公开(公告)号：CN101946303A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980105188.3

申请日：2009-02-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种将退火工序中的基板的膜厚变化降到最小限度、而且达到表面平滑化的方法。一种SOI基板的表面处理方法，其至少包括通过使用等离子的PACE法或使用气体团簇离子束的GCIB法对SOI基板的表面进行处理的工序；以及在氩气氛围中或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中，对实施了上述处理的SOI基板进行热处理退火的工序。

公开(公告)号：CN101290872A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810093348.4

申请日：2008-04-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，是一种将绝缘性基板用于支撑片，并于该绝缘性基板的表面上贴合施主晶片的贴合基板的制造方法，至少对上述绝缘性基板的背面，施以喷砂处理。由此，在使用绝缘性基板作为支撑片来制造贴合基板时，通过将该贴合基板的背面(也即绝缘性基板的背面)粗面化而容易搬运及在载置后取出，进而对于将透明绝缘性基板作为支撑片的该贴合基板，提供一种贴合基板的制造方法，其表面的识别更与硅半导体晶片的工序同样简便。

公开(公告)号：CN101286537A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810090977.1

申请日：2008-04-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，其以结晶性高的单晶硅作为薄膜的光变换层。一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；于金属基板上形成透明绝缘性层的工序；于上述离子注入面和上述透明绝缘性层表面的至少其中一方，进行表面活化处理的工序；将此两者贴合的工序；机械性剥离上述单晶硅基板以作成单晶硅层的工序；于上述单晶硅层的上述剥离面形成多个第二导电型的扩散区域，并使上述单晶硅层的上述剥离面存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；于上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上各自形成多个个别电极的工序；形成各集电电极的工序；以及形成透明保护膜的工序。

公开(公告)号：CN101286443A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810088668.0

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C23C14/48

Abstract: 本发明的课题是改善PBN材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板10的表面注入氢离子，并在硅基板10的表面附近的规定深度形成离子注入区域11，且对该硅基板10的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理或臭氧处理。使施行表面处理后的硅基板10与PBN基板20的主面彼此之间，在室温下密接而贴合，并对贴合后的基板赋予外部冲击，来机械性地将硅薄膜12从硅基板的基体13剥离而转印。将所得到的PBN复合基板30切割成为需要尺寸的芯片，并在硅薄膜12侧镀覆(metallizing)高熔点金属来连接配线材料。

公开(公告)号：CN101262029A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810083479.4

申请日：2008-03-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/068 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/056 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。

公开(公告)号：CN101179054A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710170066.5

申请日：2007-11-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/78603 ,  Y10S438/967 ,  Y10T428/31612

Abstract: 本发明提供一种非常适合于半导体装置的工艺的SOQ基板及其制造方法。本发明的手段为：将氢离子注入单结晶硅基板10的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)11。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面12。贴合此单结晶硅基板10和含有碳浓度100ppm以上的石英基板20，并对注入损伤层11附近赋予外部冲击，将贴合基板沿着单结晶硅基板10的氢离子注入界面12，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜13的表面，进行研磨等，除去损伤，而得到SOQ基板。

公开(公告)号：CN101174658A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710185123.7

申请日：2007-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/1896 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子中的至少一种注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明导电性粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明导电性粘结剂成为透明导电性膜，并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层形成pn结的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN103151406B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201210599126.6

申请日：2012-11-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 降簱智欣 ,  伊藤厚雄 ,  金亨培 ,  五十岚实 ,  堀田昌克 ,  中村勉

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/052 ,  H01L31/054

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/048 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0543 ,  Y02E10/52

Abstract: 一种太阳能电池模块，其由传输太阳光的透明材料板、与太阳光入射面相对地设置的导热材料板、透光弹性体构件以及太阳能电池元件而构成，将该透光弹性体构件和该太阳能电池元件插入在所述透明材料板和所述导热材料板之间，将该透光弹性体构件设置在太阳光入射侧，通过这样的方式，使得透光弹性体构件将太阳能电池元件压向导热材料板。通过用该透光弹性体构件的折射作用改变直接入射光的光路径，该太阳能电池模块允许该太阳能电池元件的指状电极和/或母线电极设置在比直接入射太阳光不受折射作用影响的区域中的入射太阳光少的区域中。本发明的太阳能电池模块具有高的转换效率并在长期的户外暴露中表现出了良好的耐用性。因此，其对于作为解决全球环境问题的能源而扮演重要角色的大规模的光伏发电厂是有用的。

公开(公告)号：CN102627858B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201110463321.1

申请日：2011-12-28

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 五十岚实 ,  中村勉 ,  伊藤厚雄 ,  降簱智欣 ,  金亨培

IPC: C08L83/07 ,  C08L83/05 ,  C08L83/08 ,  C08K9/06 ,  C08K3/36 ,  G02B3/08 ,  G02B1/04

CPC classification number: C08K3/36 ,  C08K5/5419 ,  C08K9/06 ,  Y02E10/52 ,  Y10T428/31663 ,  C08L83/04

Abstract: 本发明公开了混炼型硅橡胶组合物，作为必要组分，其包含：(A)100重量份由下述平均组成式(I)表示并具有至少100的聚合度的有机聚硅氧烷；R1aSiO(4-a)/2(I)其中R1是相同或者不同的、未取代或者取代的单价烃基，并且a是1.95至2.05的正数；(B)70-150重量份具有大于200m2/g的比表面积的气相二氧化硅；(C)0.1至30重量份在一个分子中具有至少两个与硅原子键接的氢原子的有机氢聚硅氧烷；和(D)0.1至10重量份氢化硅烷化反应催化剂。

公开(公告)号：CN104974529A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510159269.9

申请日：2015-04-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 塚田淳一 ,  降簱智欣 ,  大和田宽人 ,  伊藤厚雄 ,  山川直树 ,  柳沼笃

IPC: C08L83/07 ,  C08K3/36 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0481 ,  B32B37/10 ,  B32B38/004 ,  B32B2307/40 ,  B32B2383/00 ,  B32B2457/12 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08K3/36 ,  C08K5/56 ,  C08L83/00 ,  C08L83/04 ,  Y02E10/546

Abstract: 太阳能电池模件，其由受光表面面板和背表面面板、包含多个夹在所述面板之间的太阳能电池的太阳能电池基体和用于封装太阳能电池基体的有机硅封装剂层构成。有机硅封装剂组合物用于形成有机硅封装剂层，所述有机硅封装剂层在-40℃-85℃温度范围内具有1-300MPa的储能弹性模量。