单分散的C70纳米单晶材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101550591A

    公开(公告)日:2009-10-07

    申请号:CN200910066734.9

    申请日:2009-04-01

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的单分散的C70纳米单晶材料及其制备方法属于单晶材料制备的技术领域。C70纳米单晶材料形状是颗粒状、棒状或管状C70纳米单晶,具有面心立方结构。选用饱和的C70间二甲苯溶液作为母液,选用不同种类的直链饱和一元醇作为形状调节剂。制备过程是将母液与形状调节剂混合超声震荡,再静置,取沉淀物滴到基片上,室温下自然挥发掉溶剂和形状调节剂,得到C70纳米晶体;再10-5Pa压强下加热去除溶剂得到产品。本发明能制备出颗粒状、棒状或尺寸和形貌规则的管状的C70纳米单晶材料;产物的形状可以精确控制;方法操作简单;产物为纳米器件的应用提供有效的途径,具有很好的应用前景。

    一种铈氮化合物的高温高压合成方法

    公开(公告)号:CN119018860A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411534367.1

    申请日:2024-10-31

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种铈氮化合物的高温高压合成方法属于高温高压合成特种应用材料技术领域。首先在金刚石对顶砧中进行预压,打孔,复位;在水氧含量低于0.01 ppm的氮气手套箱中将金属铈或氮化铈用大砧面压机压成薄片后,样品针戳碎样品薄片,用样品针尖挑起样品放入实验压机中;将实验压机整体浸入液氮中,旋转加压螺丝,将液氮装载进实验压机,利用金刚石对顶砧装置将装有金属铈和氮或氮化铈和氮的实验压机加压到21.4 GPa~25.3 GPa,利用红外激光器加热到2600~3000K,保持30秒,得到铈氮化合物CeN3。本发明合成的产物是一种高含能物质,可应用于储能领域。

    一种六方金刚石和立方-六方异质结构的制备方法

    公开(公告)号:CN118437230B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410904498.8

    申请日:2024-07-08

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种六方金刚石和立方‑六方异质结构的制备方法属于高压合成特殊应用材料技术领域,主要步骤包括:沿Z轴方向切割直径为1‑10毫米、厚度为0.5‑10毫米的高定向石墨或单晶石墨圆柱;利用内径为1‑10毫米的致密氧化物陶瓷管及直径1‑10毫米的致密氧化物陶瓷堵头进行6‑8‑2组装;将组装置于大腔体压机中,调整实验温压条件合成六方金刚石和立方‑六方异质结构金刚石。本发明制备的两种新型金刚石材料的硬度高于传统立方相金刚石,具有较为广泛的应用前景。此外,本发明对于深入了解二维材料在高压下的结构演变,并开发二维材料的新高压相提供了有力的策略。

    一种高压下表征和/或调控半导体材料电学性质的方法

    公开(公告)号:CN118464634A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410930951.2

    申请日:2024-07-12

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种高压下表征和/或调控半导体材料电学性质的方法。本发明利用金刚石对顶砧装置对半导体材料进行加压,测试高压原位下样品的电阻变化和温度。随着压强的增加,由于分子间距离减小,电子去局域化,因此样品的电阻降低,导电性巨幅增加。并得到高压原位下的系列温度‑电阻曲线,全压强区的温度‑电阻曲线均符合阿伦尼乌斯半导体定律,进而拟合出半导体材料在不同压强条件下的带隙。

    一种金刚石耐磨涂层的高频感应-磁控布料制备方法

    公开(公告)号:CN118390043A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410525671.3

    申请日:2024-04-29

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的一种金刚石耐磨涂层的高频感应‑磁控布料制备方法属于硬质耐磨涂层材料制备技术领域,包括金刚石表面洁净化处理、金刚石表面金属化、配料、有机粘结溶剂制备、“三明治”式布料、高频熔覆制备耐磨涂层等步骤。本发明将表面金属化金刚石与气雾化的Ni‑Cr‑B‑Si合金粉末进行功能化组合,并采用高频感应熔覆的方法,在平面金属部件表面熔敷高硬度的超耐磨涂层,具有设备简单、工艺便捷、节能高效等优点。

    一种异形子母齿结构的CVD钻齿、制作方法及钻头

    公开(公告)号:CN117803325A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202410067367.9

    申请日:2024-01-17

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开一种异形子母齿结构的CVD钻齿、制作方法及钻头,涉及地质钻探技术领域,包括由硬质合金制成的母齿以及由CVD金刚石制成的子齿,母齿具有用于切割岩层的切削区域,切削区域内设置有焊接槽,子齿中体积的二分之一以上部分采用真空焊接工艺焊接在焊接槽内;母齿或子齿为异形形状;本发明通过真空焊接工艺可以提高CVD金刚石与硬质合金的连接强度,攻克了CVD金刚石在钻齿上难以应用的技术难题,子齿作为钻探过程中的主要受力部分,可以明显提高钻齿切削区域的耐磨性,大幅度提升钻齿的性能和使用寿命;同时,本发明中母齿或者子齿可以设置为异形形状,可以满足钻探过程中的特殊工况,适应性更强。

    一种大腔体囊式快速增压装置
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117366035A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311665838.8

    申请日:2023-12-07

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种大腔体囊式快速增压装置,涉及快速增压设备技术领域,包括增压总路,增压总路的进油端用于连接油箱本体,增压总路的出油端连接有第一增压支路和第二增压支路,增压总路上设有增压器,第一增压支路上设有囊式储能器,囊式储能器的出油端能够通过快速增压管路与油缸本体的进油口相连通,第二增压支路远离增压总路的一端与油缸本体的进油口相连通,油缸本体的出油口通过油缸卸压管路与油箱本体相连通,油缸卸压管路连接有油压测量装置。本发明能够实现高压油的快速加载。

    一种大腔体压机可控快速加压技术

    公开(公告)号:CN117227240A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311514706.5

    申请日:2023-11-15

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种大腔体压机可控快速加压技术,属于高压实验技术领域,包括正八面体部件、堵头、金刚石柱和标压物质,其中正八面体部件开设有两端开口的空腔,标压物质放置在空腔内,空腔两端的开口通过具有导电功能的堵头进行封堵,标压物质与堵头之间设有金刚石柱;通过在标压物质与堵头之间设置金刚石柱,利用金刚石柱硬度较大,传压效率优于普通陶瓷堵头的特性,提高样品腔的升压效率;采用先向加载装置预充压力,再向加压模具快速释放的加载方法,与改进后的传压组件相配合,缩短了样品腔的压力加载时间,使之能达到毫秒级,弥补了现有技术中对介于静高压和动高压之间的压力加载过程研究不足的缺陷,推动了高压实验科学的进一步发展。

    一种基于金刚石对顶砧气膜驱动快速增压装置

    公开(公告)号:CN116558944B

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310847124.2

    申请日:2023-07-12

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开一种基于金刚石对顶砧气膜驱动快速增压装置,涉及快速增压设备研制领域,包括:气膜片、金刚石对顶砧压机、硬质钢外壳和气体释放组件;气膜片与金刚石对顶砧压机位于硬质钢外壳内部,气膜片位于金刚石对顶砧压机下方,硬质钢外壳上方设置第一开口,硬质钢外壳下方设置第二开口;气体释放组件穿过硬质钢外壳的第二开口与气膜片气路连接,气体释放组件用于在标压实验中以第一充气速度释放气体,并以不同驱动压力对气膜片进行充气,并得到压力标定曲线;气体释放组件用于在加压实验中依据压力标定曲线预设驱动压力,以第二充气速度对气膜片进行充气。本发明通过气体释放组件实现快速增压效果,降低了快速增压装置的实验成本。

    一种毫米级sp3非晶碳块材及其制备方法

    公开(公告)号:CN113896533B

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202111127499.9

    申请日:2021-09-26

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种毫米级sp3非晶碳块材及其制备方法。所述方法包括以下步骤:将C60粉末在450~1100℃、优选700~1000℃、更优选900~1000℃、最优选1000℃的温度下,以及在20~37GPa、优选20~30GPa、最优选27GPa的压力下,进行高温高压处理,以得到所述毫米级sp3非晶碳块材。本发明通过改变温压条件,调节非晶碳材料中sp3碳含量的变化,其sp3含量大于80%,高质量的样品sp3含量接近100%,并可以有效调控系列非晶碳材料的光学带隙和热导率。所获得的系列非晶态碳材料具有超高硬度、高热导率、带隙可调(1.90‑2.79eV),且其带隙超过了非晶硅、锗的带隙范围,为非晶材料的应用开辟了新的空间。

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