-
公开(公告)号：CN102754341B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201180008814.4
申请日：2011-02-09
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 田中宏行
CPC classification number: H03H9/02921 , H03H9/0038 , H03H9/0052 , H03H9/02535 , H03H9/02952 , H03H9/6436
Abstract: 本发明提供一种弹性波装置。SAW装置(1)具有：基板(3)；和在SAW的传播方向D1上彼此相邻的IDT电极(11B)及IDT电极(11A)。IDT电极(11B)具有：位于与传播方向D1正交的正交方向D2的一侧、与信号线连接的信号连接母线(17S)；和位于正交方向D2的另一侧、与地线连接的接地母线(17G)。IDT电极(11A)具有：位于正交方向D2的另一侧、与信号线连接的信号连接母线(17S)；和位于正交方向D2的一侧、与地线连接的接地母线(17G)。进而，SAW装置(1)具有位于IDT电极(11B)的接地母线(17G)与IDT电极(11A)的信号连接母线(17S)之间、且与接地母线(17G)、信号连接母线(17S)的任何母线都不连接的、位于基板(3)的主面的浮置部件(23)。
-
公开(公告)号：CN102017406B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN200980114387.0
申请日：2009-04-24
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/0009 , H03H9/02763 , H03H9/1457 , H03H9/14582 , H03H9/6433
Abstract: 本发明提供一种声表面波装置，其构成为以如下方式配置电极指，按照排列顺序，设具有串联分割型构造的各IDT电极中的连续顺序排列的任意3个IDT电极为第1、第2、第3IDT电极时，使得所述第1IDT电极与所述第2IDT电极在第1区域分界上的第1电极指间距P1，等于所述第2IDT电极与所述第3IDT电极在第1区域分界上的第2电极指间距P2，而且，所述第1、第2电极指间距P1、P2在所述IDT电极的第1区域的电极指间距中最小，另外使大于所述第1、第2电极指间距P1、P2的第3电极指间距P3处于各IDT电极的第1区域。
-
公开(公告)号：CN103119847A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180046302.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/25 , H03H9/14541 , H03H9/6406
Abstract: SAW元件(1)具有：基板(3)；IDT电极(5)，其由Al或以Al为主要成分的合金构成，且配置在基板(3)的上表面(3a)上；第一膜(9)，其配置在IDT电极(5)的上表面上；保护层(11)，其以氧化硅为主要成分，覆盖配置有第一膜(9)的IDT电极(5)及基板(3)中从IDT电极(5)露出的部分，且距离基板(3)的上表面(3a)的厚度(t)比IDT电极(5)及第一膜(9)的合计的厚度(e)大。第一膜(9)以声阻抗比IDT电极(5)的材料(Al或以Al为主要成分的合金)及氧化硅大且弹性波的传播速度比IDT电极(5)的材料及氧化硅慢的材料为主要成分。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102804600A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080026642.9
申请日：2010-06-25
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 田中宏行
CPC classification number: H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/02913 , H03H9/6436 , H03H9/725
Abstract: 本发明提供了一种电特性优良的SAW滤波器以及分波器。SAW滤波器具备：压电基板(40)；具有配置于压电基板(40)上的第1IDT电极(1)的表面声波元件(10)；与第1IDT电极(1)电连接的第1信号布线(31)；以及具有隔着绝缘部件(41)与第1信号布线(31)交叉的第1交叉部且围住表面声波元件(10)而形成的环状的基准电位布线(9)。
-
公开(公告)号：CN102754341A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008814.4
申请日：2011-02-09
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 田中宏行
CPC classification number: H03H9/02921 , H03H9/0038 , H03H9/0052 , H03H9/02535 , H03H9/02952 , H03H9/6436
Abstract: 本发明提供一种弹性波装置。SAW装置(1)具有：基板(3)；和在SAW的传播方向D1上彼此相邻的IDT电极(11B)及IDT电极(11A)。IDT电极(11B)具有：位于与传播方向D1正交的正交方向D2的一侧、与信号线连接的信号连接母线(17S)；和位于正交方向D2的另一侧、与地线连接的接地母线(17G)。IDT电极(11A)具有：位于正交方向D2的另一侧、与信号线连接的信号连接母线(17S)；和位于正交方向D2的一侧、与地线连接的接地母线(17G)。进而，SAW装置(1)具有位于IDT电极(11B)的接地母线(17G)与IDT电极(11A)的信号连接母线(17S)之间、且与接地母线(17G)、信号连接母线(17S)的任何母线都不连接的、位于基板(3)的主面的浮置部件(23)。
-
公开(公告)号：CN100574097C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510092192.4
申请日：2005-08-24
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/1085
Abstract: 本发明涉及一种通频带外衰减特性优良的声表面波装置，具有压电基板(17)，其下面形成有IDT电极(3、4)、将上述IDT电极(3、4)包围起来且与IDT电极(3)相连接的环状接地电极(6)；以及基体(5)，上面形成有环状接地导体(7)，具有与环状接地导体(7)相连接的内部接地导体层(10a)、下面接地导体层(11a)、与IDT电极(4)相连接的内部接地导体层(10b)、及下面接地导体层(11b)。内部接地导体层(10a)与下面接地导体层(11a)所构成的第1接地用导体，与内部接地导体层(10b)与下面接地导体层(11b)所构成的第2接地用导体被直流分离。
-
公开(公告)号：CN101292421A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200680039438.4
申请日：2006-10-27
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H03H9/0038 , H03H9/0071 , H03H9/0274 , H03H9/14582 , H03H9/14588
Abstract: 提供了一种声表面波装置，抑制了通带内微小波动的产生，改善了插入损耗，并提高了平衡度。与声表面波谐振器(16)并联连接的第一和第二声表面波元件(14、15)各自具备：沿着在压电基板(1)上传播的声表面波的传播方向配置、均具有多个电极指的三个以上的奇数个IDT(2－4、5－7)；和配置于IDT两端、均具有多个电极指的反射器(8、20、21、10)，并且在IDT和反射器各自具备的所有电极指中，与不同的IDT或反射器相邻的电极指的极性以位于中央的IDT为中心对称配置。
-
公开(公告)号：CN1741377A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510092192.4
申请日：2005-08-24
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/1085
Abstract: 本发明涉及一种通频带外衰减特性优良的声表面波装置，具有压电基板(17)，其下面形成有IDT电极(3、4)、将上述IDT电极(3、4)包围起来且与IDT电极(3)相连接的环状接地电极(6)；以及基体(5)，上面形成有环状接地导体(7)，具有与环状接地导体(7)相连接的内部接地导体层(10a)、下面接地导体层(11a)、与IDT电极(4)相连接的内部接地导体层(10b)、及下面接地导体层(11b)。内部接地导体层(10a)与下面接地导体层(11a)所构成的第1接地用导体，与内部接地导体层(10b)与下面接地导体层(11b)所构成的第2接地用导体被直流分离。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.036 seconds)
