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公开(公告)号：CN112984858A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110291324.5
申请日：2021-03-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微结构辐射制冷器件的制备方法及应用，它涉及一种辐射制冷器件的制备方法及应用。本发明的目的是要解决现有微结构的制备方法复杂，辐射制冷效果差和应用受到限制的问题。方法：一、基底预处理；二、配制十二烷基硫酸钠水溶液；三、制备聚苯乙烯球混合溶液；四、制备表面含有单层聚苯乙烯球的基底；五、刻蚀，得到微结构辐射制冷器件。本发明制备的微结构辐射制冷器件的周期为0.5～10μm；本发明制备的微结构辐射制冷器件的高度为0.2～2μm。本发明可获得一种微结构辐射制冷器件。
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公开(公告)号：CN112647107A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011366735.8
申请日：2020-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高红外辐射调控能力的聚苯胺/金颗粒复合薄膜的制备方法，它涉及一种聚苯胺薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有聚苯胺的红外发射率调节范围低，限制其作为热控材料应用的问题。方法：一、制备镀金基底；二、配制共混聚合物溶液；三、清洗电极；四、清洗镀金多孔膜；五、电化学沉积聚苯胺/金颗粒复合薄膜，得到一种高红外辐射调控能力的聚苯胺/金颗粒复合薄膜。采用本发明的方法沉积得到的一种高红外辐射调控能力的聚苯胺/金颗粒复合薄膜，与纯的聚苯胺薄膜相比红外调节幅度极大幅度的提高。本发明可获得一种高红外辐射调控能力的聚苯胺/金颗粒复合薄膜。
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公开(公告)号：CN111453999A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010225122.6
申请日：2020-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种智能辐射器及其制备方法，它属于智能热控领域。本发明要解决现有VO2薄膜热调控能力不足的问题。一种智能辐射器自下而上依次由高反射金属基底层、红外高吸收中间介质层和VO2复合层组成。制备方法：一、VO2颗粒掺杂的红外透明基体材料溶胶的制备；二、VO2复合层的制备；三、金属层沉积。本发明用于一种智能辐射器及其制备。
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公开(公告)号：CN107098599B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710310847.3
申请日：2017-05-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C17/36
Abstract: 双面镀膜电致变色低辐射玻璃及贴膜及其制备方法，它涉及一种电致变色低辐射玻璃及贴膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有玻璃及贴膜的辐射率高，稳定性差和不能自主调光的问题。双面镀膜电致变色低辐射玻璃由基底、低辐射膜层和电致膜层组成，制备方法：一、基板材料的表面处理；二、低辐射膜层的制备；三、电致变色膜层的制备。双面镀膜电致变色低辐射贴膜由基底、低辐射膜层和电致膜层组成，制备方法：一、基板材料的表面处理；二、低辐射膜层的制备；三、电致变色膜层的制备。本发明可获得双面镀膜电致变色低辐射玻璃及贴膜。
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公开(公告)号：CN111045268A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911424325.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 珠海航湾科技有限公司
IPC: G02F1/15 , G02F1/1523
Abstract: 一种以氟化物为电解质层的全固态电致变色器件及其制备方法，它涉及一种全固态电致变色器件及其制备方法。本发明的目的是要解决现有全固态电致变色器件的电解质层的离子电导率低，沉积的速率较慢，制备过程安全性差和透过率低的问题。一种以氟化物为电解质层的全固态电致变色器件包括基底、底透明导电层、电致变色层、氟化物电解质层、离子储存层和顶透明导电层。方法：一、在基底上依次沉积底透明导电层、电致变色层；二、以氟化物为蒸发材料，在电致变色层上沉积出氟化物电解质层；三、在氟化物电解质层上依次沉积离子储存层和顶透明导电层。本发明可获得一种以氟化物为电解质层的全固态电致变色器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111005001A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911405661.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种仿天牛多级结构的二氧化钒智能热控器件及其制备方法，它属于智能热控涂层技术领域。本发明要解决现有基于VO2的智能热控器件发射率变化小，太阳吸收比高的问题。仿天牛多级结构的二氧化钒智能热控器件自下而上依次由半导体基底层、红外高反射金属层、HfO2介质层、VO2层和保护层组成。制备方法：一、红外高反射金属层的制备；二、介质薄膜制备；三、VO2薄膜制备；四、微结构加工；五、保护层沉积。本发明用于仿天牛多级结构的二氧化钒智能热控器件及其制备。
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公开(公告)号：CN110983423A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911422996.4
申请日：2019-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 珠海航湾科技有限公司
Abstract: 一种弯折不变色的胶体光子晶体薄膜及图案化的胶体光子晶体薄膜的制备方法，它涉及一种胶体光子晶体薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有胶体胶体光子晶体弯折时呈现多种颜色，弯折时容易产生裂纹和柔性差的问题，方法：一、制备二氧化硅纳米颗粒；二、制备光子悬浮液；三、浓缩二氧化硅光子悬浮液；四、制备胶体光子晶体薄膜。利用弯折不变色的胶体光子晶体薄膜制备图案化的胶体光子晶体薄膜的方法是首先制备可固化的悬浮液，将多块弯折不变色的胶体光子晶体薄膜置于两块载玻片之间，再将可固化的悬浮液通过两块载玻片之间的缝隙滴加到两块载玻片之间，固化。本发明可获得一种弯折不变色的胶体光子晶体薄膜及图案化的胶体光子晶体薄膜。
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公开(公告)号：CN110981217A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911424752.X
申请日：2019-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 珠海航湾科技有限公司
IPC: C03C17/34
Abstract: 一种快速响应高循环稳定性的电致变色薄膜的制备方法，它涉及一种电致变色薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有电致变色薄膜的制备工艺复杂，无法同时实现响应快和循环稳定性好的问题。方法：一、基底预处理；二、磁控溅射，得到快速响应高循环稳定性的电致变色薄膜。本发明制备的快速响应高循环稳定性的电致变色薄膜为结晶度可控的氧化钨电致变色薄膜，集成了非晶薄膜在电致变色过程中快速响应、大光学调制范围和晶态薄膜循环稳定性好的优点。本发明可获得一种快速响应高循环稳定性的电致变色薄膜。
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公开(公告)号：CN110255620A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910386725.1
申请日：2019-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法，它涉及一种钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法。本发明的目的是要解决现有方法难以制备二维钨基纳米片液晶的问题。二维钨基纳米片液晶的制备方法：一、制备质子交换反应后的层状材料；二、制备插层反应后的层状材料；三、机械剥离，得到二维钨基纳米片液晶。利用旋涂仪将二维钨基纳米片液晶旋涂到氧化铟锡导电玻璃上，再置于干燥箱中干燥，得到钨基纳米片电致变色薄膜材料。本发明可获得一种二维钨基纳米片液晶及钨基纳米片电致变色薄膜材料。
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公开(公告)号：CN107887180B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711095864.6
申请日：2017-11-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种在泡沫镍上原位生长Ni‑MOF‑74的方法，它涉及一种无镍源离子在泡沫镍基底上原位生长Ni‑MOF‑74的制备方法。本发明是为了解决目前制备MOFs的方法工艺复杂，成本高，不适合工业化生产的技术问题。本发明：一、制备泡沫镍集流体；二、水热法原位生长制备Ni‑MOF‑74。本发明的制备方法简单可控，成本低，且原材料简单易得，可大规模制备；本发明制备的Ni‑MOF‑74无需外加镍离子，有机配体2,5‑二羟基对苯二甲酸均匀地原位生长在泡沫镍上。本发明所制备的Ni‑MOF‑74可广泛应用于超级电容器及气体分离等领域。
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