一种基于射流冷却的核聚变第一壁内部冷却通道

    公开(公告)号:CN109961854B

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN201711418772.7

    申请日:2017-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于射流冷却的核聚变第一壁内部冷却通道,属于核聚变装置技术领域。该核聚变第一壁内部冷却通道包括冷却通道管和进气通道管;进气通道管与冷却通道管的形状相同,且进气通道管尺寸小于冷却通道管的尺寸,进气通道管位于冷却通道管的内部;进气通道管内部空腔为进气通道,进气通道管的管道出口端的端口封闭,且在进气通道管朝向堆芯方向的侧壁上设置多个贯穿其管壁的出气通道;进气通道管的外壁与冷却通道管的内壁围成的空间为冷却通道,冷却通道靠近进气通道进气端的端口封闭。本发明基于射流加强对流换热的思想提出了实现第一壁高效冷却的设计思路,相比于现有第一壁内部冷却通道,该发明具有更高的冷却效率和性能。

    一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁

    公开(公告)号:CN109961856A

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201711420722.2

    申请日:2017-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁,属于核聚变装置技术领域。该聚变第一壁的外壁表面覆盖一层展向导热系数高于沿厚度方向导热系数的材料层;材料层的外表面在直面等离子体的壁面上还设有一层均匀的保护层。本发明通过在核聚变第一壁的外壁和保护层之间覆盖一层展向导热系数高于沿厚度方向导热系数的材料层,可以实现第一壁直面等离子体壁面热量转移到侧面,使得第一壁的壁体温度分布均匀,进而防止第一壁因局部温度过高而熔穿,同时可减小第一壁的结构热应力。本发明的核聚变第一壁适用于核聚变反应装置。

    一种基于旋流冷却的核聚变第一壁内部冷却通道

    公开(公告)号:CN109961855A

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201711418896.5

    申请日:2017-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于旋流冷却的核聚变第一壁内部冷却通道,属于核聚变装置技术领域。该第一壁内部冷却通道包括壁体和隔板;壁体的内部含有方形空腔;方形空腔贯穿壁体的两个表面;方形空腔的内部沿方形空腔的延伸方向设有一块隔板、且隔板与壁体的两个互相平行的内壁垂直连接,隔板将壁体内部空腔分成进气通道和冷却通道;进气通道的一端端口为进气口,另一端端口封闭;冷却通道靠近进气通道进气口的一端封闭,另一端为出气口;隔板与壁体内壁相连接的两个端面上分别设有一排齿形凹槽。本发明基于旋转流动加强混合和对流换热的思想提出了实现第一壁高效冷却的冷却通道结构,本发明具有更高的冷却效率和性能。

    基于温度补偿的电能表计量精度优化方法

    公开(公告)号:CN108896803A

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201810510171.7

    申请日:2018-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于温度补偿的电能表计量精度优化方法,所述方法包括如下步骤:步骤一、热仿真建模;步骤二、近似建模;步骤三、计量模块建模;步骤四、温度补偿。本发明基于温度补偿的电能表计量精度优化方法填补了已有补偿方法没有考虑到温度变化影响采样电阻、参考电压进而导致计量误差的空白,对电能表在全温度下的计量一致性做出了优化。本发明用于在智能电能表产品的设计阶段,根据产品可能的温度运行环境,利用温度仿真和近似建模,通过理论计算,得到能够实现智能电能表在全温度环境下运行的计量功率一致性优化的方法。

    一种缓解结构陶瓷及其复合材料连接应力的方法

    公开(公告)号:CN104744061A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201510172267.3

    申请日:2015-04-13

    Abstract: 一种缓解结构陶瓷及其复合材料连接应力的方法,本发明涉及一种结构陶瓷及其复合材料连接的方法,它为了解决现有结构陶瓷及其复合材料连接过程中接头中陶瓷与中间层合金的高应力导致连接强度较低的问题。连接方法:一、配制含有硼粉的电泳液;二、打磨清洗Ti箔、铜片和待焊陶瓷;三、在Ti箔上电泳沉积硼粉;四、对待焊件进行夹装,待焊件置于真空钎焊炉中进行扩散焊,然后降温至室温,完成连接。本发明采用电泳沉积辅助的方法,实现接头中原位自生TiB晶须,形成复合连接接头,缓解了陶瓷与钎料合金间由于热膨胀差异导致的高应力,其中ZrB2基复合陶瓷接头的抗剪强度达到120~170MPa。

    沉积反应基团的多光谱综合监测装置及方法

    公开(公告)号:CN118130375A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410220231.7

    申请日:2024-02-28

    Abstract: 本发明属于等离子体光谱诊断测试领域,具体涉及沉积反应基团的多光谱综合监测装置及方法。将光谱监测装置进行组装与调试;开启机械泵,对PECVD腔室进行抽真空处理;通过气路向PECVD腔室内供入沉积气体SiH4/He,并开启射频电源,电子获得能量,与沉积气体发生碰撞产生活性粒子,沉积到硅基样片表面完镀膜;关闭射频电源;硅基样片在等离子体作用下已经在PECVD腔室完成镀膜沉积后,将其转移至成分监测腔室,以进行薄膜成分分析;空心阴极发射电子轰击已沉积的硅基样片,使用光纤探头监测硅基样品表面发光区域;将监测到的进入光谱仪分光后由探测器成像,由工控机读出数据。实现光谱监测方法对等离子增强化学气相沉积工艺中非晶氢化硅薄膜组分的监测。

    一种氟碳化合物等离子体基团空间分布监测装置及方法

    公开(公告)号:CN117423600B

    公开(公告)日:2024-04-23

    申请号:CN202311743393.0

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 一种氟碳化合物等离子体基团空间分布监测装置及方法,涉及半导体工业等离子体光谱诊断测试技术领域,装置包括:包括真空腔室、光纤阵列、凸透镜、凹透镜、分光棱镜、两个反应镜、三个滤波片以及三个工业相机;所述光纤阵列、凸透镜、凹透镜以及分光棱镜同轴设置,所述光纤阵列的探测方向垂直于所述真空腔室内的等离子区域;两个所述反应镜分别设置于所述分光棱镜的两侧,第一反应镜、第一滤波片、第一工业相机同轴设置,所述分光棱镜、第二滤波片、第二工业相机同轴设置,第二反应镜、第三滤波片、第三工业相机同轴设置;该装置及方法可以同时获得氟碳化合物等离子体基团在等离子体区域空间位置的绝对浓度,具有原位、同时性、无侵扰的特点。

    等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法

    公开(公告)号:CN117457467A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311743459.6

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 一种等离子体腔室阵列成像监测装置及空间不均匀性校准方法,涉及半导体刻蚀技术领域,解决的技术问题为“开发一种实时监测等离子体放电状态的装置,并对其空间不均匀性进行评估校准”,装置包括:腔室、第一成像监测模块和第二成像监测模块,所述第二成像监测模块与所述第一成像监测模块的轴线垂直;方法包括:通过所述等离子体腔室阵列成像监测装置采集积分光强;基于所述积分光强计算腔室内视线交点光强;通过所述视线交点光强与所述先验分布拟合求解最优分布系数,得到等离子体二维空间分布;评估所述等离子体二维空间分布的不均匀性并校准;该装置及方法通过设置两组相互垂直的光纤形成视线交点,对等离子体不均匀性进行精确的评估校准。

    一种具有透光间隙的辉光阴极等离子源

    公开(公告)号:CN115763201A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211165744.X

    申请日:2022-09-23

    Abstract: 一种具有透光间隙的辉光阴极等离子源,属于等离子体放电领域,本发明为解决现有辉光放电设备无法实现光学监测的问题。它包括:触持极、石英玻璃和电子引出极的前端旋切有运输等离子体的孔;阴极侧壁面的上端开有“C”形缝隙,触持极侧壁面的上端开有第一“L”形缝隙,电子引出极侧壁面的上端开有第二“L”形缝隙;工质气体通过进气管进入阴极包围的腔室中;阴极通过外接的接线柱施加负电位,触持极通过外接的接线柱施加正高压电位,工质气体在真空环境下被击穿产生等离子体;光学监测器通过“C”形缝隙、第一“L”形缝隙、第二“L”形缝隙和石英玻璃对产生的等离子体进行监测。本发明用于辉光放电等离子体源。

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