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公开(公告)号：CN107758633B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711054604.4
申请日：2017-11-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82Y40/00
Abstract: 一种长直氮化硼纳米线的制备方法，属于纳米线制备技术领域。所述方法如下：将硼粉与催化剂粉末放入球磨罐中，对球磨罐进行抽真空然后注入高纯氮气，再将球磨罐置于球磨机内对硼粉与催化剂粉末进行球磨；将粉末分散到酒精中形成墨状前驱物，将墨状前驱物刷涂到衬底上；向烧结炉中通入高纯氮气，将衬底放到烧结舟上推入烧结炉中；将烧结炉内的温度以10~20℃/min的升温速度自室温升温至1100~1200℃，在氮氢混合气中恒温1h，然后冷却至室温，即得长直氮化硼纳米线。本发明的优点是：本发明方法制备的长直氮化硼纳米线纯度高，可达90%以上，且制备温度低、成本低。本方法工艺简单易行、所用设备廉价、实验过程方便且产品纯度高。
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公开(公告)号：CN107758633A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711054604.4
申请日：2017-11-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82Y40/00
Abstract: 一种长直氮化硼纳米线的制备方法，属于纳米线制备技术领域。所述方法如下：将硼粉与催化剂粉末放入球磨罐中，对球磨罐进行抽真空然后注入高纯氮气，再将球磨罐置于球磨机内对硼粉与催化剂粉末进行球磨；将粉末分散到酒精中形成墨状前驱物，将墨状前驱物刷涂到衬底上；向烧结炉中通入高纯氮气，将衬底放到烧结舟上推入烧结炉中；将烧结炉内的温度以10~20℃/min的升温速度自室温升温至1100~1200℃，在氮氢混合气中恒温1h，然后冷却至室温，即得长直氮化硼纳米线。本发明的优点是：本发明方法制备的长直氮化硼纳米线纯度高，可达90%以上，且制备温度低、成本低。本方法工艺简单易行、所用设备廉价、实验过程方便且产品纯度高。
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公开(公告)号：CN102899659A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210391481.4
申请日：2012-10-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C24/08 , C01B21/064 , B82Y30/00
Abstract: 氮化硼纳米管疏水膜的制备方法，属于防水纳米材料技术领域。本发明方法包括如下步骤：（1）将原料无定形硼粉与数个不锈钢球密封进不锈钢球磨罐，放置于球磨机进行球磨；（2）球磨后将密封罐置于充满氮气的手套箱中取出硼粉，球磨后硼粉末在氮气氛围下与催化剂一同溶于有机溶剂，超声振荡制备成硼涂料；（3）在低碳不锈钢基底上将制备好的硼涂料均匀涂抹于基底上，放置入烧结炉烧结；（4）烧结结束，炉内继续通N2/H2气体，气体流量不变，温度自然冷却至室温，即可得到基于不锈钢金属的氮化硼纳米管疏水膜。本发明所得纳米膜具有高纯度，高密度的特点，接触角测量结果为158.1±3.6°，达到超疏水标准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119218941A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411415246.5
申请日：2024-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 李玲
IPC: C01B21/064 , B82Y40/00 , C25F3/24
Abstract: 本发明公开了一种制备高致密均匀氮化硼纳米管薄膜的方法。该方法采用高温退火法，利用不锈钢基底预先进行电化学抛光，经双催化剂源体混合浸润表面后放入管式炉高温区域进行氮化硼纳米管的生长，即可得到高致密氮化硼纳米管薄膜。在不锈钢表面上催化剂与源体混合物会形成三角、四边等多种成核团簇，在团簇上形成成核位点，生成氮化硼纳米管，最终形成一整片均匀致密的氮化硼纳米管薄膜，氮化硼纳米管具有优异的机械、光学和热力学性能，在纳米光子学和微电子器件等方面都具有极高的应用潜力。本发明制备工艺简单快捷且成本低，为氮化硼纳米管材料的产业化应用提供了进一步可能。
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公开(公告)号：CN110642233B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201911053885.0
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82Y40/00 , C01B19/04 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种C掺杂氮化硼纳米管与碲化铋复合薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：步骤一：将氮化硼纳米管放到管式炉的中央高温区，打开Ar气瓶，待温度达到1100~1200℃时，连接乙醇瓶，将乙醇气体带入管式炉中反应，获得C掺杂BNNT；步骤二：碲化铋粉末与钢珠置于球磨罐中球磨，获得碲化铋纳米颗粒；步骤三：取C掺杂BNNT置于乙醇溶液中，对其进行超声震荡，取震荡后的溶液与碲化铋纳米颗粒进行混合，超声震荡后通过PVDF滤膜进行真空抽滤，将得到的薄膜风干、热压，得到复合薄膜。本发明的方法工艺简单易行，所用设备简单、廉价，实验过程方便，制备的复合薄膜在热电方面应用广泛。
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公开(公告)号：CN112777573B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110315268.4
申请日：2021-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化硼和碲化铋纳米复合材料的太阳能温差电池系统及其制作方法，所述太阳能温差电池系统包括集热平台、导热铜管、散热模块、温差电池模块和太阳能电池，其中：所述导热铜管的中段位于集热平台的空槽内；所述太阳能电池固定在集热平台正上方的凹槽位置；所述导热铜管的两端弯曲成近90°在集热平台下方作为支撑；所述温差电池模块的热端面固定在导热铜管两端的侧面；所述散热模块固定在温差电池模块的冷端面处。本发明制备的太阳能温差电池系统提升了太阳能电池的发电效率以及寿命，方法工艺简单易行，所用设备简单、廉价，实验以及测试过程方便。
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公开(公告)号：CN110690833A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911046688.6
申请日：2019-10-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于热管导热的太阳能温差发电系统的设计方法，所述方法包括如下步骤：步骤一：利用铜片将P型和N型Bi2Te3小晶块组成的热电偶串联起来；纯铝薄板上涂覆一层绝缘导热胶后贴在热电偶对的上、下两面，形成集成多对热电偶的温差发电结构；步骤二：超薄热管等间距的排列在矩形光伏电池板下面；步骤三：将温差发电结构分别与热管冷凝端的上、下侧紧密接触，并将两温差发电结构串联；热管蒸发端下侧覆盖一层隔热棉；步骤四：使用DC-DC的升压芯片和降压芯片设计电路分别将光伏电压和温差电压变换至相同的1.8V输出。本发明提高了太阳能利用率，增加了光伏电池寿命。
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公开(公告)号：CN101281136A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810064233.2
申请日：2008-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种用于紫外－可见吸收检测的微流控芯片的制备方法，此种结构芯片专用于紫外－可见吸收检测系统进行生化分析。该结构微流控芯片采用有机玻璃(PMMA)等聚合物材料为衬底。通过在芯片所设计的检测点位置处加工一个透射通孔台阶结构，同时在台阶位置镶嵌可透过紫外线的玻璃，可以解决聚合物衬底微流控芯片紫外光透过率低以及微米量级沟道所引起的光程短等两个问题。这种新型芯片结构简单，加工容易，工艺成本低，易于微流控芯片的推广应用。
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