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公开(公告)号：CN119689225A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510206485.8
申请日：2025-02-25
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路测试技术领域，公开了一种基于神经网络的TSV测试分组方法，通过自设计神经网络和损失函数结合的方法，将测试约束写入损失函数，利用梯度下降方法不断优化权重以求解固定测试分组数下的具体测试分组方案；并利用改进二分法求解最小测试分组数，提高了分组算法的鲁棒性。通过实验分析证明本发明所提方法，在不规则TSV布局下分组的精确度、运行效率都表现优异。
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公开(公告)号：CN119252402B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411797714.X
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种多晶材料的弹性粘塑性多尺度本构模型的构建方法及系统，在多晶材料的代表性体积元模型RVE基础上建立单晶尺度本构模型，得到单个晶粒的应力率与应变率之间的关系，然后得到RVE尺度的应力率与应变率之间的关系，建立仿射应变率、应力局部张量、应变局部张量之间的关系；设置初始的单个晶粒应变增量为整体应变增量，通过有限元分析迭代计算，得到RVE尺度的应力增量。本发明适用于解决复杂边界条件下的变形问题，使用算法切线算子及仿射应变增量两个量来定义应变增量与应力增量间的关系，增加了计算的准确性。
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公开(公告)号：CN119252402A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411797714.X
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种多晶材料的弹性粘塑性多尺度本构模型的构建方法及系统，在多晶材料的代表性体积元模型RVE基础上建立单晶尺度本构模型，得到单个晶粒的应力率与应变率之间的关系，然后得到RVE尺度的应力率与应变率之间的关系，建立仿射应变率、应力局部张量、应变局部张量之间的关系；设置初始的单个晶粒应变增量为整体应变增量，通过有限元分析迭代计算，得到RVE尺度的应力增量。本发明适用于解决复杂边界条件下的变形问题，使用算法切线算子及仿射应变增量两个量来定义应变增量与应力增量间的关系，增加了计算的准确性。
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公开(公告)号：CN118761337A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411253438.0
申请日：2024-09-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/045 , G06N3/08 , G06F119/02 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种温度循环荷载下基于机器学习模型的封装焊点可靠性预测方法，包括如下步骤：S1. 建立封装结构模型；S2. 利用有限元分析软件对模型进行温度循环仿真；S3. 提出影响焊点应力值的特征量，并确定特征量的范围；S4. 将特征量和输出结果组成数据集，并对数据集进行预处理；S5. 利用神经网络模型训练，并预测出不同温度循环条件和不同焊点特征下的最大应力位置以及最大应力值。本发明通过有限元分析描述焊点力学响应，利用机器学习模型提出了一种更加高效、灵活且准确率高的焊点可靠性预测方法。
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公开(公告)号：CN117713511A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410079715.4
申请日：2024-01-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H02M1/08 , H03K17/042 , H03K17/082 , H03K17/12 , H03K17/687 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及一种单电源可调驱动电阻SiC MOSFET驱动电路，包括电源电路、可变栅极电阻驱动电路、以及用于测试目标SiC MOSFET Q5开关特性的双脉冲测试电路，通过在目标SiC MOSFET Q5开通/关断过程的不同阶段切换不同的驱动电阻，提高了目标SiC MOSFET Q5的开通/关断速度，其中在器件开通/关断的漏源电流变化的时期，采用一个电阻对目标SiC MOSFET Q5栅极进行充电和放电，减小器件开通/关断延时，提高电压和电流的上升速率。在器件开通/关断的其余时期增大驱动电阻抑制目标SiC MOSFET Q5开关过程中的电压和电流尖峰和振荡，相比于传统驱动电路，能够在有效抑制电压、电流超调和振荡的同时保持较低的开关损耗，提高目标SiC MOSFET Q5的栅极驱动性能，并且电路结构简单，易于实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117517932A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311844340.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路可测性设计领域，公开了一种芯粒间TSV测试电路及测试方法，通过芯粒测试配置电路配置测试路径、测试指令和读写数据寄存器；通过读写数据寄存器组接收测试向量和捕获测试响应；通过TSV阵列测试控制电路控制TSV测试的初始化、测试、捕获操作；通过地址解码电路选择TSV阵列中的待测行；通过测试向量生成电路生成测试TSV所需的测试向量；通过比较电路判断测试TSV是否存在故障；通过TSV接收阵列和TSV发送阵列控制测试向量在TSV上的发送与测试响应的接收。本发明所提出的测试电路满足芯粒间TSV的测试需求，减少了硬件面积的占用，测试过程高度自动化，芯粒测试成本下降。
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公开(公告)号：CN116151133A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310426866.8
申请日：2023-04-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06F30/17 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06N3/086 , G06F111/10 , G06F113/22
Abstract: 本发明公开了基于机器学习的模块封装注塑工艺参数预测方法，通过蚁群算法优化BP神经网络参数并进行寻优最佳工艺参数的方法，首先根据注塑产品的具体生产情况和质量指标选择工艺参数作为影响因素设计响应面试验；其次将响应面实验设计获得的均匀试验数据划分为训练数据和测试数据，利用蚁群算法优化BP神经网络模型参数并构建BP神经网络模型，得到注塑工艺参数与质量指标之间的非线性映射关系；最后再利用蚁群算法寻找极值以及对应的最佳工艺参数。本发明能够在当涉及多变量及变量范围差异较大时有效确定最优的变量值、获得最佳工艺参数，预测精度较高，能够有效提高注塑产品的生产质量。
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公开(公告)号：CN115933795A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310016707.0
申请日：2023-01-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种应用于电源管理单元的超低功耗基准电流源电路，涉及模拟集成电路设计技术领域，包括工艺角补偿偏置电路、负温度系数偏置产生电路以及电流基准输出级电路，工艺角补偿偏置电路用于产生偏置电压来补偿阈值电压的不同工艺角变化；负温度系数偏置产生电路用于产生与绝对温度负相关的电压；电流基准输出级电路用于输出基准电流，从而针对不同工艺角的变化引入基于栅极补偿MOS管阈值电压温度系数的电流基准，既得到了pA级的基准电流，也减小了芯片面积，提高了系统的工作性能。
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公开(公告)号：CN115295065B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211224306.6
申请日：2022-10-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及超大规模集成电路可测性设计领域，公开了一种基于灵活可配置模块的芯粒测试电路，电路核心结构位于中介层，包括灵活可配置模块FCM、控制信号配置模块和测试状态控制模块；FCM采用双路斜对称结构，实现水平方向及垂直方向的数据传输；控制信号配置模块连接所有FCM的控制信号，控制着所有FCM的数据传输方向以及导通和截断状态；测试状态控制模块控制着FCM和控制信号配置模块内部数据的移位和更新操作。本发明可满足多种场景芯粒的测试需求，实现对原有DFT测试逻辑的复用，满足芯粒即插即用的策略，提升测试的灵活性和可控性。
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