的动态重配置方法和芯片，属于集成电路技术领域，所述方法包括：为每个Chiplet确定一种生命体模型，所述生命体模型的基本功能为复制和修复；利用模糊逻辑算法基于监测的芯片的运行状态获得的输出值来指导优化策略；其中，利用模糊逻辑算法基于监测的芯片的运行状态获得的输出值来指导优化策略，包括：基于模糊逻辑算法的输出和芯片上各Chiplet当前的效用确定需要复制的Chiplet；基于模糊逻辑算法的输出、需要复制的Chiplet的当前的效用、以及模糊逻辑算法的模糊集确定需要复制的Chiplet的修复启动时间。本发明基于Chiplet的动态重配置方法提供了一种高效、可靠、自适应的解决方案。
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公开(公告)号：CN116627237B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310914268.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 中诚华隆计算机技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于芯粒Chiplet的电源管理芯片架构系统，属于集成电路技术领域，包括通用底座芯片和多个底层电源管理芯片，多个底层电源管理芯片用于分别对多个计算平台Chiplet的底层管理，动态调整供电电压和频率，进行性能和任务状态上报；通用底座芯片包括中间层管理模块和顶层管理模块，中间层管理模块根据各个Chiplet的性能优化调整电源分配，以及将任务状态发送至顶层管理模块；顶层管理模块基于任务状态进行跨Chiplet的协同优化的预测性电源管理，结果返回中间层管理模块；中间层管理模块在对应时刻基于预测性电源管理的结果对所述多个计算平台Chiplet进行电源分配。本发明通过分层管理在局部和全局层面优化，提升系统能源利用效率，满足各Chiplet性能需求。
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公开(公告)号：CN116361662B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310626553.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 中诚华隆计算机技术有限公司
IPC: G06F18/214 , G06N20/00 , G06N10/70 , H04L9/08 , G06N3/0442 , G06F30/27
Abstract: 本发明提供了一种机器学习模型的训练方法及量子网络设备性能预测方法，涉及数据处理技术领域，方法包括：构建机器学习模型，机器学习模型包括：输入层、编码层和解码层；输入层中设置有数据处理单元，编码层包括变化关系注意力子层、相关关系注意力子层和评价关系注意力子层；基于量子网络设备在每一个历史时刻性能参数的性能值，形成多个样本对；样本对包括：设定数量个连续的历史时刻性能参数的性能值；其中，样本对中最近历史时刻性能参数的性能值为输出样本，样本对中其他历史时刻性能参数的性能值为输入样本；利用多个样本对对机器学习模型进行训练。本方案，能够实现对量子网络设备的性能值的准确预测。
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公开(公告)号：CN116387425B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310605132.6
申请日：2023-05-26
Applicant: 中诚华隆计算机技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多量子阱LED外延结构、LED芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域，该外延结构包括沿生长方向依次设置的衬底、第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层；有源层包括交替排列的多个AlInGaN量子阱层和多个AlGaN量子垒层；AlInGaN量子阱层内部沿生长方向Al的含量递增，In的含量小于Al的含量；AlInGaN量子阱层中Al的含量和In的含量之和为恒定值。本发明提供的LED外延结构电子空穴有效复合率高，能有效提高内部量子效率和发光功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116560005A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310853724.X
申请日：2023-07-12
Applicant: 中诚华隆计算机技术有限公司
IPC: G02B6/293 , G06F15/163 , G06N3/126 , G02B6/35 , G02B27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于光学互联的芯粒实现方法和系统，属于芯片技术领域，用于基于芯粒chiplet在基板位置固定后确定初始光路中转点位置，所述方法包括：根据系统需求确定每一对chiplet之间光路中转点的初始位置；采用遗传算法对基板上所有光路中转点的初始位置进行优化；根据遗传算法优化后的光路中转点位置；将相邻且距离较近的多个中转点替换为多路中转点；使用波分复用技术对不同的光路配置不同的波长。本发明基于chiplet位置确定初始光路中转点，采用遗传算法进行优化，通过相邻中转点替换和波分复用技术，实现了高集成度、高性能的光互联系统，提高了带宽利用率，满足了高性能计算和通信设备的需求。
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公开(公告)号：CN116344692B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310605129.4
申请日：2023-05-26
Applicant: 中诚华隆计算机技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED外延结构、LED芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域，该外延结构包括沿生长方向依次设置的反射层、衬底、第一半导体层、有源层、电子阻挡层、第二半导体层；有源层包括交替排列的至少一个AlInGaN量子阱层和AlGaN量子垒层；AlGaN量子垒层比AlInGaN量子阱层多一层；沿生长方向最后一个AlGaN量子垒层包括依次生长的厚度和Al含量均不同的第一AlGaN子层和第二AlGaN子层；本发明提供的LED外延结构能有效降低电子的泄漏，提高空穴的注入效率，进而提高内量子效率及光输出功率。
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公开(公告)号：CN116367700B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310518377.5
申请日：2023-05-10
Applicant: 中诚华隆计算机技术有限公司
Abstract: 本发明涉及量子计算技术领域，特别涉及一种为超导量子芯片提供超低温的方法及量子计算装置。该方法包括：制备第一壳体和第二壳体；其中，第二壳体与第一壳体通过导热板连接，超导量子芯片的一个面与导热板朝向第一壳体内部的面贴合；分别对第一壳体和第二壳体进行抽真空处理以使第一壳体和第二壳体中均为真空环境；向第二壳体内部发射激光束以捕获第二壳体中预设的反射微球；采集第二壳体中的光信息；光信息包括光的传播方向；根据光信息移动激光以减弱反射微球的振动，为超导量子芯片提供超低温环境。本发明实施例提供了一种为超导量子芯片提供超低温的方法及量子计算装置，能够为超导量子芯片提供超低温的计算环境。
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公开(公告)号：CN116344688B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310602152.8
申请日：2023-05-26
Applicant: 中诚华隆计算机技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种发光芯片及其制作方法，属于半导体器件技术领域。所述发光芯片依次包括衬底、连接第一电极的第一半导体层、光提取层、有源层和连接第二电极的第二半导体层；衬底中掺杂有铝，且衬底中铝的含量向生长侧递增；光提取层为氮化铝层，其靠近有源层一侧开设有纳米孔阵列，纳米孔的深度为光提取层厚度的40~60%；有源层为多个InxGa1‑xN层/AlyGa1‑yN垒层/GaN垒层交替结构，在InxGa1‑xN层中，0.3≤x≤0.4，x取值不变；在各AlyGa1‑yN垒层中，0.1≤y≤0.3，y取值沿生长方向递减，递减率为10~20%。本发明有效提高了发光芯片的发光效率以及稳定性。
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公开(公告)号：CN116302899B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310557887.3
申请日：2023-05-18
Applicant: 中诚华隆计算机技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种芯粒故障诊断方法和装置，涉及计算机技术芯片领域。该方法包括：获取包括多芯粒的目标芯片在当前运行总时长内的运行数据集；根据运行数据集，确定至少一个工作模式；在当前运行总时长内，确定各芯粒在每个工作模式下的运行时长和特征参数；根据各芯粒在每个工作模式下的运行时长和特征参数，确定目标芯片中的各芯粒的故障概率；对故障概率大于预设阈值的目标芯粒进行故障诊断。本方案能有效预测并精准诊断故障芯粒。
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