充电构件、充电构件的制造方法、电子照相设备和处理盒

    公开(公告)号:CN103502896A

    公开(公告)日:2014-01-08

    申请号:CN201280020838.6

    申请日:2012-04-24

    CPC classification number: G03G15/0233 Y10T428/24355

    Abstract: 本发明提供几乎不发生清洁不良的充电构件,结果,抑制由电子照相设备产生的图像中纵条纹的形成。所述充电构件包含支承体、弹性层和表面层。所述表面层包含具有选自Si-O-M键和Si-O-Ta键的至少一种键、选自M-O-Ge键和Ta-O-Ge键的至少一种键以及Si-O-Ge键的高分子化合物。M为选自由Ti、Zr和Hf组成的组的元素。该高分子化合物具有由式(1)和(2)表示的结构单元以及由式(3)和/或(4)表示的结构单元。所述充电构件具有从它的表面延伸到所述弹性层的龟裂,并且该龟裂的边缘凸起。结果,使充电构件的表面粗糙。式(1)、式(2)Ge04/2、式(3)MO4/2、式(4)Ta05/2。

    充电构件、充电构件的制造方法、电子照相设备和处理盒

    公开(公告)号:CN103502896B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201280020838.6

    申请日:2012-04-24

    CPC classification number: G03G15/0233 Y10T428/24355

    Abstract: 提供几乎不发生清洁不良的充电构件,结果,抑制由电子照相设备产生的图像中纵条纹的形成。所述充电构件包含支承体、弹性层和表面层。所述表面层包含具有选自Si-O-M键和Si-O-Ta键的至少一种键、选自M-O-Ge键和Ta-O-Ge键的至少一种键以及Si-O-Ge键的高分子化合物。M为选自由Ti、Zr和Hf组成的组的元素。该高分子化合物具有由式(1)和(2)表示的结构单元以及由式(3)和/或(4)表示的结构单元。所述充电构件具有从它的表面延伸到所述弹性层的龟裂,并且该龟裂的边缘凸起。结果,使充电构件的表面粗糙。式(1):,式(2):Ge04/2,式(3):MO4/2,式(4):Ta05/2。

    充电构件、处理盒和电子照相图像形成设备

    公开(公告)号:CN105372963A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201510483672.7

    申请日:2015-08-07

    CPC classification number: G03G15/0233

    Abstract: 本发明涉及充电构件、处理盒和电子照相图像形成设备。充电构件包括支承体和表面层。表面层包含第一化合物和与第一化合物不同的第二化合物。第一化合物是具有选自由SiO4/2(Q)单元、SiO3/2(T)单元和SiO2/2(D)单元组成的组的至少一种单元的聚硅氧烷。第二化合物是含有具有有机硅氧烷键的基团和季铵基的丙烯酸类聚合物。

    充电构件、处理盒和电子照相设备

    公开(公告)号:CN103492958B

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201280019991.7

    申请日:2012-04-18

    CPC classification number: G03G15/0233

    Abstract: 提供一种具有对电子照相感光构件优越的充电性能的充电构件,所述充电性能难以经时变化。所述电子照相用充电构件具有基体、弹性层和表面层;所述表面层包含在其分子结构中具有Si-O-Ti键的高分子化合物和在说明书中定义的由通式(7)表示的环状聚硅烷;并且所述高分子化合物具有在说明书中定义的由通式(1)表示的构成单元和由式(2)表示的构成单元。

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