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公开(公告)号：CN117782317B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311810577.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层，以及在介质基底层上制备的介质缓冲层；在介质缓冲层上沉积GaN/AlN纳米线；GaN/AlN纳米线的一端为GaN，GaN/AlN纳米线的另一端为AlN，GaN/AlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N；GaN/AlN纳米线中N元素的浓度为50％，Ga元素和Al元素沿GaN/AlN纳米线长度逐渐改变，并且Ga元素和Al元素的浓度互补；在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极，电极与GaN/AlN纳米线接触。本发明通过在Si/SiO2衬底上生长GaN/AlN纳米线，使用电子束光刻在纳米线上制造平行的In/Au电极阵列，最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构，结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建，舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件，实现了小型化、轻量化。
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公开(公告)号：CN117747693B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311568221.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0376
Abstract: 本发明提供了一种基于GaSb光子晶体板的多光谱短波红外探测器，包括二类超晶格PBIN探测单元，以及在二类超晶格PBIN探测单元的GaSb盖层上集成的GaSb光子晶体板；GaSb光子晶体板包括多个晶体板单元，并且多个晶体板单元的周期不同、晶格常数不同；每一个晶体板单元开设多个探测孔，多个晶体板单元的探测孔的孔尺寸不同。本发明具有波长选择性、光谱多样性、高分辨率、工作波段广泛的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118131394A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410279571.7
申请日：2024-03-12
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本申请涉及硅光子器件领域，公开了一种用于硅基光子卷积乘法运算的感光器件及其制备方法，所述感光器件包括一个硅基波导结构，设计用于传输光信号；至少一个锗区域，位于所述硅基波导结构的上方，并与之耦合，用于对通过所述硅基波导结构的光信号进行调制。本发明利用硅波导结构传输光信号，结合锗区域的感光效应对光信号进行高效调制，通过锗区吸收空间光，引起锗区载流子分布改变，再通过倏逝耦合影响锗区下的硅波导折射率，引起硅波导中的模式光相位和幅度的改变，从而实现空间光信息加载，实现卷积乘法运算功能，适用于高速光通信和光学信号处理领域。
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公开(公告)号：CN117784291A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311810095.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G02B1/00 , G01N21/3563
Abstract: 本发明提供了一种基于光子晶体的宽谱段多光谱超表面，包括阵列的多个光子晶体单元结构；每一个所述光子晶体单元结构包括3×3组光子晶体阵列，每一组光子晶体具有不同周期的光子晶体；每一组光子晶体阵列的参数如下：光子晶体的厚度为光子晶体的晶格常数的一半，光子晶体的孔穴半径为0.4μm～2.8μm，光子晶体的晶格常数为1μm～3.6μm；光子晶体阵列的相邻两行之间，对应的光子晶体之间的连线与水平线的夹角θ为30°～90°。本发明实现对不同波段光的准确识别和测量，长波红外8‑10μm激光的多光谱兼容和识别。
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公开(公告)号：CN117782317A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311810577.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层，以及在介质基底层上制备的介质缓冲层；在介质缓冲层上沉积GaN/AlN纳米线；GaN/AlN纳米线的一端为GaN，GaN/AlN纳米线的另一端为AlN，GaN/AlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N；GaN/AlN纳米线中N元素的浓度为50％，Ga元素和Al元素沿GaN/AlN纳米线长度逐渐改变，并且Ga元素和Al元素的浓度互补；在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极，电极与GaN/AlN纳米线接触。本发明通过在Si/SiO2衬底上生长GaN/AlN纳米线，使用电子束光刻在纳米线上制造平行的In/Au电极阵列，最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构，结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建，舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件，实现了小型化、轻量化。
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公开(公告)号：CN117779188A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311802994.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/68 , C30B29/40 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法，包括如下方法步骤：S1、取厚度为500μm的两英寸的GaSb衬底置于分子束外延设备的生长腔；S2、对GaSb衬底升温至300℃进行高温除气，除气时间不少于两小时；S3、对GaSb衬底升温至520℃脱氧，直至GaSb衬底表面形貌点线清晰，保持三分钟；S4、对GaSb衬底降温至440℃，在GaSb衬底上生长厚度为500nm的GaSb缓冲层；S5、对GaSb衬底和GaSb缓冲层降温至420℃，在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格；在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格的过程中，As/In束流比为7～11。本发明优化As/In的束流比，在生长InAs/GaSb II类超晶格时提前打开As阀门，解决了由于缺As导致的InAs/GaSb II类超晶格表面易形成针状“亮点”缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN117747693A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311568221.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0376
Abstract: 本发明提供了一种基于GaSb光子晶体板的多光谱短波红外探测器，包括二类超晶格PBIN探测单元，以及在二类超晶格PBIN探测单元的GaSb盖层上集成的GaSb光子晶体板；GaSb光子晶体板包括多个晶体板单元，并且多个晶体板单元的周期不同、晶格常数不同；每一个晶体板单元开设多个探测孔，多个晶体板单元的探测孔的孔尺寸不同。本发明具有波长选择性、光谱多样性、高分辨率、工作波段广泛的优势。
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