短寿命量子点荧光LED提高可见光通信带宽的方法

    公开(公告)号:CN105390596A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510996845.5

    申请日:2015-12-28

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及可见光通信领域,尤其涉及使用短寿命量子点荧光LED提高可见光通信带宽的方法。首先选取荧光寿命短的量子点荧光粉;采用蓝光芯片激发两种颜色发光量子点或紫外芯片激发的三种颜色发光量子点结构,所述两种颜色发光量子点包括红光量子点和绿光量子点;所述三种颜色发光量子点包括红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点;利用蓝、红、绿三原色匹配形成白光,提高可见光通信LED的带宽;二是设计短寿命量子点荧光LED器件的结构。所制备的可见光通信LED器件具有高带宽、高效率;所设计的可见光通信LED器件结构简单、制备容易、材料损耗低。

    全无机氧化物高效量子点太阳电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN102437210B

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201110388242.9

    申请日:2011-11-30

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种新型全无机氧化物结构量子点太阳电池及其制作方法。该电池由PbSe/CdSe核壳量子点薄膜、NiO薄膜和ZnO纳米薄膜以及阳极和阴极组成,NiO薄膜作为空穴的收集层;ZnO纳米薄膜作为电子的收集层;PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与ZnO纳米薄膜界面构成异质结,形成的电势差有助于光生电子从PbSe/CdSe核壳量子点薄膜迁移进入氧化物电子收集层,PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与NiO薄膜界面构成异质结;阳极为ITO电极;阴极为Ag电极。其制作方法包括以下步骤:1、NiO薄膜的制备;2、PbSe/CdSe核壳量子点的合成与薄膜制备;3、ZnO纳米薄膜的制备;4、蒸镀电极。

    基于FTO的新型全无机氧化物量子点LED及其制作方法

    公开(公告)号:CN102509756A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201210001471.5

    申请日:2012-01-05

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于FTO的新型全无机氧化物量子点LED及其制作方法,属于半导体照明技术领域。技术方案是:所述LED结构主要由LED正极和阴极、LED正极和阴极之间的载流子迁移层、载流子迁移层之间的LED的发光层以及玻璃基板组成;所述LED制作方法经步骤一、FTO电极(2)的制备,步骤二、NiO薄膜层(3)的制备,步骤三、CdSe/CdS/ZnS量子点的合成与薄膜制备,步骤四、ZnO纳米晶薄膜层(5)的制备,步骤五、蒸镀电极,最后,完成基于FTO的新型全无机氧化物量子点LED的制作。本发明提供上述技术方案使LED发光层和载流子迁移层能级得到合理的匹配,同时简化LED制作工艺,降低封装成本。

    基于单晶片的交流LED显示阵列

    公开(公告)号:CN102354481A

    公开(公告)日:2012-02-15

    申请号:CN201110329747.8

    申请日:2011-10-26

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于单晶片的交流LED显示阵列。这种显示阵列完全集成在一片单晶片上,并且使用交流电供电。同时,这种交流LED显示阵列能够完全实现按位控制,具有亮度高,电能消耗少等优点。其技术方案是:由显示单元、控制线、控制端和阵列显示控制器组成,所述控制线的行控制线(2)连接到行控制端(1)上,列控制线(4)连接到列控制端(3)上,所述显示单元按点阵排列,其排列结构为任意阵列;所述显示单元有不同的电压值,不同电压显示单元结构相同,只是LED晶粒的数目减少或增加。

    一种准二维红光钙钛矿LED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN119923170A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202510099953.6

    申请日:2025-01-22

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明公开了一种准二维红光钙钛矿LED器件及其制备方法,其属于发光二极管技术领域,其中,该制备方法包括以下步骤:将PEDOT:PSS水溶液以旋转涂布的方法沉积到基底表面,并进行第一步退火处理;将TFB和PVK混合溶于氯苯溶液中,并以旋转涂布的方式沉积到第一步退火处理后的基底表面,并进行第二步退火处理;将木质素磺酸钙溶液以旋转涂布的方式沉积到第二步退火处理后的基底表面;将碘化铅、碘化铯、碘化锌、3,3‑二苯基丙胺碘、1‑萘甲氨碘和苯乙胺碘溶解到N,N‑二甲基甲酰胺溶液中,得到钙钛矿前体溶液;将钙钛矿前体溶液滴加到上述步骤处理后的基底表面,制得薄膜,并对薄膜进行第三步退火处理;在薄膜上蒸镀电子传输层和阴极电极,得到准二维红光钙钛矿LED器件。该准二维红光钙钛矿LED器件的开启电压小,亮度高,外量子效率高。

    团簇掺杂增强的天蓝光有机光电二极管及制备方法、应用

    公开(公告)号:CN119546155A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411309569.6

    申请日:2024-09-19

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明适用于有机光电二极管技术领域,提供了团簇掺杂增强的天蓝光有机光电二极管的制备方法,包括以下步骤:将金炔基配合物和1,4‑(PPh2)2C6H4加入二氯甲烷溶液中搅拌;加入溶于二氯甲烷和丙酮的混合溶液的Cu(MeCN)4BF4,避光搅拌;将反应物置于正戊烷溶液中,得到蓝绿色针状晶体;将mCP与PO‑T2T溶解于二氯甲烷溶液中,震荡超声得到激基复合物溶液;将晶体溶解于激基复合物溶液中,得到团簇掺杂增强的激基复合物混合溶液;制备基于团簇掺杂增强的天蓝光有机光电二极管。本发明还提供一种团簇掺杂增强的天蓝光有机光电二极管及应用。本发明制备方法操作简单、耗时少、耗能低、工艺需求简单,制备有机光电二极管亮度提升明显、外量子效率高、色纯度高、器件稳定性好。

    一种准二维蓝光LED器件的制备方法

    公开(公告)号:CN114784215B

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202210336424.X

    申请日:2022-03-31

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明适用于发光二极管领域,提供了一种准二维蓝光LED器件的制备方法,蓝光准二维LED器件是由准二维钙钛矿薄膜、电荷传输层及金属电极组成,其中准二维钙钛矿薄膜由纯溴基三维钙钛矿加合适长链有机配体构成。本发明在器件制备的过程中,将金属纳米团簇与传统传输层进行混合,调节原有传输层的电学性质,从而实现平衡载流子传输的效果,最终提升了钙钛矿发光器件的性能,具有制备工艺简单和效率高的优点,解决了现有蓝光准二维LED器件效率低的问题。

    一种金属纳米团簇的制备方法
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119282130A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411487893.7

    申请日:2024-10-24

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及化学技术领域,公开了一种金属纳米团簇的制备方法,包括以下步骤:Au纳米团簇的合成、AuAg纳米团簇的合成、Au‑Zn纳米团簇的合成、Au‑Zn/Ag纳米团簇的合成、Au‑Zn/Ag/R纳米团簇的合成、Au‑Zn/Cu/R纳米团簇的合成,本发明逐步的阳离子引入不仅导致了总体结构振动的收缩,还加速了壳核电子的跃迁,特别是Tb3+作为其固有的阶梯状能级结构,为受激电子提供了一个跳跃平台。因此,它可以显著提高PLQY,从51.2%,83.4%,到99.5%。

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