柱面频率选择表面结构
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105406156A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201510854273.7

    申请日:2015-11-27

    CPC classification number: H01P1/20 H01Q1/42 H01Q1/425

    Abstract: 柱面频率选择表面结构,属于无线通信技术领域,解决了曲面频率选择表面普遍存在的滤波特性和稳定性差的问题。本发明的柱面频率选择表面结构,它包括金属板和厚度为1mm的介质层,所述介质层的介电常数为2.2,磁导率为1;所述金属板的表面按矩形栅格形状刻满有通孔,所述通孔的形状为Y形,每两个相邻的Y形孔沿柱表面的间距均为40mm,金属板(1)按照曲率半径为160mm的柱面弯曲,介质层贴合在金属板的内侧。本发明适用于作为共形柱面天线罩使用。

    一种电磁波相速方向可控的小型化矩形波导

    公开(公告)号:CN101841076B

    公开(公告)日:2013-02-27

    申请号:CN201010183191.1

    申请日:2010-05-26

    Abstract: 一种电磁波相速方向可控的小型化矩形波导,它涉及小型化波导技术领域。本发明解决了现有的基于超常媒质的小型化矩形波导只能传输后向波而无法根据需求控制电磁波相速方向的问题,本发明包括一个空心矩形波导、多个超常媒质结构单元和多个圆柱形控制棒,各个超常媒质结构单元位于所述空心矩形波导内部,每一个圆柱形控制棒沿着平行于所述空心矩形波导的y向轴线穿透所述空心矩形波导,且所述每一个圆柱形控制棒沿着z向轴线排成一列,所述每一个圆柱形控制棒在所述空心矩形波导内的部分固定有一个超常媒质结构单元。本发明适用于射频通信、微米波领域的电子电路和器件、天线小型化的设计与制造。

    基于双开口谐振环的多频方向图可重构天线

    公开(公告)号:CN102694277A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210202371.9

    申请日:2012-06-15

    Abstract: 基于双开口谐振环的多频方向图可重构天线,它涉及一种天线,具体涉及一种方向图可重构天线,以解决现有的可重构天线结构复杂以及不能在多个不同的频率下同时工作的问题,它包括第一金属片、圆金属形馈电片、介质板、四个第二金属片、四个金属开口谐振环和八个开关,介质板的下表面附着有一层金属片,介质板的上表面的中部附着有圆形金属馈电片,四个金属开口谐振环阵列附着围绕于圆形金属馈电片的周围,所述每个金属开口谐振环为圆形的同心内外双环结构,每个金属开口谐振环的其中一个内环开口处设置有一个开关,每个金属开口谐振环的与另一个内环开口相邻的外环开口处设置有一个开关,本发明用于无线通信系统中。

    子阵级自适应单脉冲的两级干扰抑制方法

    公开(公告)号:CN102064892A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN201010608994.7

    申请日:2010-12-28

    Abstract: 子阵级自适应单脉冲的两级干扰抑制方法,涉及一种子阵级自适应单脉冲的干扰抑制方法。它解决现有的子阵级自适应单脉冲的干扰抑制方法的单脉冲性能较差、远算代价较高的问题。它包括两级干扰抑制:第一级干扰抑制为具有主瓣保形的旁瓣干扰抑制,其方法为:将具有方向图控制性能的子阵级ADBF与主瓣保形相结合,在保持主瓣形状的同时对旁瓣干扰进行抑制;第二级干扰抑制为主瓣干扰抑制,其方法为:采用4通道单脉冲系统进行主瓣干扰抑制;所述4通道单脉冲系统的4通道的含义为4个接收通道分别形成4个波束,即:和波束、俯仰差波束、方位差波束和双差波束。本发明适用于子阵级自适应单脉冲的干扰抑制。

    一种宽频带超常媒质小型化矩形波导

    公开(公告)号:CN101924264A

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN201010268225.7

    申请日:2010-08-31

    Abstract: 一种宽频带超常媒质小型化矩形波导,它涉及小型化波导技术领域。它解决了现有的小型化矩形波导相对工作带宽窄的问题,本发明包括一个空心矩形波导、多个超常媒质结构单元和两个同轴波导连接器,各个超常媒质结构单元位于所述空心矩形波导内部,且所述各个超常媒质结构单元沿所述空心矩形波导的z方向中心轴相接排成一列,同轴波导连接器与空心矩形波导内的始末两个超常媒质结构单元连接。本发明适用于宽频带波导的开发。

    带有基于频率选择表面技术的电磁屏蔽效能散热孔的电子设备外壳体

    公开(公告)号:CN101917829A

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN201010260873.8

    申请日:2010-08-24

    Abstract: 带有基于频率选择表面技术的电磁屏蔽效能散热孔的电子设备外壳体。它涉及电子设备上的散热孔,本发明解决了在满足了散热的要求的同时不能够屏蔽电磁和在具有较好的屏蔽情况下散热性能不好的问题。它的电子设备外壳体的散热区域内设置有由至少九个八边形散热孔单元按周期排列组成的散热孔;每一个八边形散热孔单元由四个圆心角α所对应的边和四个圆心角为β所对应的边依次间隔连接而成的中心线对称八边形;每相邻两个八边形散热孔单元的两个圆心角α所对应的边重合为一体成为共用边,每相邻四个八边形散热孔单元的四个圆心角为β所对应的边组成正方形,满足0°<α≤20°,α+β=90°。它的形状结构简单,易于加工,成本低,它应用于电子设备的外壳体上。

    一种可传输前向波的超常媒质小型化矩形波导

    公开(公告)号:CN101867078A

    公开(公告)日:2010-10-20

    申请号:CN201010183020.9

    申请日:2010-05-26

    Abstract: 一种可传输前向波的超常媒质小型化矩形波导,它涉及小型化波导技术领域。本发明解决了现有的基于超常媒质的小型化矩形波导无法传输前向波的问题,本发明包括一个空心矩形波导和多个超常媒质结构单元,各个超常媒质结构单元位于空心矩形波导内部,且所述各个超常媒质结构单元分成两组沿着空心矩形波导z方向两侧金属壁交错放置,各个超常媒质结构单元在平行于所述空心矩形波导的z方向的有效磁导率分量为负值,在其它方向的有效磁导率分量以及在所有方向上的有效介电常数分量均为正值,空心矩形波导的横截面的高度小于或等于宽度,且所述宽度小于二分之一工作波长。本发明适用于射频通信、微米波领域的电子电路和器件、天线小型化的设计与制造。

    一种电磁波相速方向可控的小型化矩形波导

    公开(公告)号:CN101841076A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN201010183191.1

    申请日:2010-05-26

    Abstract: 一种电磁波相速方向可控的小型化矩形波导,它涉及小型化波导技术领域。本发明解决了现有的基于超常媒质的小型化矩形波导只能传输后向波而无法根据需求控制电磁波相速方向的问题,本发明包括一个空心矩形波导、多个超常媒质结构单元和多个圆柱形控制棒,各个超常媒质结构单元位于所述空心矩形波导内部,每一个圆柱形控制棒沿着平行于所述空心矩形波导的y向轴线穿透所述空心矩形波导,且所述每一个圆柱形控制棒沿着z向轴线排成一列,所述每一个圆柱形控制棒在所述空心矩形波导内的部分固定有一个超常媒质结构单元。本发明适用于射频通信、微米波领域的电子电路和器件、天线小型化的设计与制造。

    分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件

    公开(公告)号:CN100586838C

    公开(公告)日:2010-02-03

    申请号:CN200710144470.5

    申请日:2007-10-19

    Abstract: 分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件,它涉及一种微机电系统(MEMS)移相器芯片级微封装构件。本发明的目的是为解决现有键合方法存在寄生效应和相互干扰强、增加器件的体积和损耗、形状发生畸变、制备工艺复杂和气体污染的问题。本发明密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔,密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层,密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成,密封绝缘介质封装体中部的厚度t为5-20μm。本发明在10~50GHz的微波频段工作,具有寄生效应低、相互干扰低、工艺兼容性好、形状无畸变、工艺简单、无气体污染和体积小的优点。本发明的插入损耗<-0.2dB、反射系数低于-20dB、相移量也具有非常好的线性关系。

    超小型谐振腔
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100541906C

    公开(公告)日:2009-09-16

    申请号:CN200710071775.8

    申请日:2007-02-09

    Abstract: 超小型谐振腔,它涉及一种谐振腔。为了解决谐振腔存在小型化的理论尺寸极限和基于三维异向介质的小型化谐振腔在现有的技术水平下不能加工制造的问题,本发明包括一个微米波或毫米波谐振腔(1),在微米波或毫米波谐振腔(1)的腔内具有占据左侧空间的负磁导率介质(2),所述负磁导率介质(2)是一维异向介质,谐振腔(1)的宽度小于二分之一工作波长。它是根据电磁波在负磁导率介质和负介电常数介质交界面发生的隧道效应,使得谐振腔的谐振频率不再依赖于谐振腔的尺寸,而且应用的异向介质(负介电常数介质和负磁导率介质)首选一维结构的,非常易于制造,在现有的技术水平下就实现了低成本制造超小谐振腔的目的。

Patent Agency Ranking